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刘明焦

作品数：5 被引量：8H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇会议论文
  • 1篇期刊文章
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 3篇SI-GAA...
  • 1篇单晶
  • 1篇性能研究
  • 1篇亚表面损伤层
  • 1篇射线
  • 1篇损伤层
  • 1篇抛光晶片
  • 1篇微区分析
  • 1篇微缺陷
  • 1篇晶片
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体生长
  • 1篇均匀性
  • 1篇SI
  • 1篇SI-GAA...
  • 1篇TEM研究
  • 1篇X射线
  • 1篇DSL
  • 1篇GAAS单晶
  • 1篇沉淀物

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇刘明焦
  • 4篇吴让元
  • 4篇曹福年
  • 3篇何宏家
  • 3篇卜俊鹏
  • 3篇惠峰
  • 3篇白玉珂
  • 1篇林兰英
  • 1篇郑红军

传媒

  • 2篇首届中国功能...
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国有色金属...

年份

  • 1篇2005
  • 1篇1998
  • 1篇1993
  • 2篇1992
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
ＤＳＬ和ＴＥＭ研究Ｓｉ－ＧａＡｓ的微缺陷和微沉淀物
刘明焦曹福年
关键词：微区分析沉淀物
SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入Si,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。Si注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决...
卜俊鹏曹福年白玉珂吴让元惠峰刘明焦何宏家
文献传递
X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：8
1998年
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．
曹福年卜俊鹏吴让元郑红军惠峰白玉珂刘明焦何宏家
关键词：抛光晶片亚表面损伤层
SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性的关系
1前言GaAs超高速集成电路,微波单片集成电路和光电集成是以直接离子注入工艺在SI—Ga As晶片上进行的,因此需要高度完整和均匀的半绝缘砷化镓材料。随着集成度的提高,目前国际上已经对SI—GaAs的微观完整性和均匀性提...
刘明焦曹福年白玉珂惠峰吴让元卜俊鹏何宏家
文献传递
φ76毫米(3in)非掺Si-GaAs单晶(片)
林兰英吴让元刘明焦何宏家等
1、成果内容简介：φ76毫米(3in)非掺Si-GaAs单晶是用液封直拉法(LEC)，不另外掺入杂质，以GaAs晶体内部的缺陷(EL2)与浅受主C补偿机理，形成其半绝缘性。在高压单晶炉内，金属镓和金属砷放于PNB坩埚中，...
关键词：
关键词：晶体生长单晶GAAS单晶
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