雷啸锋
- 作品数：19 被引量：19H指数：3
- 供职机构：清华大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划北京市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程机械工程更多>>
- 桥式RF-MEMS开关材料对开关特性影响研究
- 为了获得高性能RF-MEMS开关,本文对桥式RF-MEMS开关进行深入的静电与力学分析,得到了相关模型与公式,在此基础上讨论了器件几何结构参数、材料的力学和电学特性对开关参数的影响,指出通过改变间距、梁膜厚度,选用高介电...
- 雷啸锋刘泽文李志坚刘理天
- 关键词：RF-MEMS开关
- 文献传递
- 高阻硅上RF-MEMS共面波导设计及测量研究被引量：8
- 2005年
- 设计并实现了基于高阻硅RF MEMS(射频微机电系统)共面波导传输线(CWP), 并测量和分析了不同偏压下的特征阻抗值。利用部分电容法和保角变换法得到的分析公式确定了特征阻抗为50Ω的共面波导的几何结构尺寸,采用MEMS准平面加工工艺在高阻硅衬底上实现了2.5μm厚的金共面波导结构。在施加不同直流偏压的情况下对所设计的共面波导进行了S参数测量。计算了Winkel多项式中所有系数的具体表达式,运用该多项式获得了共面波导的特征阻抗,并与传统的特征阻抗提取方法进行了结果比较。实验数据表明,在中心信号线上施加的直流偏压对S参数的影响很小,而对共面波导特征阻抗的影响较为明显,当施加的直流偏压从0 V变为38 V时,特征阻抗的实部会增加,变化幅度小于1.2Ω,虚部会减小,变化幅度小于0.8Ω。
- 刘泽文宣云雷啸锋李志坚刘理天
- 关键词：共面波导特征阻抗
- 斜拉梁结构的RF-MEMS开关制作研究被引量：3
- 2005年
- 介绍了一种新型斜拉梁结构的电容耦合式开关的制作。该开关的上电极采用斜拉梁支撑结构以提高上电极的平整性和开关整体的可靠性,通过优化开关的结构,将开关的谐振点频率降低到20 GHz附近。制作过程中将平面工艺和垂直喷镀工艺相结合,获得了较厚的共面波导传输线。开关的驱动电压为20 V,在20 GHz下,“开”态插入损耗为1.03 dB,“关”态隔离度为26.5 dB。
- 宣云刘泽文雷啸锋李志坚刘理天
- 关键词：开关射频微机电系统共面波导
- 一种利用螺线圈电感结构调节谐振频率的微机械开关
- 本发明公开了属于微型半导体电子元器件范围的一种利用螺线圈电感结构调节谐振频率的微机械开关。是在硅衬底上依次为热氧化层、下极板、覆盖下极板的氮化硅层、连接上极板和下极板的牺牲层。在上极板两端的螺线圈电感结构连接上电极和共面...
- 刘泽文雷啸锋刘理天李志坚
- 文献传递
- 一种K波段双桥电容式RF MEMS开关的设计与制作被引量：4
- 2005年
- 介绍了一种K波段双桥结构的电容式RFMEMS开关.该开关的结构特点是,以共面波导上的悬空金属膜为双桥结构,并且膜桥的支撑呈折叠弹簧结构.使用AgilentADS软件对该开关进行了设计和优化,结果表明,相比传统电容式单桥开关,该开关隔离度性能得到了很大提高.利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品.双桥开关的在片测试结果表明:驱动电压为19.5V,“开”态的插入损耗约1.6dB@19.6GHz,“关”态的隔离度约46.0dB@19.6GHz.
- 雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
- 关键词：MEMS开关高隔离度
- 一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关
- 本发明公开了属于微型电子元件领域的一种用牺牲层材料做支撑梁的微机械开关。其结构是在衬底的氧化层上面固定下极板、上极板和支撑梁，支撑梁在上下极板之间，上极板的两端，用牺牲层材料层做成。省去了传统微机械开关制作过程中所需的形...
- 刘泽文雷啸锋刘理天李志坚
- 文献传递
- 采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容
- 本发明公开了属于半导体器件范围的一种采用弯曲极板实现高电容值调节范围的微机械可变电容。在高阻硅衬底上覆盖一层热氧化层，其上是厚度为0.15～3.0μm下极板金属层，在中部的下极板上为绝缘介质层，牺牲层将上极板支撑在下极板...
- 刘泽文雷啸锋方杰刘理天李志坚
- 文献传递
- 一种多谐振点的微机械开关
- 本发明公开了属于半导体器件范围的一种多谐振点的微机械开关。在硅衬底上从下至上依次有氧化层、下极板和氮化硅层，牺牲层在氮化硅层上支撑上电极。上电极与地线之间有一个以上金属连接梁，其中至少有一个梁直接接地，其余的非接地梁与地...
- 刘泽文雷啸锋刘理天李志坚
- 文献传递
- 一种X波段RFMEMS开关的设计与制作研究被引量：1
- 2005年
- 设计并制作了一种X波段的电容式RFMEMS开关。该开关在共面波导上的悬空金属膜桥的支撑梁呈螺旋结构,其等效电感值高达134pH,有效降低了”关”态的谐振频率。结合开关的等效电路模型,使用AgilentADS软件以及理论公式计算对该开关进行了设计和优化。与传统桥膜电容式开关相比,所介绍的开关”关”态隔离性能得到了很大提高。利用表面微机械工艺,在高阻硅衬底上制备了开关样品。X波段MEMS开关的在片测试结果表明:驱动电压为9V,“开”态的插入损耗约0.69dB@11.6GHz;“关”态的隔离度约27.7dB@11.6GHz。
- 雷啸锋刘泽文宣云韦嘉李志坚刘理天
- 关键词：MEMS开关X波段高隔离度
- 一种新型三谐振点电容式RF MEMS开关
- 2007年
- 给出了改进的电容式开关等效电路模型以及基于该电路模型的一种新型的多频段工作的电容式RFMEMS开关的设计和制作研究。分析表明，当开关的上电极为多支撑梁结构时，需要对传统的开关等效电路加以改进。利用新型等效电路模型进行模拟发现，通过适当的参数选择，可以获得多谐振点开关。不仅可以在多个频段适用，并且可以适用于较低频段。设计了一种可工作在X波段下的三谐振点电容式RFMEMS开关，并在高阻硅衬底上采用表面微加工工艺制备了开关样品。三谐振点开关的在片测试结果为：驱动电压为7V，“开”态的插入损耗为0．69dB@10．4GHz，“关”态的隔离度为30．8dB@10．4GHz，其微波性能在0～13．5GHz频段下优于类似结构的传统单谐振点开关。
- 雷啸锋刘泽文李志坚刘理天
- 关键词：射频微机电系统开关电容
