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冯文
作品数:
8
被引量:1
H指数:1
供职机构:
中国科学院半导体研究所
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发文基金:
国家自然科学基金
国家重点基础研究发展计划
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相关领域:
电子电信
理学
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合作作者
王圩
中国科学院半导体研究所
朱洪亮
中国科学院半导体研究所
赵玲娟
中国科学院半导体研究所
潘教青
中国科学院半导体研究所
周帆
中国科学院半导体研究所
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1篇
2006
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2005
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吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法
一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法,包括如下步骤:在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜;在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶;将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模;以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽,刻蚀二...
冯文
王宝军
潘教青
赵玲娟
朱洪亮
王圩
文献传递
窄条选区外延技术研制AlGaInAs MQW DFB BH激光器
窄条选区外延(NSAG)技术不仅可以通过改变掩模图形来控制材料的厚度和组份,而且可以通过材料生长自动形成三维波导。NSAG技术有望解决AlGaInAs材料在器件制作过程中的氧化问题,使AlGaInAs材料在光子器件制作中...
冯文
吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法
一种吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法,包括如下步骤:在外延衬底上大面积沉积一层氧化物介质薄膜;再在外延片上涂一层光刻胶;曝光并显影,得到氧化物介质的布拉格光栅掩模;对半导体化合物进行刻蚀,在外延片上得到布拉格光...
冯文
王宝军
潘教青
赵玲娟
朱洪亮
王圩
文献传递
采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布
被引量:1
2007年
设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦合效率.
杨华
朱洪亮
潘教青
冯文
谢红云
周帆
安欣
边静
赵玲娟
陈娓兮
王圩
关键词:
光场分布
半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成(英文)
2005年
报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.
侯廉平
王圩
冯文
朱洪亮
周帆
王鲁峰
边静
关键词:
半导体激光器
电吸收调制器
模斑转换器
光电子集成
光耦合
窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
本发明属于光电子技术领域,一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为:在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅;采用窄条选择外延生长...
冯文
潘教青
赵玲娟
朱洪亮
王圩
文献传递
窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
本发明属于光电子技术领域,一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为:在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅;采用窄条选择外延生长...
冯文
潘教青
赵玲娟
朱洪亮
王圩
文献传递
掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法
一种掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底上大面积制作吸收型增益耦合光栅;(2)利用等离子体化学气相沉积技术,在外延片上生长介质膜,采用光刻腐蚀技术,制作介质掩模图形;(3)利用...
冯文
潘教青
周帆
王宝军
赵玲娟
朱洪亮
王圩
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