刘洪军
- 作品数：10 被引量：23H指数：4
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 相关领域：电子电信电气工程更多>>
- 1.2~1.4GHz 600W硅LDMOS微波功率晶体管研制被引量：4
- 2016年
- 针对雷达、通信、遥控遥测等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,基于南京电子器件研究所LDMOS技术平台,优化了版图布局、芯片结构,开发了50VL波段600 W硅LDMOS。该器件耐压大于115V,在50V工作电压、1.2~1.4GHz工作频率、300μs脉宽,10%占空比及15 W输入功率的工作条件下,输出功率大于630 W,增益大于16.3dB,漏极效率大于53.1%。所研制的芯片已进入相关工程应用。
- 应贤炜王建浩王佃利刘洪军严德圣顾晓春
- 关键词：L波段微波功率晶体管
- S波段200 W硅LDMOS功率管研制被引量：1
- 2019年
- 研制了具有高频高增益特性的硅LDMOS芯片,采用0.35μm精细栅实现高频率性能,CoSi2/PolySi栅工艺技术降低电阻,Ti/W金属场板优化漂移区电场分布降低反馈电容,并采用等平面工艺技术提高芯片一致性。采取参数仿真优化内匹配设计,并通过多个LDMOS芯片合成实现大功率输出。最终实现的S波段大功率硅LDMOS器件性能为:在32 V工作电压,3.1~3.5 GHz频带内,300μs脉宽,15%占空比的工作条件下,输出功率大于200 W,增益大于9 dB,效率大于42%。
- 刘洪军赵杨杨鞠久贵杨兴王佃利杨勇
- 关键词：S波段功率管
- 千瓦级LDMOS大功率器件研制被引量：3
- 2014年
- 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。
- 王佃利李相光严德圣应贤炜丁晓明梅海刘洪军蒋幼泉
- 关键词：LDMOS千瓦级散热设计场板结构
- 硅LDMOS射频功率器件的发展历程与趋势被引量：8
- 2011年
- 从芯片结构的变化以及可靠性的提升角度简述了LDMOS射频功率器件的发展历程及趋势,给出了LD-MOS的最新研制结果。现在LDMOS射频功率器件在向高工作电压、高输出功率、高可靠以及脉冲应用等方向发展。
- 王佃利刘洪军吕勇严德圣盛国兴王因生蒋幼泉
- 关键词：硅射频功率
- 大功率射频Si-VDMOS功率晶体管研制
- 2024年
- 介绍了大功率射频硅-垂直双扩散金属氧化物场效应晶体管(Si-VDMOS)的研制结果,采用栅分离降低反馈电容技术、多子胞降低源极电感技术等,从芯片原理着手,比较分析两种芯片结构设计对反馈电容的影响,以及两种布局引线对源极电感的影响,并研制出了百瓦级以上大功率射频Si-VDMOS功率晶体管系列产品。产品主要性能如下:在工作电压28 V及连续波下,采用8胞合成时,225 MHz输出功率达200 W以上,500 MHz输出功率达150 W以上;进一步增加子胞数量,采用12胞合成时,225 MHz输出功率达300 W以上,同时具备良好的增益及效率特性,与国外大功率射频Si-VDMOS功率晶体管的产品参数相比,达到了同类产品水平。
- 刘洪军王琪赵杨杨王佃利杨勇
- 关键词：大功率射频功率晶体管
- 1．2～1．4GHz370W硅双极型晶体管研制被引量：3
- 2014年
- 通过进一步优化芯片设计与工艺设计，研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下，脉宽150μs，占空比10％，频率1．2～1．4GHz全带内，输出功率可达370W以上，增益达8．7dB，效率大于55％，具有良好的抗失配性能。
- 刘洪军王建浩丁晓明高群冯忠庸安明严德圣蒋幼泉
- 关键词：L波段
- P波段450W硅LDMOS脉冲功率器件的研制被引量：11
- 2011年
- 报道了P波段450 W硅LDMOS器件的研制结果。所研制器件采用沟槽技术实现背面源结构,采用场板技术提高击穿电压并降低栅漏电容,采用多晶硅金属硅化物结构降低栅阻。研制结果表明,在漏源工作电压36 V,脉宽20 ms,占空比35.7%的测试条件下,485～606 MHz全带内输出功率达到450 W,增益大于18 dB,效率大于60%。
- 王佃利李相光严德圣丁小明刘洪军钱伟蒋幼泉王因生
- 关键词：硅脉冲场板
- 硅微波LDMOS功率器件的研制
- 提出了通过ICP槽侧壁扩散和填充多晶硅注入推进相结合实现源与衬底连接的LDMOS器件结构,并利用该结构进行了LDMOS器件研制,获得了初步研制结果.
- 王佃利李相光刘洪军蔡俊傅义珠盛国兴王因生
- 关键词：多晶硅
- 文献传递
- 2000W硅LDMOS微波脉冲大功率晶体管被引量：3
- 2017年
- 针对雷达、等离子体射频源、广播通信等领域对LDMOS大功率器件的迫切需求,通过热仿真优化了芯片版图布局,通过芯片级Load-pull仿真优化了芯片结构,成功开发了50V千瓦级硅LDMOS功率管。该器件耐压大于140V,在50V工作电压、230MHz工作频率、100μs脉宽、20%占空比、18W输入功率的测试条件下,输出功率大于2 000 W,增益大于20.4dB,漏极效率大于66.2%,抗失配通过10∶1。
- 应贤炜王佃利李相光梅海吕勇刘洪军严德圣杨立杰
- 关键词：微波功率晶体管
- 530～650MHz 20W CW Si-VDMOS场效应晶体管被引量：4
- 2009年
- 报道了530-650 MHz 20W连续波Si-VDMOS场效应晶体管的研制结果。该器件采用polySi／WN／Au的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电阻提高器件工作效率，全离子注入自对准工艺等技术，在上述频带内，连续波，28V工作电压下，静态电流50mA，该器件输出功率达20w，效率达49％，增益大于7．5dB。
- 刘洪军傅义珠李相光
- 关键词：连续波
