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冯文

作品数:8 被引量:1H指数:1
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 6篇激光
  • 6篇激光器
  • 3篇增益耦合
  • 3篇铟镓砷
  • 3篇
  • 2篇电吸收
  • 2篇电吸收调制
  • 2篇电吸收调制器
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇外延片
  • 2篇脊波导
  • 2篇反馈激光器
  • 2篇分布反馈激光...
  • 2篇盖层
  • 2篇
  • 2篇
  • 2篇波导
  • 1篇单片
  • 1篇单片集成

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇冯文
  • 7篇朱洪亮
  • 7篇王圩
  • 6篇潘教青
  • 6篇赵玲娟
  • 3篇王宝军
  • 3篇周帆
  • 2篇边静
  • 1篇王鲁峰
  • 1篇侯廉平
  • 1篇陈娓兮
  • 1篇谢红云
  • 1篇安欣
  • 1篇杨华

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2009
  • 2篇2008
  • 3篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法
一种吸收型增益耦合分布反馈激光器的制作方法,包括如下步骤:在砷化镓或磷化铟衬底上大面积沉积一层二氧化硅薄膜;在二氧化硅薄膜上涂一层光刻胶;将光刻胶曝光并显影得到光刻胶布拉格光栅掩模;以光刻胶布拉格光栅掩模充当掩蔽,刻蚀二...
冯文王宝军潘教青赵玲娟朱洪亮王圩
文献传递
窄条选区外延技术研制AlGaInAs MQW DFB BH激光器
窄条选区外延(NSAG)技术不仅可以通过改变掩模图形来控制材料的厚度和组份,而且可以通过材料生长自动形成三维波导。NSAG技术有望解决AlGaInAs材料在器件制作过程中的氧化问题,使AlGaInAs材料在光子器件制作中...
冯文
吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法
一种吸收型增益耦合分布反馈布拉格光栅的制作方法,包括如下步骤:在外延衬底上大面积沉积一层氧化物介质薄膜;再在外延片上涂一层光刻胶;曝光并显影,得到氧化物介质的布拉格光栅掩模;对半导体化合物进行刻蚀,在外延片上得到布拉格光...
冯文王宝军潘教青赵玲娟朱洪亮王圩
文献传递
采用单边大光腔结构改善电吸收调制器的光场分布被引量:1
2007年
设计并制备了具有单边大光腔结构的半导体电吸收(electroabsorption,EA)调制器.模拟和测试的结果均表明:单边大光腔结构能有效地改善EA调制器的光场分布,使椭圆形的近场光斑变得圆形化,从而达到与圆形模式光纤之间的匹配,有利于提高耦合效率.
杨华朱洪亮潘教青冯文谢红云周帆安欣边静赵玲娟陈娓兮王圩
关键词:光场分布
半导体激光器电吸收调制器和双波导模斑转换器的单片集成(英文)
2005年
报道了1.6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件.该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑制比达25.6dB),3dB调制带宽为15GHz,直流消光比为16.2dB,远场发散角为7.3°×18.0°,和单模光纤的耦合效率达3.0dB.
侯廉平王圩冯文朱洪亮周帆王鲁峰边静
关键词:半导体激光器电吸收调制器模斑转换器光电子集成光耦合
窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
本发明属于光电子技术领域,一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为:在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅;采用窄条选择外延生长...
冯文潘教青赵玲娟朱洪亮王圩
文献传递
窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法
本发明属于光电子技术领域,一种采用窄条选择外延生长技术制作铝铟镓砷(AlInGaAs)材料掩埋脊波导结构(BRS)分布反馈无致冷高速直调激光器的方法。关键技术为:在铟磷(InP)衬底上制作吸收型光栅;采用窄条选择外延生长...
冯文潘教青赵玲娟朱洪亮王圩
文献传递
掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法
一种掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在衬底上大面积制作吸收型增益耦合光栅;(2)利用等离子体化学气相沉积技术,在外延片上生长介质膜,采用光刻腐蚀技术,制作介质掩模图形;(3)利用...
冯文潘教青周帆王宝军赵玲娟朱洪亮王圩
文献传递
共1页<1>
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