刘俊秀
- 作品数：11 被引量：18H指数：3
- 供职机构：沈阳建筑大学更多>>
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- 相关领域：化学工程理学环境科学与工程交通运输工程更多>>
- 一种发光图案可调可控的双电极结构场发射发光管
- 本发明涉及发光与显示技术领域，是一种发光图案可调可控的双电极式场发射发光管及其组装方法。本方法在导电基板上组装一个大高径比的宏观场发射体，发射体表面、局部或全部为碳质纳米管、纳米线、纳米纤维或石墨烯片作为场发射源，周边对...
- 佟钰刘俊秀夏枫张婷曾尤
- 文献传递
- 一种发光图案可调可控的双电极结构场发射发光管
- 本发明涉及发光与显示技术领域，是一种发光图案可调可控的双电极式场发射发光管及其组装方法。本方法在导电基板上组装一个大高径比的宏观场发射体，发射体表面、局部或全部为碳质纳米管、纳米线、纳米纤维或石墨烯片作为场发射源，周边对...
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- 一种用于硼泥固化的直接水热方法
- 本发明涉及一种硼行业废渣硼泥的综合利用方法，具体为一种用于硼泥固化的直接水热转化方法。该方法以硼泥和粉煤灰为基本原料，在160～240℃饱和水蒸气环境中完成硼泥内菱镁石（MgCO<Sub>3</Sub>）向水镁石（Mg(...
- 佟钰刘俊秀夏枫王琳王宝金
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- 一种利用硼泥和粉煤灰合成硅酸镁建材制品的方法
- 本发明公开了一种利用硼泥和粉煤灰合成硅酸镁建材制品的工艺方法工业废渣的综合利用方法。该方法以硼泥和粉煤灰为基本原料，包括硼泥的焙烧活化以及与粉煤灰之间的水热化合反应，首先将硼泥在600~1000℃条件下焙烧活化，然后将焙...
- 佟钰刘俊秀王琳王宝金
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- 水热条件下Mg(OH)_2-石英-水体系反应固化性质研究被引量：6
- 2013年
- 为揭示镁质硅酸盐胶凝体系的水热反应过程及固化性质,本文以氢氧化镁、磨细石英砂和水为原料,系统考察了水热反应温度、时间以及原料配比等工艺参数对试样力学强度的影响规律,并通过扫描电镜和X射线衍射技术手段对产物结构特征及发展机制进行了细致表征。实验表明,水热反应温度200℃、反应时间6 h、Mg(OH)2掺量40wt%条件下对纤蛇纹石产物的形成最为有利,样品力学强度最高。研究结果可增进对Mg(OH)2-石英-水体系水热反应机制的理解,有助于高性能镁质胶凝材料的研发,还可用于低品位镁矿、硼泥等含镁工业废弃物的综合回收利用等。
- 刘俊秀佟钰夏枫谢友燃王宝金王晴
- 关键词：镁质胶凝材料水热反应纤蛇纹石
- 低品位硅藻土的水热固化过程及其力学性能研究被引量：8
- 2013年
- 以低品位硅藻土、氢氧化钙和水为主要原料,系统考察了焙烧活化制度、原料配比、水热反应条件、成型压力等工艺条件,对硅藻土水热固化体力学强度和微观结构的影响规律,并对其作用机制进行细致讨论。实验通过硅藻土的焙烧活化以及反应配比和水热反应参数的优化,控制形成结晶性水化硅酸钙即托勃莫来石相,所获样品具有轻质高强性能特征。研究结果可用于低品位硅藻土的强化固化,并将其转化为具有较高经济价值的建材制品,满足当前市场对高防火性无机建筑保温材料的迫切需求。
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- 关键词：硅藻土力学性能托勃莫来石
- 一种用于硼泥固化的直接水热方法
- 本发明涉及一种硼行业废渣硼泥的综合利用方法，具体为一种用于硼泥固化的直接水热转化方法。该方法以硼泥和粉煤灰为基本原料，在160~240℃饱和水蒸气环境中完成硼泥内菱镁石（MgCO<Sub>3</Sub>）向水镁石（Mg(...
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- 硼泥的水热固化过程及其力学性能研究
- 硼泥是硼化工领域采用湿法化学工艺从硼镁矿或硼铁矿提炼硼砂后所残留的工业废渣,其主要矿物组成为菱镁石(MgCO3)和镁橄榄石(2MgO·SiO2)。作为我国最主要的硼产业基地,辽宁省每年排放硼泥约100万吨,其中只有30%...
- 刘俊秀
- 关键词：硼泥纤蛇纹石力学性能
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- 硼泥的水热固化机理与抗压强度被引量：4
- 2015年
- 为实现硼泥(boron mud,BM)的无害化处理与资源化利用,将硼泥在适当温度进行焙烧活化后,引入适量粉煤灰和水,在水热反应条件下固化为具有较高力学强度的块状制品,系统考察了焙烧条件、原料配比、水热反应温度与时间等工艺参数对硼泥固化体力学强度的影响规律。X射线衍射和扫描电镜形貌观察表明,高碱性水化硅酸镁即纤蛇纹石相的生成与聚集是硼泥固化强化的根本原因,相应适宜反应条件建议为:焙烧温度850℃、时间0.5 h;粉煤灰掺量按质量百分比计为40%,用水量则为15%;水热反应温度200℃、时间6 h。研究结果对硼泥、低品位菱镁矿、白云石等含镁固体废弃物的回收利用具有一定理论指导意义和应用价值。
- 佟钰刘俊秀夏枫王琳王宝金
- 介电体围绕下绳束状碳纳米管的场发射特性(英文)被引量：2
- 2013年
- 在周边环绕玻璃薄片介电体的作用下,绳束状碳纳米管宏观体的场发射电流发生异常跃迁,同时伴随有场发射电子光斑的横向扩展,导致跃迁后的场发射电流明显高于正常情况。所有观察到的现象均与介电体存在下的电场重新分布和电子轨迹偏离有关。理论分析及随后的场发射测试检验了介电体几何尺寸、间距、介电常数等因素对场发射I-V性能的影响。研究结果提供了一种控制Spindt型场发射体电子发射性能的新的可行途径。
- 高见佟钰夏枫刘俊秀曾尤
- 关键词：碳纳米管场发射电子轨迹介电体
