周阳
- 作品数：46 被引量：93H指数：6
- 供职机构：河北大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 用于Cu互连阻挡层的非晶Ni-Al薄膜研究被引量：4
- 2008年
- 以非晶Ni-Al薄膜作为Cu互连的阻挡层材料,采用射频磁控溅射法构架了Cu/Ni-Al/Si的异质结。利用原子力显微镜、X射线衍射仪和四探针测试仪研究了不同温度下高真空退火样品的表面形貌、微观结构与输运性质。实验发现非晶Ni-Al薄膜在高达750℃的退火温度仍能保持非晶结构,各膜层之间没有明显的反应和互扩散存在,表明了非晶Ni-Al薄膜具有良好的阻挡效果,可以用作Cu互连的阻挡层材料。
- 霍骥川刘保亭邢金柱周阳李晓红李丽张湘义王凤青王侠彭英才
- 关键词：CU互连扩散阻挡层
- 广延物体的相对论物理及其对介观系统的应用
- 李双九周阳阎玉立刘海燕赵树民刘立全邵娜王晓菲王娜
- 该课题通过对相对论热力学的理论研究。证明了四维引导力的类时特性，导出了与常规驱动力不同的类时引导力的准确表达式。在Ott(1963)原始模型的框架下得到普朗克-爱因斯坦的结果。还进一步研究了匀角速转盘上的Ott循环，除给...
- 关键词：
- 关键词：相对论热力学
- 铅基铁电薄膜与半导体硅的集成研究及应用
- 刘保亭边芳赵庆勋郭建新李晓红周阳邓泽超闫正王英龙郭庆林
- 本项目以铁电器件与半导体硅的集成作为研究对象，采用磁控溅射法在硅基片上制备金属间化合物薄膜，采用现代分析手段研究了薄膜的微结构、形貌、组分、输运性质和抗氧化能力，进而以金属间化合物薄膜为阻挡层，构架了硅基铁电薄膜电容器，...
- 关键词：
- 关键词：半导体硅
- 高介电栅介质ZrO_2薄膜的物理电学性能被引量：2
- 2009年
- 采用脉冲激光沉积方法在Si衬底上沉积了ZrO2栅介质薄膜,X射线衍射分析表明该薄膜经过450℃退火后低介电界面层得到抑制,仍然保持非晶状态;电学测试显示10 nm厚ZrO2薄膜的等效厚度为3.15 nm,介电常数12.38,满足新型高介电栅介质的要求,在-1 V偏压下Al/ZrO2/Si/Al电容器的漏电流密度为1.1×10-4A/cm2.
- 武德起姚金城赵红生常爱民李锋周阳
- 关键词：ZRO2薄膜漏电流
- 脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒尺寸均匀性研究
- 王英龙赵树民褚立志周阳邓泽超王晓菲傅广生
- “脉冲激光烧蚀沉积纳米Si晶粒尺寸均匀性研究”系河北省自然科学基金重点资助项目(项目编号：E2005000129)。经课题组自2005年至2007年三年的研究，现已完成该项目的各项研究内容，取得了预期的研究成果。得到了一...
- 关键词：
- 关键词：脉冲激光纳米SI晶粒尺寸均匀性
- 缓冲气体对激光烧蚀制备掺Er纳米Si晶薄膜结构特性的影响被引量：1
- 2007年
- 采用XeCl脉冲准分子激光器,保持激光脉冲比为1∶3,分时烧蚀Er靶和高阻抗单晶Si靶,在10 Pa的Ne气环境下沉积了掺Er非晶Si薄膜.在氮气保护下,分别在1 000℃,1 050℃和1 100℃温度下进行30 min热退火处理.对所得样品的Raman谱测量证实,随着退火温度的升高,薄膜的晶化程度提高;利用扫描电子显微镜观测了所制备的掺Er纳米Si晶薄膜的表面形貌,并与相同实验参数、真空环境下烧蚀并经热退火的结果进行了比较.结果表明,Ne气的引入,使形成轮廓明显的掺Er纳米Si晶粒的退火温度降低,有利于尺寸均匀的晶粒的形成.
- 周阳刘云山褚立志段平光邓泽超庞学霞王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀RAMAN谱
- 氩环境气压对激光烧蚀沉积纳米硅薄膜形貌的影响
- 2005年
- 采用脉冲激光烧蚀技术在氩气环境下制备了纳米硅薄膜,研究了环境气体压强对纳米硅薄膜表面形貌的影响.结果表明,当环境气压小于50Pa时,薄膜表现为常规的量子点镶嵌结构;当环境气压大于50Pa时,薄膜中出现类网状的絮结构,继续增大氩气压,絮结构逐渐增大,且其隙度增大.指出该现象与在激光烧蚀过程中纳米硅团簇的形成过程有关.
- 闫常瑜周阳褚立志武德起王晓菲王英龙
- 关键词：脉冲激光烧蚀纳米硅形貌
- 纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料和制备方法
- 本发明公开了一种纳米结构多功能铁磁复合薄膜材料及其制备方法，其制备采用磁控脉冲激光共溅射方法实现，本发明磁控脉冲激光共溅射装置的激光靶位选用纯度>99.95%的La<Sub>x</Sub>N<Sub>1-x</Su...
- 刘保亭贾艳丽闫启庚施健李晓红代秀红郭建新周阳赵庆勋
- 文献传递
- 硅基纳米微粒的脉冲激光烧蚀沉积机理及其光电特性的研究
- 傅广生韩理彭英才王英龙周阳褚立志
- 该项目在不同环境下，实验研究了纳米Si薄膜的生长率和粗糙度，首次采用激波理论解释了实验得到了AR气环境比He气环境下制备的纳米薄膜Si晶粒尺寸更均匀的结果，首次获得了半宽度几十纳米的纳米硅发光谱特性，首次实现了PLA制备...
- 关键词：
- 关键词：激光晶化纳米硅薄膜
- 珙县苗族蜡染的技艺传承与创新实践
- 周阳
