丁小勇
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
- 相关领域：理学自动化与计算机技术更多>>
- 光伏法研究硅单晶表面态真空敏感机理
- 2002年
- 根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面态对真空敏感的实质原因就是由于构成大气主要成份的氮气和氧气两种元素的电子亲和势相对于硅元素 ,具有明显不同的且符号相反的差值 ,导致吸附于硅表面的 N2 、O2
- 颜永美孙宜阳丁小勇周海文
- 关键词：硅单晶
- 应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面
- 2001年
- 提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p 的新方法 .此法基于变温光伏测量 ,采用 (111) p型硅单晶 (NA =1.5× 10 16cm-3 )为实验样品 .由于表面势垒高度ΦBP =0 .5 75 6 V,表面复合速度 sn =4 .8× 10 3 cm . s-1以及表面态密度 Ds=6 .7× 10 11cm -2 . e V-1可由光伏方法测算 ,则表面态俘获截面σon ≈ 5× 10 -13 cm2 与σ-p ≈ 2× 10 -12 cm2 可通过应用Shockley- Read体复合理论于表面而被估算 .
- 丁小勇颜永美
- 关键词：硅单晶半导体
- 半导体表面气体分子吸附机理的光伏研究被引量：1
- 2000年
- 通过对 p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算 ,分析了同一样品处于不同氛围中 ,以及不同导电类型的样品处于同一氛围中的测算结果的变化规律 ,探讨了出现这一规律的内在机理 ,解释了各有关的物理现象 .
- 颜永美孙宜阳丁小勇陈议明
- 关键词：半导体表面气体分子
