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于瀛大

作品数:25 被引量:35H指数:4
供职机构:中国科学院金属研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金辽宁省博士科研启动基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术理学电子电信更多>>

文献类型

  • 16篇期刊文章
  • 4篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 11篇金属学及工艺
  • 5篇一般工业技术
  • 4篇理学
  • 2篇化学工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇天文地球

主题

  • 5篇
  • 4篇纳米
  • 3篇电镜
  • 3篇氧化镧
  • 3篇原子
  • 3篇碳管
  • 3篇显微结构
  • 3篇纳米碳
  • 3篇纳米碳管
  • 3篇LA
  • 3篇超微粒
  • 3篇超微粒子
  • 2篇电镜研究
  • 2篇电子束
  • 2篇电子显微镜
  • 2篇电子显微术
  • 2篇原位生成
  • 2篇热解
  • 2篇显微镜
  • 2篇硫原子

机构

  • 24篇中国科学院金...
  • 3篇中国科学院
  • 1篇哈尔滨工业大...
  • 1篇华南理工大学
  • 1篇中国科学院山...

作者

  • 25篇于瀛大
  • 10篇关若男
  • 8篇李日升
  • 8篇徐淑华
  • 4篇李斗星
  • 3篇梁勇
  • 3篇彭晓
  • 3篇李亚利
  • 3篇兰建章
  • 2篇孟祥敏
  • 2篇戴吉岩
  • 2篇王绍青
  • 2篇王岩国
  • 2篇郭可信
  • 2篇李铁藩
  • 2篇叶恒强
  • 2篇谢天生
  • 1篇戴丽珍
  • 1篇平德海
  • 1篇顾永达

传媒

  • 7篇电子显微学报
  • 2篇矿物学报
  • 2篇第七次全国电...
  • 1篇科学通报
  • 1篇燃料化学学报
  • 1篇金属学报
  • 1篇物理测试
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇中国腐蚀与防...
  • 1篇材料科学进展
  • 1篇’94秋季中...

年份

  • 2篇2000
  • 4篇1998
  • 3篇1997
  • 3篇1996
  • 1篇1995
  • 2篇1994
  • 6篇1993
  • 1篇1992
  • 3篇1990
25 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金属初期硫化物的高分辨电镜研究
于瀛大
弥散La_2O_3质点的NiAl型复合涂层氧化行为的HREM研究被引量:5
1992年
首次用高分辨电子显微镜(HREM)对Ni-La_2O_3复合镀——扩散渗铝涂层氧化前后的精细结构进行了研究。发现NiAl相中含有纳米级的La_2O_3质点,Al_2O_3层中“嵌”入La_2O_3微粒(直径<50nm);氧化物层涂层界面存在过渡相。由此认为La_2O_3质点通过影响Al_2O_3层的生长机制而改善涂层的抗氧化性能。
李铁藩于瀛大彭晓徐淑华马信清关若男李日升
关键词:氧化镧NIALHREM
La_2O_3弥散强化的扩散渗铝涂层的氧化行为研究被引量:7
1993年
复合镀Ni-La_2O_3扩散渗铝制备的La_2O_3弥散强化的NiAl型复合涂层,在1273K氧化20h,比单镀镍渗铝的NiAl型涂层的氧化增重速率低;扫描电镜研究表明,NiAl型涂层掺入La_2O_3质点后,表面氧化物层形貌明显改观;高分辨电子显微镜观测复合涂层氧化物层的精细结构,发现纳米级的La_2O_3颗粒(10~40nm)掺入α-Al_2O_3氧化物层。La_2O_3质点通过影响氧化层的显微结构而改变氧化膜生长的传质行为,改善了涂层的抗氧化性能。
彭晓李铁藩于瀛大徐淑华关若男李日升
关键词:弥散强化渗铝涂层氧化镧
电子束辐照下铜氧化现象的电镜研究被引量:1
1995年
用电子显微镜中的电子束对铜超微粒子和铜的薄膜样品进行了连续的照射和跟踪观察,结果表明,电子束不仅使铜超微粒子与镜筒中的气氛发生了氧化反应,而且使铜薄膜样品也发生了氧化反应,反应的途径都是:铜的表面首先生成一层很厚的类非晶膜,接着类非晶膜在电子束的进一步照射下再转变为铜的晶态氧化物。本文的结果进一步证实了类非晶膜在铜的氧化过程中实质上是起着一种氧化的“先驱态”作用的结论。
徐淑华关若男于瀛大李日升
关键词:电子束辐照
硫化亚铜中硫原子的高分辨观察
我们利用高分辨电子显微术,曾对CuO中氧原子的成象规律进行了研究,并利用这种规律研究了一系列初期氧化物中氧原子位置。本文将讨论已知结构的CuS晶体的高分辨观察结果及硫原子成象问题,以作为用HREM研究金属初期硫化产物的一...
于瀛大关若男郭可信桥本初次郎
文献传递
高分辨电子显微像的定量分析与应用II.InGaAs/GaAs应变层超晶格的高分辨像定量分析被引量:1
1998年
使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术,对外延生长的GaAs/InxGa1-xAs应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析。用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系。使用像点定位及畸变测量的分析方法,获得了晶格畸变位移分布图及畸变沿生长方向的分布曲线,扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩,得到了仅由In元素分布导致的点阵参数变化曲线。由晶格参数与In元素含量的线性对应关系,获得了超晶格中In元素沿生长方向的分布曲线。
兰建章王绍青孟祥敏于瀛大谢天生李斗星
关键词:电子显微镜应变层超晶格半导体材料
电子束作用下铜超微粒子氧化还原过程的观察
射线的辐照引起材料发生何种反应,材料的结构如何变化,在材料科学中愈来愈引起了广泛的兴趣。另外,电子显微镜的观察是在电子束照射样品下进行的,这种照射到底会引起材料发生什么反应,也是电镜工作者所关心的。前人用电子显微镜观察了...
徐淑华关若男于瀛大李日升
文献传递
任意晶系中非180°取向畴的矩阵分析
1996年
利用线性变换的方法,推导出三斜晶系中绕任意方向旋转任意角度的空间点阵基矢间的变换矩阵,给出了变换矩阵在四方晶系中的表达式并分析了ZrO2中的两种取向畴。
王岩国于瀛大戴吉岩
关键词:矩阵分析晶系晶体
PbO中层错及共生氧化物的电子显微术研究
1996年
在含于磁铁矿中的四方对称结构氧化铅中观察到柏格斯夫最为2/11(310)的{110}层错。这些层错平行排列并相互交截、穿插形成沿(100)方向的调制结构,调制波的平均波长约为100nm;同时,由多相共生区域的选区电子衍射图测定了磁铁矿中四方和正交氧化铅及方铁矿的取向关系。
王岩国郭九皋于瀛大
关键词:氧化铅层错调制结构透射电子显微术
纳米碳管制备新技术——固相热解法被引量:10
1997年
纳米碳管是近几年继富勒球之后科学界的又一重大发现,其独特的一维纳米管嵌套结构使其表现出众多独特的力学和物化性能,如高强度、熔体毛细吸附效应和微电场发射等,显示出诱人的结构和功能应用前景,目前深受物理和材料学界的关注。有关纳米碳管的制备是该领域的研究热点之一。 自Iijima于1991年发现电弧放电产物中的纳米管碳结构以来,电弧放电法一直为制备纳米碳管的主要方法。其原理为石墨电极在电弧产生的高温下蒸发,在阴极沉积出纳米管。此方法的缺点是:(Ⅰ)高温:电弧温度高达3000~3700℃,常导致碳纳米管烧结;(Ⅱ)不稳定:一次稳定的电弧放电只能持续10s。
李亚利梁勇于瀛大
关键词:碳管纳米碳管富勒烯
共3页<123>
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