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叶翠

作品数:3 被引量:9H指数:2
供职机构:贵州大学材料与冶金学院更多>>
发文基金:贵州省工业攻关项目国家科技部科技人员服务企业行动项目贵阳市科学技术计划项目更多>>
相关领域:金属学及工艺电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇时效
  • 2篇析出物
  • 2篇显微组织
  • 2篇CLAM钢
  • 1篇电性能
  • 1篇电压
  • 1篇压敏
  • 1篇压敏电压
  • 1篇压敏陶瓷
  • 1篇暂态
  • 1篇暂态过电压
  • 1篇时效过程
  • 1篇陶瓷
  • 1篇高阻
  • 1篇过电压
  • 1篇ZNO
  • 1篇ZNO压敏陶...
  • 1篇长期时效

机构

  • 3篇贵州大学
  • 2篇贵州省材料结...
  • 1篇贵阳高新益舸...

作者

  • 3篇叶翠
  • 2篇赵飞
  • 2篇罗敏
  • 1篇庞驰
  • 1篇严琰
  • 1篇李妮
  • 1篇刘燕
  • 1篇任永海

传媒

  • 1篇热加工工艺
  • 1篇材料导报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
500℃长期时效对CLAM钢显微组织的影响被引量:2
2012年
采用金相显微镜、透射电镜对中国低活化马氏体钢(CLAM)在500℃长期时效过程中的显微组织变化规律进行研究。结果表明,随着时效时间的延长,金相组织和晶粒尺寸均没有发生明显变化;马氏体板条随着保温时间的延长几乎没有变化,经过1000h时效后宽度仍然保持了时效前的约400nm。析出物发生了一定程度的长大,经过1000h时效后析出物最大尺寸约为160nm。
赵飞任永海罗敏叶翠李妮刘燕
关键词:显微组织时效析出物
侧面高阻釉对ZnO压敏防雷芯片电性能的影响被引量:3
2013年
为了抑制压敏防雷芯片边缘低熔点元素在烧结过程中的挥发,在芯片侧面涂覆不同配方高阻釉,研究其对压敏防雷芯片电性能的影响。结果表明:涂覆了高阻釉的芯片组分均匀性得以提高、缺陷减少,样品的8/20μs大电流耐受能力提高;在1 000 mA工频电流作用下,芯片的熔穿点位于芯片中部铜电极区,利于热脱离机构动作,从而提高芯片的暂态过电压耐受能力。
庞驰叶翠费自豪张雷
关键词:ZNO压敏陶瓷电性能压敏电压暂态过电压
CLAM钢在600℃长期时效过程中的组织演化被引量:5
2012年
采用金相显微镜、透射电镜对中国低活化马氏体钢(CLAM)在600℃长期时效过程中的显微组织演变规律进行研究。结果表明,随时效时间的延长晶粒发生了一定粗化,晶粒尺寸由时效前约8μm增加到10μm(1000 h时效),金相显微组织没有发生明显变化;马氏体板条随保温时间的延长而增大,宽度由时效前的约400 nm增加到约700 nm(1000 h时效)。析出物发生了明显粗化,经过1000 h时效后最大尺寸约为200 nm。
赵飞严琰罗敏叶翠
关键词:显微组织时效析出物
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