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安心

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 3篇刻蚀
  • 2篇电流
  • 2篇电流限制
  • 2篇微米
  • 2篇微米级
  • 2篇激光
  • 2篇激光器
  • 2篇激光器件
  • 2篇光器件
  • 2篇发射区
  • 1篇亚胺
  • 1篇填埋
  • 1篇酰亚胺
  • 1篇显影
  • 1篇聚酰亚胺
  • 1篇刻蚀深度
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻胶

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 3篇安心
  • 3篇朱洪亮
  • 3篇梁松
  • 3篇王宝军
  • 3篇潘教青
  • 3篇王圩
  • 3篇边静
  • 3篇赵玲娟
  • 3篇王伟
  • 2篇陈娓兮
  • 1篇周代兵

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
共 3 条 记 录，以下是 1-3
全选 清除 导出
排序方式：
异质掩埋激光器的制作方法
一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO<Sub>2</Sub>层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO<S...
王宝军朱洪亮赵玲娟王圩潘教青陈娓兮梁松边静安心王伟
文献传递
聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法
一种聚酰亚胺填埋双沟脊型器件沟道的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底的表面依次生长有源层和限制层，作为器件的基本结构；步骤2：在限制层的表面制作光刻图形；步骤3：光刻，在限制层的表面刻蚀出双沟脊型结构，刻蚀深度到达有...
王宝军朱洪亮赵玲娟王圩潘教青梁松边静安心王伟周代兵
文献传递
异质掩埋激光器的制作方法
一种异质掩埋激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上生长有源层，作为激光器件的发射区；步骤2：在有源层的表面生长SiO<Sub>2</Sub>层，在刻蚀及MOCVD生长过程中起保护作用；步骤3：光刻，在SiO<S...
王宝军朱洪亮赵玲娟王圩潘教青陈娓兮梁松边静安心王伟
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