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陈倩文

作品数：13 被引量：0H指数：0
供职机构：清华大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 12篇专利
  • 1篇学位论文

主题

  • 9篇互连
  • 7篇电路
  • 7篇三维集成电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇感器
  • 6篇传感
  • 6篇传感器
  • 5篇圆片
  • 5篇刻蚀
  • 5篇辅助圆
  • 4篇通孔
  • 3篇金属互连
  • 3篇金属互连线
  • 3篇绝缘衬底
  • 3篇互连线
  • 3篇集成技术
  • 3篇键合
  • 3篇衬底
  • 2篇单片
  • 2篇单片集成

机构

  • 13篇清华大学

作者

  • 13篇陈倩文
  • 12篇王喆垚
  • 7篇刘理天
  • 6篇蔡坚
  • 6篇宋崇申
  • 3篇宋振
  • 3篇唐浩
  • 2篇谭智敏
  • 2篇黄翠
  • 1篇吕建强

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
共 13 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种空气间隙的三维互连结构
本发明公开了属于三维集成技术领域的一种空气间隙的三维互连结构。该三维互连结构由贯穿整个芯片的通孔和通孔内的柱状导电体组成，通孔与柱状导电体之间为环形间隙；柱状导电体在突出于芯片的上下表面至少有一面有支撑头；芯片上下表面至...
王喆垚黄翠陈倩文谭智敏
三维集成悬空传感器及其制造方法
本发明公开了属于传感器技术领域的三维集成悬空传感器及其制造方法。传感器和信号处理电路分别在绝缘衬底器件的两侧，传感器和信号处理电路通过三维互连线和平面金属互连线实现连接。本发明的有益效果为：利用三维互连线同时实现对传感器...
王喆垚宋振唐浩陈倩文
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一种空气间隙的三维互连结构
本发明公开了属于三维集成技术领域的一种空气间隙的三维互连结构。该三维互连结构由贯穿整个芯片的通孔和通孔内的柱状导电体组成，通孔与柱状导电体之间为环形间隙；柱状导电体在突出于芯片的上下表面至少有一面有支撑头；芯片上下表面至...
王喆垚黄翠陈倩文谭智敏
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无转移圆片的三维集成电路实现方法
本发明公开了属于半导体和微传感器制造技术领域的一种三维集成电路实现方法。该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向...
王喆垚宋崇申蔡坚陈倩文刘理天
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一种传感器阵列与信号处理电路的三维集成方法
本发明公开了半导体三维集成技术领域的一种传感器阵列与信号处理电路的三维集成方法；包括以下步骤：1）在绝缘衬底器件的顶层单晶材料上制造传感器；2）在信号处理电路衬底表面制造信号处理电路和金属互连线，并在金属互连线上制造金属...
王喆垚陈倩文宋振唐浩
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基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法
本发明公开一种基于SOI圆片的三维集成电路的实现方法。所述方法包括：刻蚀去除制造好集成电路的绝缘体上硅(SOI)圆片对应垂直互连的SOI器件层；利用有机聚合物将SOI圆片与辅助圆片临时键合，去除SOI圆片衬底将SOI层向...
王喆垚陈倩文宋崇申蔡坚刘理天
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高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法
本发明公开了属于半导体制造技术和微型传感器制造技术领域的一种高深宽比三维垂直互连及三维集成电路的实现方法。所述方法包括：在制作好平面集成电路或者微型传感器的半导体圆片正面进行深反应离子刻蚀，获得深孔；在正面淀积绝缘层、扩...
王喆垚宋崇申陈倩文蔡坚刘理天
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无转移圆片的三维集成电路实现方法
本发明公开了属于半导体和微传感器制造技术领域的一种三维集成电路实现方法。该方法利用刻蚀技术对衬底圆片局部进行减薄，并在局部减薄区刻蚀高深宽比通孔，由于只是局部减薄，衬底圆片强度得以保证，从而不需要转移圆片；另外采用自底向...
王喆垚宋崇申蔡坚陈倩文刘理天
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一种适用于三维集成技术的模版对准方法
本发明公开了属于三维集成电路和微传感器芯片系统领域的一种适用于三维集成技术的模版对准方法。其技术方案如下：以深槽对准模板为定位基准，将平板对准装置嵌入深槽对准模板，两者在垂直方向上重叠；深槽对准模板的内侧面与平板对准装置...
陈倩文吕建强王喆垚刘理天
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三维集成悬空传感器及其制造方法
本发明公开了属于传感器技术领域的三维集成悬空传感器及其制造方法。传感器和信号处理电路分别在绝缘衬底器件的两侧，传感器和信号处理电路通过三维互连线和平面金属互连线实现连接。本发明的有益效果为：利用三维互连线同时实现对传感器...
王喆垚宋振唐浩陈倩文
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