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文献类型

  • 8篇期刊文章
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领域

  • 8篇理学
  • 2篇电子电信

主题

  • 4篇量子
  • 4篇激子
  • 3篇半导体
  • 2篇施主
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  • 2篇量子特性
  • 1篇等势
  • 1篇等势面
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  • 1篇电介质
  • 1篇电通量密度
  • 1篇动力学特性
  • 1篇异质结
  • 1篇约瑟夫森结
  • 1篇杂质态
  • 1篇隧穿
  • 1篇抛物量子阱
  • 1篇涡旋
  • 1篇量子阱线

机构

  • 10篇河北师范大学

作者

  • 10篇孔小均
  • 4篇刘建军
  • 2篇李玉现
  • 2篇李红
  • 2篇魏成文
  • 2篇李有成
  • 1篇李树深
  • 1篇袁伟
  • 1篇马彦华
  • 1篇沈曼
  • 1篇张迎涛
  • 1篇李有成
  • 1篇郭永
  • 1篇张向东
  • 1篇邸冰

传媒

  • 6篇河北师范大学...
  • 1篇Journa...
  • 1篇大学物理

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1998
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 1篇1993
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
分数维近似方法研究:矩形量子阱线中浅施主杂质结合能探被引量:1
2001年
采用分数维近似方法并首次将系统推导法确定等效维数α应用在量子阶线中来考察矩形横截面量子饼线中浅施主杂质的结合能,并对等横截面积矩形横截面量子陕线中杂质的等效维数和结合能受量子阶线形状的影响进行了详细的讨论.
李红孔小均陈红叶
关键词:结合能量子阱线半导体
质量效应对抛物量子阱中电子子带的影响
2000年
考虑有效质量随空间位置的变化 ( SDEM效应 ) ,计算了垂直磁场作用下量子阱中电子的第一子带 ,与不考虑 SDEM效应的结果做了比较 。
李玉现刘建军霍吉良孔小均
关键词:束缚能抛物量子阱半导体
关于均匀各向同性电介质表面为等势面时D=ε_0E_0的一种证明的讨论
1993年
本文对公式 D=ε0E0给出了一种新的证明方法.指出一篇文章对此问题的讨论中的不妥之处.
李建雄孔小均
关键词:电通量密度电介质各向同性
半导体超晶格结构中电子的量子磁隧穿被引量:2
1994年
将厄密函数作为包络波函数解析地求解了电场和磁场同时垂直作用在超晶格结构上的一维有效质量方程,利用传递矩阵方法求得电子隧穿双势垒结构的传输系数,并对计算结果作了讨论.
郭永李有成魏成文孔小均
关键词:半导体超晶格
半导体微结构中杂质态、激子态和复杂体系的量子特性
李有成孔小均刘建军等
该项目深入地探讨了外场(包括电场、磁场)作用下半导体超晶格结构中类氢杂质态的纵向输运性质,发展了量子跃迁理论,提示了量子结构与其中物理性质的规律性,系统地研究了量子阱、量子线及量子点等多种低维半导体量子系统中粒子的有效质...
关键词:
关键词:激子态量子特性光学性质
介电量子阱中激子的Stark效应
1995年
在考虑像势影响的情况下,利用变分的方法计算了垂直电场下无限深介电势阱中激子的结合能,得到了像势对激子结合能的修正随阱宽、电场强度以及阱垒介电函数之比的变化曲线.我们发现:考虑像势影响对激子结合能及其Stark效应的修正是很有意义的,而且自像势和互像势对Stark效应的影响是相反的.
张向东李有成孔小均魏成文
关键词:激子STARK效应电场
低维半导体结构中激子和复杂激子的量子特性
刘建军李玉现孔小均沈曼张迎涛邸冰
“低维半导体结构中激子和复杂激子的量子特性”课题组在1997年至2007年之间承担河北省自然科学基金两项:(1)“半导体微结构中杂质态、激子态和复杂体系的量子特性”是河北师范大学物理学院半导体超晶格研究室所承担的河北省自...
关键词:
关键词:激子量子特性
约瑟夫森结中的涡旋动力学特性
2008年
利用周期瞬子方法从理论上研究了环状偏流约瑟夫森结中的单个涡旋隧穿特性.将涡旋在约瑟夫森结中的运动简化为一个粒子在特定势阱中的运动,由于涡旋可以从阱中逃逸,这就使得涡旋在阱中的能态是不稳定的.理论上指出,正是由于涡旋的隧穿,使得涡旋所处的能态是亚稳态,该能态是一个复数,其虚部正比于能态的衰变率.通过理论计算得出:在温度较高的情况下,涡旋进行的是热隧穿,在低温条件下,涡旋的逃逸只能通过量子隧穿的方式.还指出过程中系统随着温度的降低,通过二阶转变过程从热隧穿过渡到了量子隧穿.
李红马彦华孔小均
关键词:约瑟夫森结涡旋隧穿
量子阱的二维等效势模型的研究被引量:1
1998年
量子阱的二维等效势模型是研究量子阱中少体问题行之有效的方法,本文对二维等效势模型进行了详细的数值计算和讨论,并指出了这种等效势模型的可行性.
刘建军孔小均
关键词:激子施主杂质
GaAs-Ga_(1-x)Al_xAs异质结附近类氢杂质束缚能及其受像势的影响被引量:3
1994年
在有效质量近似下,利用一维化Euler方程方法计算了GaAs-Ga1-xAlxAs异质结附近类氢杂质基态及2p±态束缚能及其受像势的影响.在极限情况下,我们的结果可以重现已有的精确解.
李树深袁伟刘建军孔小均
关键词:异质结
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