史济群
- 作品数：14 被引量：47H指数：4
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电气工程电子电信理学更多>>
- 空间用高效率硅太阳电池被引量：2
- 1992年
- 本文阐述空间用高效率PESC硅太阳电池的理论设计和工艺实验研究.将电池设计为浅结密栅,在前表面热生长一超薄SiO_2钝化层,并制作了双层减反射膜,使电池的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大改进.在AM1.5光照条件下,短路电流密度高达37.4 mA/cm^2,光电转换效率达到18.03%.
- 史济群马稚尧谢基凡王宇
- 关键词：太阳电池钝化发射极硅
- PERL硅太阳电池的性能及结构特点被引量：5
- 1994年
- 报道了ＰＥＲＬ硅太阳电池的研制结果，在ＡＭ１．５、２５℃条件下，电池效率＝２３．７６％。阐述其结构设计上的主要特点，并分析了高性能的机理。
- 史济群
- 关键词：硅太阳能电池
- 电子束法沉积 ITO 透明导电膜的研究被引量：20
- 1998年
- 论述了ＩＴＯ膜的导电机理及生长机理，讨论了电子束加热真空蒸镀ＩＴＯ膜的方法中，膜的组分、氧分压、衬底温度和蒸发速率等几个参数对ＩＴＯ膜光电性能的影响．在选择合适的工艺条件下制备ＩＴＯ膜，电阻率约４×１０－４Ω·ｃｍ，可见光范围内平均透过率高于９０％．
- 史济群周京英马稚尧马洪磊
- 关键词：ITO氧空位
- 激光开槽、埋槽电极硅太阳电池被引量：2
- 1994年
- 报道一种新颖的激光开槽、埋槽电极硅太阳电池的结构、工艺流程及其研制结果。在ＡＭ１．５，２５℃，１００ｍＷ／ｃｍ２的条件下，以面积为４５ｃｍ３的３６片硅片研制的硅太阳电池的输出参数的平均值为ＪＳＣ＝３６．１ｍＡ／ｃｍ２，Ｖ∞＝６３３ｍＶ，Ｆ．Ｆ．＝０．７９８，η＝１８．２３％，最后分析了种高性能硅太阳电池的设计特点。
- 史济群Green,M
- 关键词：太阳能电池硅太阳电池
- 太阳电池V－I特性测试仪的温控装置被引量：1
- 1996年
- 从太阳电池测试装置出发，从理论上结合温度对太阳电池性能的影响，分析了不同方案，确立了以半导体制冷器和热敏电阻为核心的温控装置，阐述了半导体致冷器温控装置的电路原理，并给出了实验装置图和实验结果．指出了该装置的优点．
- 欧海燕史济群马稚尧李宁
- 关键词：半导体致冷器热敏电阻温控装置
- PESC电池扩散工艺的改进及分析被引量：1
- 1991年
- 由于硅单晶质量的提高及背表面场和减反射膜技术的应用,电池的短路电流已接近理论极限值,因此其性能的改进就取决于发射区的优化.本文论述了一种改进的扩散工艺——二次扩散工艺.其主要特点是提高氧化温度,利用氧化过程的高温改善发射区杂质分布,从而减少“死层”的影响.文中分析并计算了二次扩散(氧化)后的杂质分布和结深的变化,并讨论了二次扩散对发射区少于复合的影响及工艺条件对发射区各参数的影响.
- 王宇史济群马稚尧谢基凡
- 关键词：硅单晶
- 射频磁控溅射法制备(Ba_(0.7)Sr_(0.3))TiO_3铁电薄膜被引量：3
- 2001年
- 采用射频磁控溅射法制备了用于非致冷红外焦平面阵列的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3( BST)铁电薄膜。研究了BST铁电薄膜的制备工艺 ,分析了 BST铁电薄膜的晶体结构和微观形貌。测试了其介电特性 ,测得的相对介电常数 -温度曲线表明制备的 ( Ba0 .7Sr0 .3) Ti O3铁电薄膜的居里温度在室温附近 ,约 3 0°C处。
- 刘世建徐重阳曾祥斌赵伯芳王长安史济群
- 关键词：射频磁控溅射法BST铁电薄膜红外焦平面阵列
- 钝化发射极、背面定域扩散高效硅太阳电池被引量：6
- 1994年
- 报道了钝化发射极、背面定域扩散高效率硅太阳电池的研制结果。阐述了电池的工艺制作流程及结构设计特点，并分析其获得高转换效率的机理。由于电池设计及制作中采用了双面钝化，背面进行定域小面积的硼扩散，正面利用“倒金字塔”结构，同时配以谈磷、浓磷分区扩散等手段，使硅太阳电他的开路电压、短路电流和填充因子都得到较大提高，在ＡＭ１．５，２５℃的光照条件下，光电转换效率η＝２３．８％。
- 史济群Green.,M
- 关键词：硅太阳能电池
- 小功率脉冲电镀仪在高效硅太阳电池中的应用
- 1995年
- 研制出用于制备空间硅太阳电池上电极的小功率脉冲电镀仪，该电镀仪脉冲电流的频率和占空比具有效宽的调节范围，满足高效率硅太阳电地脉冲电镀的要求。与国内、外普遍采用的真空蒸镀硅太阳电池上电极相比较，脉冲电镀可以制备更窄的栅指电极，电池上电极的遮光损失从７％～９％降低到３％。
- 李宁史济群欧海燕马稚尧
- 关键词：硅太阳能电池电镀
- 非致冷红外焦平面阵列探测单元的制备被引量：1
- 2002年
- 采用sol-gel方法制备出BaxSr1-xTiO3(BST)薄膜,并优化工艺提高其介温变化率最大可达6%。通过半导体光刻工艺,刻蚀出BST探测单元,较好的解决了UFPA技术中的探测单元制备问题。设计了初级信号处理电路,并用Protel进行了电路模拟,所得信号可以应用于进一步的信号处理。
- 张五星徐重阳王长安史济群周雪梅
- 关键词：非致冷红外焦平面阵列UFPA介电常数信号处理
