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乔建良

作品数：68 被引量：167H指数：8
供职机构：南阳理工学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金河南省教育厅自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>

合作作者

文献类型

  • 56篇期刊文章
  • 7篇专利
  • 2篇学位论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇会议论文

领域

  • 37篇电子电信
  • 14篇理学
  • 9篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 1篇机械工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇交通运输工程

主题

  • 32篇光电
  • 28篇光电阴极
  • 16篇GAN光电阴...
  • 14篇GAN
  • 13篇量子效率
  • 10篇负电子亲和势
  • 10篇NEA
  • 8篇GAAS光电...
  • 6篇光谱响应
  • 5篇掺杂
  • 4篇信号
  • 4篇光电发射
  • 3篇电子技术
  • 3篇电阻
  • 3篇势垒
  • 3篇透射
  • 3篇图像
  • 3篇稳定性
  • 3篇系统设计
  • 3篇教学

机构

  • 46篇南京理工大学
  • 45篇南阳理工学院
  • 7篇重庆大学
  • 2篇东华理工大学
  • 2篇中国科学院
  • 1篇济南大学
  • 1篇西安应用光学...

作者

  • 68篇乔建良
  • 43篇常本康
  • 26篇高有堂
  • 16篇田思
  • 16篇牛军
  • 12篇钱芸生
  • 11篇杨智
  • 10篇徐源
  • 9篇王晓晖
  • 9篇高频
  • 9篇邱亚峰
  • 8篇邹继军
  • 8篇杜晓晴
  • 8篇张益军
  • 5篇黄大勇
  • 4篇富容国
  • 4篇郭向阳
  • 3篇李飙
  • 2篇曾一平
  • 2篇李鉴

传媒

  • 12篇物理学报
  • 5篇红外技术
  • 4篇光学技术
  • 4篇微计算机信息
  • 4篇南阳理工学院...
  • 3篇信息技术
  • 3篇现代电子技术
  • 2篇火力与指挥控...
  • 2篇光学学报
  • 2篇真空科学与技...
  • 1篇科学中国人
  • 1篇半导体技术
  • 1篇Journa...
  • 1篇电子世界
  • 1篇中国激光
  • 1篇仪表技术
  • 1篇光子学报
  • 1篇光谱学与光谱...
  • 1篇仪表技术与传...
  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 1篇2018
  • 4篇2017
  • 1篇2016
  • 1篇2013
  • 7篇2011
  • 9篇2010
  • 11篇2009
  • 8篇2008
  • 9篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2004
  • 4篇2003
  • 3篇2002
  • 1篇2001
共 68 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
NEA GaN光电阴极表面模型研究被引量：5
2009年
针对目前NEAGaN光电阴极研究中Cs激活或Cs/O激活后表面状态的形成过程还不清楚的问题,围绕NEAGaN光电阴极的光电发射机理,结合GaN光电阴极激活过程中出现的现象及成功激活的最终效果,给出了GaN光电阴极铯氧激活后的表面模型[GaN(Mg):Cs]:O-Cs。利用该模型可很好地解释单独用Cs激活时约-1.0eV的有效电子亲和势和Cs/O共同激活时-1.2eV的有效电子亲和势的成因,也较好地解释了表面吸附原子的组合形式,即Cs/O激活后激活层的化学结构由Cs2O2和CsO2构成。
乔建良牛军杨智邹继军常本康
关键词：电子技术
GaN与GaAs NEA光电阴极稳定性的比较被引量：7
2010年
利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,对激活后的反射式GaN及GaAs光电阴极进行了稳定性测试,获得了Cs/O激活一段时间后阴极随时间变化的光谱响应,通过计算得到量子效率曲线。结果表明:激活结束后GaN灵敏度可以在较长时间内保持稳定,而后缓慢衰减。而GaAs光电阴极的光电流随时间近似呈指数衰减。结合阴极表面双偶极层结构以及表面化学成分,分析原因主要是:两种阴极表面进行Cs/O激活后形成的双偶极子的结构不同、衰减过程中双偶极层化学成分变化方式不同决定。GaN光电阴极激活后Cs以复杂氧化物存在,更加稳定,灵敏度的衰减主要是由未分解的氧引起,而GaAs灵敏度下降的原因主要是表面双偶极层中的Cs极易脱附,影响其稳定性。
郭向阳常本康乔建良王晓晖
关键词：光电发射稳定性量子效率
《模拟电子技术》教学改革探索被引量：3
2019年
本文针对《模拟电子技术》这门学科理论知识抽象、实践性强、学生学习理解较困难的特点,分析了目前课程教学中存在的问题,并针对这些问题,提出改革的建议。另外,针对教课过程中真实存在的一些问题,重点对教学手段、理论实验教学方法和课程设计教学内容也提出了相应的建议和改进方法。
王璐子乔建良
关键词：教学手段教学内容实验教学课程设计
指数掺杂GaAs光电阴极分辨力特性分析被引量：2
2009年
通过建立和求解指数掺杂阴极中电子所遵循的二维连续性方程,得到了透射式指数掺杂阴极的调制传递函数表达式,并利用该表达式对阴极分辨力特性进行了理论计算和分析.计算结果显示,与均匀掺杂相比,指数掺杂能较明显地提高阴极的分辨力.当空间频率f在100—400lp/mm范围时,分辨力的提高最为明显,如当f=200lp/mm时,分辨力一般可提高20%—50%.与量子效率的提高相同,指数掺杂阴极分辨力的提高也是内建电场作用的结果.
邹继军常本康杨智张益军乔建良
关键词：内建电场分辨力调制传递函数
反射式变掺杂负电子亲和势GaN光电阴极量子效率研究被引量：1
2017年
从变掺杂负电子亲和势(NEA)Ga N光电阴极材料的光电发射机理入手,给出了反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极内建电场和量子效率的计算公式.利用初步设计的变掺杂NEA Ga N光电阴极,介绍了变掺杂NEA Ga N阴极的激活过程和激活光电流的变化特点.结合国内外典型的变掺杂NEA Ga N阴极的量子效率曲线,分析了Ga N光电阴极量子效率曲线的特点.结果显示:由于内建电场的存在,反射式变掺杂NEA Ga N光电阴极量子效率在240 nm处即可达到56%,在较宽的入射光波长范围内,阴极具有相对平稳的量子效率,量子效率值随入射光子能量的增加而增加,并且量子效率曲线在阈值附近表现出了明显的锐截止特性.
乔建良徐源高有堂牛军常本康
关键词：GAN光电阴极量子效率
负电子亲和势GaN光电阴极激活机理研究被引量：19
2009年
利用自行研制的光电阴极激活评估实验系统,给出了GaN光电阴极Cs激活及Cs/O激活的光电流曲线.针对GaN光电阴极的负电子亲和势(NEA)特性的成因,结合激活过程中光电流变化规律和成功激活后的阴极表面模型,研究了NEAGaN光电阴极激活机理.实验表明:GaN光电阴极在单独导入Cs激活时就可获得明显的NEA特性,Cs/O激活时引入O后光电流的增长幅度不大.用双偶极层模型[GaN(Mg):Cs]:O—Cs较好地解释了激活成功后GaN光电阴极NEA特性的成因.
乔建良田思常本康杜晓晴高频
关键词：负电子亲和势GAN光电流
反射式NEA GaN光电阴极量子效率恢复研究被引量：4
2011年
以反射式NEAGaN光电阴极充分激活、衰减以及补Cs后的量子效率曲线为依据,针对阴极量子效率的衰减规律和补Cs后的恢复状况,论述了NEAGaN光电阴极量子效率的衰减和恢复机理.经过重新Cs化处理,反射式NEAGaN光电阴极量子效率在240nm到300nm的短波区域恢复到激活后最好状态的94%以上,300nm到375nm的长波区域恢复到88%以上.结合反射式NEAGaN光电阴极衰减前后的表面势垒形状和反射式GaN光电阴极量子效率的计算公式,得到了量子效率曲线的衰减规律以及补Cs后的恢复状况与表面势垒形状改变之间的关系.
乔建良常本康钱芸生杜晓晴王晓晖郭向阳
关键词：NEAGAN光电阴极量子效率
GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法
本发明公开了一种GaAs光电阴极退火后表面清洁程度的判断方法。该方法在对GaAs阴极进行激活以前，需要对阴极材料的退火效果进行判断，即对由计算机采集到的高温退火处理和低温退火处理过程中超高真空系统中真空度的变化曲线进行微...
常本康杨智邹继军高频乔建良钱芸生富容国邱亚峰
文献传递
微光夜视瞄准镜检测系统光路分析与设计被引量：2
2007年
基于多环境试验条件下的微光枪瞄检测技术一直是军备生产所关注的问题。由于振动、射击、冲击、跌落和高低温环境等载荷作用下,使微光枪瞄机械、光学和电性能结构及参数发生改变,导致微光枪瞄不能正常工作。为此设计了多环境试验条件下的微光枪瞄检测与测试系统,对测试系统的光路进行了规划,给出了由CCD组成检测系统的工作原理,分析了系统成像的详细过程。通过对平行光管和CCD变焦镜焦距的计算,并结合实际工程应用,其测量精度≤0.05 mil,测量范围≥40 mil,达到项目要求。
高有堂常本康田思邱亚峰乔建良
小型微光视频图像增强处理系统设计
2007年
介绍以FPGA为核心,并使用CPLD对微光视频图像系统进行配置,简化了系统设计,使处理系统硬件更加紧凑,运行更加可靠;文中还给出了系统主要功能模块的实现方法。
田思乔建良常本康
关键词：微光图像FPGA
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