门智新
- 作品数：7 被引量：15H指数：3
- 供职机构：中南民族大学更多>>
- 发文基金：武汉市重点科技攻关计划项目更多>>
- 相关领域：化学工程电子电信一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：3
- 2010年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以(NH4)2HPO4和Ca(NO3)2·4H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末,并描述了制备过程。对温度、pH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,并对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明,此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高,颗粒小,晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新何翔孙奉娄
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：2
- 2010年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以(NH4)2HPO4和Ca(NO3).24H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末。对温度、pH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明:此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高、颗粒小、晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新何翔孙奉娄
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：5
- 2011年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,以磷酸氢二铵和四水硝酸钙为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末。描述了制备过程;对温度、pH、分散剂添加量、钙磷物质的量比、烧结温度等反应控制条件进行了研究;对钙磷物质的量比及烧结温度做了详细的讨论。制备羟基磷灰石的最佳工艺条件:pH为10.5,n(Ca)/n(P)=2.0,反应温度为40℃,剧烈搅拌2 h,陈化温度为50℃,分散剂添加量为3%(质量分数),以酒精洗涤,120℃干燥2 h,900℃烧结2 h。此法可得到分散性、均匀性好,纯度高、颗粒小、晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新孙奉娄何翔
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 沉淀法制备羟基磷灰石反应条件控制研究被引量：2
- 2010年
- 为了方便快速地获得高纯度羟基磷灰石,本研究以(NH4)2HPO4和Ca(NO3)2.4H2O为原料,利用沉淀法制备纳米级羟基磷灰石粉末。描述了制备过程。对温度、PH值、分散剂添加比例、钙磷比、烧结温度等反应控制条件进行了研究,对钙磷比及烧结温度做了详细的讨论。结果表明:此法可以得到分散性、均匀性好,纯度高、颗粒小、晶形完整的纳米级羟基磷灰石。
- 门智新何翔孙奉娄
- 关键词：羟基磷灰石沉淀法烧结温度晶形
- 一种简单的光学薄膜厚度测量方法被引量：4
- 2011年
- 使用紫外可见分光光度计测量光学薄膜,获得透过率图谱或者反射、吸收谱,利用薄膜上下表面光的干涉原理,通过简单计算,就可以方便快捷地估算出薄膜厚度。用磁控溅射法制备了ITO薄膜,使用该干涉法和台阶仪分别测量了膜厚,将结果进行了对比。结果表明,干涉法测量光学薄膜简单、快捷,设备要求不高,实用性强,方法可行。
- 门智新何翔孙奉娄
- 关键词：半导体透过率膜厚
- 磁控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜工艺研究
- 氧化铟锡(ITO)是一种宽禁带、高掺杂的n型半导体,广泛应用于各种显示屏幕的透明电极中。大多数研究者都关注于在200～400℃的基底温度下制备多晶ITO薄膜,研究其工艺,优化其光学和电学性质。然而,针对便携式显示屏的应用...
- 门智新
- 关键词：透明导电薄膜ITO磁控溅射透过率面电阻
- 文献传递
- 控溅射法低温制备ITO透明导电薄膜工艺研究
- 氧化铟锡（ITO）是一种宽禁带、高掺杂的n型半导体，广泛应用于各种显示屏幕的透明电极中。大多数研究者都关注于在200～400℃的基底温度下制备多晶ITO薄膜，研究其工艺，优化其光学和电学性质。然而，针对便携式显示屏的应用...
- 门智新
- 文献传递
