闫聪博
- 作品数：17 被引量：17H指数：3
- 供职机构：南开大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程一般工业技术更多>>
- 衬底温度对反应磁控溅射W掺杂ZnO薄膜的微观结构及光电性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用直流脉冲反应磁控溅射方法生长W掺杂ZnO(WZO)透明导电氧化物薄膜并研究了衬底温度对薄膜微观结构、组分、表面形貌以及光电性能的影响.实验结果表明,WZO薄膜具有良好的(002)晶面择优取向,且适当的衬底温度是制备优质WZO薄膜的关键因素.随着衬底温度升高,薄膜表面粗糙度先增大后减小;衬底温度较高时,薄膜的结构致密,结晶质量好,电子迁移率高.当衬底温度为325℃时,WZO薄膜获得最低电阻率9.25×10^(-3)Ω·cm,方块电阻为56.24Ω/□,迁移率为11.8 cm^2 V^(-1)·s^(-1),其在可见光及近红外区域(400—1500 nm)范围的平均透过率达到85.7%.
- 张翅陈新亮王斐闫聪博黄茜赵颖张晓丹耿新华
- 关键词：反应磁控溅射ZNO薄膜衬底温度
- MOCVD技术柔性衬底上生长绒面结构ZnO-TCO薄膜
- 陈新亮耿新华林泉倪牮闫聪博张德坤赵颖
- 1.课题来源和背景：该项目来源于天津市应用基础及前沿技术研究计划.近几年来，柔性衬底薄膜太阳电池研究得到广泛的关注，这主要是因为柔性衬底薄膜太阳电池具有成本低廉、重量轻及可卷曲的优点.其中关键的核心技术是实现柔性衬底上生...
- 关键词：
- 关键词：薄膜太阳电池
- 利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO:B薄膜及应用
- 一种利用MOCVD梯度掺杂技术生长ZnO：B薄膜，利用MOCVD技术，以玻璃基片为衬底，以二乙基锌和水为原料，以硼烷作为掺杂气体，在玻璃基片上先生长未掺杂B或者低掺杂B的ZnO透明导电薄膜；然后同样利用MOCVD技术，在...
- 陈新亮耿新华王斐闫聪博张德坤孙建魏长春张建军张晓丹赵颖
- 文献传递
- 缓冲层对太阳电池用绒面结构MOCVD-ZnO薄膜光电性能的影响
- 谱透明导电氧化物(TCO)材料及其在薄膜太阳电池上的应用已成为新的研究热点.增加TCO 薄膜在近红外区域的光学透过对于提高太阳电池效率具有重要意义.本文通过优化ZnO 缓冲层(buffer layer),有效地改善了MO...
- 杨旭陈新亮张建军闫聪博赵慧旭高海波耿新华赵颖张晓丹
- 关键词：MOCVDTCO缓冲层薄膜太阳电池
- 一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜及其应用
- 一种交替生长技术制备绒面结构ZnO薄膜，以二乙基锌和水为源材料，以氢气稀释掺杂气体硼烷B<Sub>2</Sub>H<Sub>6</Sub>，采用金属有机化学气相沉积法在玻璃衬底上交替生长绒面结构ZnO-TCO薄膜，步骤如...
- 陈新亮张晓丹赵颖闫聪博魏长春张德坤耿新华
- 文献传递
- IWO缓冲层对MOCVD-ZnO：B薄膜性能的影响研究
- 2012年
- 金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术生长的绒面ZnO透明导电(ZnO-TCO)薄膜应用于Si基薄膜太阳电池上能够形成"陷光结构",以提高薄膜太阳电池效率和稳定性。本文将电子束反应蒸发技术生长的掺W的In2O3(In2O3:W,(IWO)薄膜作为缓冲层,应用于MOCVD-ZnO:B薄膜与玻璃之间,可促进ZnO:B薄膜的生长,并且有效提升薄膜的光散射特性。当IWO缓冲层厚度为20nm时,获得的IWO/ZnO:B薄膜的电阻率为2.07×10-3Ω.cm,迁移率为20.9cm2.V-1.s-1,载流子浓度为1.44×1020 cm-3;同时,薄膜具有的透过率大于85%,且在550nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约9.5%,在800nm处绒度较ZnO:B薄膜提高了约4.5%。
- 闫聪博陈新亮陈雪莲孙建张德坤魏长春张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：MOCVD电子束蒸发
- 薄膜太阳电池用TCO薄膜制造技术及其特性研究被引量：6
- 2011年
- 阐述了玻璃衬底、柔性衬底透明导电氧化物薄膜(Transparent conductive oxides-TCO)以及硅基薄膜太阳电池应用方面的最新研究成果。绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性并降低生产成本。磁控溅射技术和LP-MOCVD技术是制造绒面结构ZnO-TCO薄膜(例如"弹坑"状和"类金字塔"状表面)的主流生长技术;高迁移率TCO薄膜(IMO、IWO、ZnO∶Ga等)以及柔性衬底TCO薄膜是研究开发的重点。
- 陈新亮王斐闫聪博李林娜林泉倪牮张晓丹耿新华赵颖
- 关键词：镀膜技术缓冲层梯度掺杂薄膜太阳电池
- 梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO薄膜及其性能研究
- 为提高MOCVD-ZnO-TCO 薄膜的光散射能力和在近红外区域的透过率，本研究小组提出新的工艺技术—“梯度掺杂”技术，即根据不同掺杂量下ZnO:B 薄膜的性能差异，在薄膜生长的不同时间内采用不同的掺杂量，实现对ZnO:...
- 闫聪博陈新亮张德坤孙建魏长春张晓丹赵颖耿新华
- 关键词：薄膜太阳电池表面特性光电特性
- 梯度掺杂生长绒面结构ZnO:B-TCO薄膜及其特性研究被引量：2
- 2012年
- 采用新的金属有机化学气相淀积(MOCVD)-ZnO镀膜工艺技术-梯度掺杂技术生长绒面结构。研究ZnO:B-TCO薄膜。结果表明,梯度掺杂技术可有效增加薄膜晶粒尺寸和提高光散射作用。并且,梯度掺杂技术有效地提高了薄膜在近红外区域的光学透过率,有利于应用于宽谱域薄膜太阳电池。生长获得的MOCVD-ZnO薄膜,其薄膜电子迁移率为24 cm2/V,电阻率为2.17×10-3Ω.cm,载流子浓度为1.20×1020cm-3,且在小于1 000 nm波长范围内的平均透过率大于85%。
- 闫聪博陈新亮耿新华张德坤魏长春张晓丹赵颖
- 关键词：TCO薄膜太阳电池
- 梯度掺杂技术生长绒面结构ZnO-TCO 薄膜及其特性研究
- 适合高效率率宽谱域太阳电池用透明导电氧化物(TCO)薄膜材料是当前光伏领域的研究热点及重点.MOCVD 技术是一种生长太阳电池用绒面结构ZnO-TCO 薄膜的主流技术,绒面结构可以提高薄膜太阳电池效率和稳定性,从而降低生...
- 陈新亮闫聪博耿新华杨旭张德坤魏长春赵颖张晓丹
- 关键词：MOCVD薄膜太阳电池
