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孙建生

作品数:5 被引量:30H指数:3
供职机构:中国兵器工业集团第五三研究所更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
相关领域:化学工程一般工业技术电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 3篇化学工程
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 2篇性能研究
  • 2篇填充型
  • 1篇电学性能
  • 1篇盐雾
  • 1篇盐雾试验
  • 1篇偶联剂
  • 1篇偶联剂改性
  • 1篇力学性能
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇环境试验
  • 1篇光电
  • 1篇光电性
  • 1篇光电性能
  • 1篇改性
  • 1篇AG纳米线
  • 1篇力学性

机构

  • 5篇中国兵器工业...
  • 3篇山东大学
  • 1篇重庆大学

作者

  • 5篇孙建生
  • 5篇徐勤涛
  • 5篇杨丰帆
  • 3篇于万增
  • 3篇刘景
  • 2篇李吉宏
  • 2篇赵秀芬
  • 1篇董建新
  • 1篇方亮
  • 1篇张淑芳
  • 1篇赵云鹏
  • 1篇于名讯
  • 1篇张岩
  • 1篇吴苏友

传媒

  • 1篇橡胶工业
  • 1篇工程塑料应用
  • 1篇合成橡胶工业
  • 1篇材料导报(纳...
  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2008
  • 1篇2007
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
直流反应磁控溅射法制备CdIn_2O_4薄膜的光电性能研究被引量:2
2007年
利用直流反应磁控溅射法制备了CdIn2O4(CIO)薄膜,研究了氧浓度、基片温度、溅射时间和退火处理对薄膜光电性能的影响。结果表明:电阻率随着氧浓度的增加和溅射时间的减小而增加,随着基片温度的升高先减小后增加;透光率随着氧浓度、基片温度的增加和溅射时间的减小而增加。退火处理后,薄膜的电阻率降低,光吸收边发生"蓝移"。点缺陷对薄膜的光电性能产生重要影响,光吸收边的移动是"Burstein-Moss"效应和多体效应共同作用的结果。综合实验结果和理论研究,推荐了直流反应磁控溅射法制备CIO薄膜的最佳条件。此条件下制备薄膜的电阻率为2.95×10-4Ω.cm,波长为628 nm时薄膜的透光率高达91.7%。
杨丰帆方亮孙建生徐勤涛吴苏友张淑芳董建新
关键词:光电性能
电磁屏蔽塑料的研究进展被引量:6
2010年
介绍了电磁屏蔽的原理,综述了电磁屏蔽塑料的种类及研究应用现状,重点介绍了填充型复合塑料的性能及加工工艺,并对电磁屏蔽塑料的研究方向和发展趋势进行了展望。
徐勤涛孙建生侯俊峰杨丰帆赵秀芬刘景于万增
镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶的制备与性能被引量:16
2010年
研究了镀银铝粉填充量和环境试验对电磁屏蔽硅橡胶电学和力学性能的影响。结果发现,镀银铝粉填充量为210份(质量)是电磁屏蔽硅橡胶的逾渗阈值;最佳的镀银铝粉填充量为230份(质量),此时电磁屏蔽硅橡胶的体积电阻率为6.75×10-3Ω.cm,拉伸强度为2.3MPa,扯断伸长率为571%,邵尔A硬度为65;镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶具有较好的耐高低温和热空气老化性能,而耐盐雾性能较差。
孙建生杨丰帆徐勤涛于名讯刘景张岩
关键词:电学性能力学性能环境试验
Ag纳米线的合成及应用研究进展被引量:3
2008年
Ag纳米线因其在催化、光电子、微电子器件等方面的潜在应用而受到广泛关注。综述了硬模板法、软模板法、自组装法、声电化学法和水热合成法合成Ag纳米线的原理及特点,并介绍了Ag纳米线的应用和发展趋势。
杨丰帆孙建生徐勤涛于万增李吉宏赵云鹏
关键词:AG纳米线
偶联剂改性镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶的性能研究被引量:5
2011年
研究偶联剂种类和用量以及盐雾试验对镀银铝粉填充型电磁屏蔽硅橡胶性能的影响。结果表明:加入偶联剂KH-550和NDZ-105,电磁屏蔽硅橡胶的体积电阻率(ρv)增大,物理性能变差,耐盐雾性能无明显改善。加入偶联剂VTPS的硅橡胶的屏蔽效能和耐盐雾性能较好,当偶联剂用量为3份时,ρv达到5.7×10-3Ω.cm,在30 MHz~10GHz频率范围内,屏蔽值(SE)大于78 dB,在1 GHz处有最大SE,为129.4 dB;盐雾试验后的ρv为6.7×10-3Ω.cm,在30 MHz~10 GHz频率范围内,SE大于76 dB,在1 GHz处有最大SE,为128.6 dB。
孙建生杨丰帆徐勤涛赵秀芬刘景于万增李吉宏
关键词:偶联剂盐雾试验
共1页<1>
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