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唐述杰

作品数：12 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
相关领域：交通运输工程一般工业技术电气工程电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 6篇纳米
  • 6篇纳米带
  • 5篇石墨烯纳米带
  • 4篇石墨
  • 4篇石墨烯
  • 4篇衬底
  • 2篇电器件
  • 2篇电子器件
  • 2篇调节温度
  • 2篇形貌
  • 2篇形貌可控
  • 2篇隧穿
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电膜
  • 2篇退火
  • 2篇退火时间
  • 2篇氢气
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇开关比
  • 2篇刻蚀

机构

  • 12篇中国科学院

作者

  • 12篇唐述杰
  • 10篇谢晓明
  • 8篇江绵恒
  • 6篇丁古巧
  • 6篇王浩敏
  • 6篇谢红
  • 4篇吴天如
  • 2篇刘晓宇
  • 2篇王陈
  • 2篇宋阳曦
  • 2篇陈吉
  • 2篇孙秋娟
  • 2篇卢光远
  • 2篇张学富
  • 2篇李蕾
  • 2篇张道礼
  • 2篇贺立
  • 2篇姜达

年份

  • 2篇2023
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2013
  • 2篇2012
共 12 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
石墨烯的生长方法
本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述...
王浩敏唐述杰卢光远吴天如姜达丁古巧张学富谢红谢晓明江绵恒
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一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法
本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘...
唐述杰丁古巧谢晓明陈吉王陈江绵恒
一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用
本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通...
丁古巧唐述杰谢晓明江绵恒
一种在绝缘基底上制备石墨烯纳米带的方法
本发明提供了一种在具有原子级平整度解理面的绝缘基底上生长石墨烯纳米带的方法，属于低维材料和新材料领域。该方法包括如下步骤：第一步解理绝缘基底得到具有原子级平整度的解理面并制备单原子层台阶；第二步以具有规则单原子台阶的绝缘...
唐述杰丁古巧谢晓明陈吉王陈江绵恒
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一种具有单原子层台阶的六角氮化硼基底及其制备方法与应用
本发明提供了一种具有单原子层台阶的六角氮化硼（hBN）基底及其制备方法，将hBN基底表面解理得到新鲜的解理面，然后用氢气高温下刻蚀六角氮化硼，得到可控的、规则的单原子层台阶。本发明利用了氢气对hBN的各向异性刻蚀作用，通...
丁古巧唐述杰谢晓明江绵恒
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基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法
本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石...
王浩敏谢红吴天如孙秋娟王慧山宋阳曦刘晓宇唐述杰谢晓明
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h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
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基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法
本发明提供一种基于石墨烯的隧穿场效应管单元、阵列及其形成方法，所述单元至少包括衬底；所述衬底上自下而上依次包括底栅电极、第一电介质层、底层石墨烯、绝缘阻挡层、顶层石墨烯、第二电介质层及顶栅电极；所述底层石墨烯及所述顶层石...
王浩敏谢红吴天如孙秋娟王慧山宋阳曦刘晓宇唐述杰谢晓明
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h-BN上石墨烯纳米带的制备方法
本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方...
王浩敏贺立陈令修谢红王慧山唐述杰李蕾张道礼谢晓明江绵恒
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一种TMDC材料的近常压生长方法以及MBE装置
本发明公开一种TMDC材料的近常压生长方法以及一种用于TMDC材料近常压生长的MBE装置。在MBE装置中进行TMDC材料的近常压生长，包括步骤：S1：通入氛围气体，实现腔体内近常压下可调的气体氛围；S2：使用光纤耦合激光...
唐述杰贾旭超郭志强李卓君
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共2页<12>
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