严丽红
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN基功率型LED可靠性分析被引量：1
- 2007年
- 以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35%、驱动电流350mA、连续老化1080h下,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减1.35%和2.56%;对LED的失效机理分析表明,GaN基外延材料质量、芯片的结构设计、p型电极的欧姆接触稳定性等均对LED可靠性有重要的影响.
- 陈宇王良臣伊晓燕王立彬刘志强马龙严丽红
- 关键词：GAN功率型LED可靠性
- PECVD沉积SiO2和SiNx对p-GaN的影响
- 在PECVD沉积SiO2和SiNx掩蔽层过程中,分解等离子体中存在较高浓度的H原子使得Mg-受主钝化和在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的N+v空位,高能量离子轰击造成材料深能级缺陷增多以及沉积形成的SiO2和S...
- 陈宇严丽红王良臣
- 关键词：PECVDSIO2SINXP-GANI-V特性
- 文献传递
- PECVD沉积SiO_2和SiN_X对p-GaN的影响被引量：3
- 2007年
- 在等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积SiO2和SiNX掩蔽层过程中,分解等离子体中浓度较高的H原子使Mg-受主钝化,同时在p-GaN材料表面发生反应形成浅施主特性的NV+空位。高能量离子轰击造成的材料深能级缺陷增多以及沉积形成致密的SiO2和SiNX材料,阻碍了H原子向外扩散,使H原子在Ni/Au电极与p-GaN的界面处聚集,造成p-GaN近表面附近区域Mg-H络合物密度的提高,空穴浓度急剧下降,导致Ni/Au透明电极I-V特性严重恶化。选择较低的射频功率(15W,13.56MHz)沉积模式,经过适当的退火,可以减小沉积SiO2过程对p-GaN的影响。
- 陈宇王良臣严丽红
- 关键词：SIO2SINXP-GANI-V特性
- GaN基功率型LED可靠性分析
- 以GaN基蓝光芯片为基础制备了功率型蓝光和白光LED,在室温25℃、湿度35％、驱动电流350mA连续老化1080小时后,并对LED的失效机理进行分析.结果表明,功率型蓝光和白光LED光衰随时间呈指数变化,分别平均衰减2...
- 陈宇伊晓燕王立彬刘志强马龙王良臣严丽红
- 关键词：功率LED欧姆接触
- 文献传递
