兰林峰
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
- 供职机构：华南理工大学材料科学与工程学院特种功能材料教育部重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 第VI族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究
- 2008年
- 采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线。高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长。结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备了硒、碲纳米线场效应晶体管器件(FET)。对器件测试的结果显示:硒和碲纳米线均为p型半导体,其相应的空穴迁移率分别为30.7,70cm2V-1s-1。这对新型纳米线电子学器件的开发应用具有重要意义。
- 覃东欢刘红梅陶洪兰林峰陈军武曹镛
- 关键词：纳米线场效应晶体管
- 三方晶硒纳米线的大面积合成及其场效应晶体管特性被引量：1
- 2008年
- 采用液相反应成功制备了高质量硒纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米的形貌结构特征。结果表明,硒纳米线为单晶结构,生长方向沿[001]面,平行于螺旋轴。结合光刻技术及磁控溅射镀膜技术,成功制备了硒纳米线场效应晶体管器件。初步测试表明,这种硒纳米线为p型半导体。
- 赵云陶洪兰林峰覃东欢曹镛
- 关键词：光刻场效应晶体管
- 第Ⅵ族元素半导体纳米线的可控合成及其纳米电子学器件研究
- 采用化学液相反应,以亚硒酸或者原碲酸为原料,合成出尺寸均匀、高结晶度的硒、碲纳米线.高分辨电镜分析结果表明:合成的硒、碲纳米线均为三方晶单晶结构,生长方向沿其螺旋轴即[001]方向生长.结合光刻、电子束刻蚀技术,分别制备...
- 覃东欢刘红梅陶洪兰林峰陈军武曹镛
- 关键词：场效应晶体管单晶结构P型半导体
- 文献传递
- Se及Cu_2Se纳米线的大面积合成及其纳米电子学器件性能被引量：1
- 2008年
- 通过液相化学反应制备了高质量硒(Se)纳米线,同时以Se纳米线为模板,合成了Cu2Se纳米线。利用透射电镜(TEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及X射线衍射仪(XRD)研究了纳米线的形貌结构特征。结果显示,Se纳米线为单晶结构,生长方向沿其[001]面。结合先进的光刻技术及磁控溅射,成功制备了Se和Cu2Se纳米电子学器件。初步测试表明,这种Se纳米线为p型半导体,而Cu2Se纳米线则表现出明显的相变行为。这些发现有利于开发纳米线场效应晶体管以及相变存储器件方面的应用。
- 赵云覃东欢陶洪兰林峰Keith Chan
- 关键词：SE纳米线
