钟蓉
- 作品数：23 被引量：3H指数：1
- 供职机构：温州大学更多>>
- 发文基金：浙江省教育厅科研计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电气工程交通运输工程更多>>
- 一种流量控制系统压力预测方法
- 本发明提供一种流量控制系统压力预测方法，建立流量控制系统在稳态时的压力值P与t∈[0,T<Sub>d</Sub>]的流量变化量Δq<Sub>1</Sub>(t)的关系式，通过获取系统在f(t)＝F+ΔF<Sub>1</S...
- 彭志辉钟蓉李凯
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- 一种流量控制方法
- 本发明提供一种流量控制方法。首先在流量控制系统任意相对稳态时刻对泵运行频率施加小信号扰动ΔF，得到对应的流量变化值Δq(t)与相对稳态压力值P的关系式。获取Δq(t)的时间常数，进而得到压力P；其次得到经过Q‑H平面上点...
- 彭志辉钟蓉李凯
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- 基于扫描被测电子设备位置的IP地址设定方法及系统
- 本发明涉及一种基于扫描被测电子设备位置的IP地址设定方法及系统，其包括如下步骤：(a)将被测电子设备放入测试柜使常开开关S<Sub>ij</Sub>闭合；(b)测试柜控制器对常开开关S<Sub>ij</Sub>的通断状态...
- 彭志辉李凯张健刘文文朱德华钟蓉
- 一种MOCVD设备
- 本发明涉及一种更好的气流横向轨迹，并能保证沉积区域各个位置工艺温度一致的MOCVD设备。采用的技术方案包括：径向截面均呈圆形的顶盖、顶盖面板、底座和衬托,其特征在于：所述顶盖面板的上表面嵌入所述顶盖底部、下表面为中间薄两...
- 钟蓉王杨波甄龙云熊诵明黄文献
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- 一种Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法
- 本发明涉及一种限制GaN外延薄膜的裂纹生长、表面形貌均匀且工艺相对简单、易于实现的Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法。采用的技术方案包括：采用MOCVD系统进行外延生长以及Si衬底上外延生长GaN薄膜的方法，其特征在于：...
- 钟蓉仇成功彭鹏甄龙云薛遥李冬冬周建华
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- 一种流量控制系统压力预测方法
- 本发明提供一种流量控制系统压力预测方法，建立流量控制系统在稳态时的压力值P与t∈[0,T<Sub>d</Sub>]的流量变化量Δq<Sub>1</Sub>(t)的关系式，通过获取系统在f(t)＝F+ΔF<Sub>1</S...
- 彭志辉钟蓉李凯
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- CuInS_2量子点敏化太阳能电池中尺寸依赖的电子注入和光电性质被引量：2
- 2014年
- 研究了CuInS2(CIS)量子点敏化太阳能电池(QDSSCs)的电子注入和器件性能与粒子尺寸之间的依赖关系.首先合成了不同尺寸的CuInS2量子点(QDs),制备了CuInS2量子点敏化的TiO2薄膜,并组装了量子点敏化太阳能电池.通过循环伏安法确定了CuInS2量子点的能级位置.采用时间分辨荧光光谱分析测量了CuInS2量子点到TiO2薄膜的电子转移速率和效率.结果发现,随着粒子尺寸从4.0 nm减小到2.5 nm,电子注入速率略微增加而电子注入效率减小,同时量子点敏化太阳能电池的开路电压基本不变,而光电转换效率、短路电流和填充因子(FF)均减小.上述研究结果表明量子点敏化太阳能电池性能的优化可以通过改变量子点的尺寸来实现.
- 朱德华钟蓉曹宇彭志辉冯爱新向卫东赵家龙
- 关键词：电子转移荧光寿命时间分辨荧光光谱
- 用于半导体晶圆退火的系统
- 本发明涉及晶圆生产装置技术领域，具体公开了用于半导体晶圆退火的系统，包括壳体，壳体上方设有退火腔，壳体下部设有过渡腔和冷却腔，壳体底部设有支撑腔，支撑腔内设有移动结构，过渡腔分别与退火腔和冷却腔连通，冷却腔位于过渡腔一侧...
- 朱德华周晨李丁王聪钟蓉吴旭浩
- Al预沉积层对金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长AlN缓冲层和GaN外延层的影响被引量：1
- 2020年
- 采用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)在硅(Si)衬底制备铝/氮化铝/氮化镓(Al/AlN/GaN)多层薄膜,使用光学显微镜(OM)、原子力显微镜(AFM)、X射线衍射(XRD)等手段表征AlN和GaN薄膜的微观结构和晶体质量,研究了TMAl流量对AlN薄膜和GaN薄膜的形核和生长机制的影响。结果表明,预沉积Al层能促进AlN的形核和生长,进而提高GaN外延层的薄膜质量。TMAl流量太低则预沉积Al层不充分,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与在气氛中团聚长大并沉积的低结晶度AlN薄膜之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而提高,GaN薄膜的质量也随之提高。TMAl流量太高则预沉积Al层过厚,AlN缓冲层的质量取决于由形核长大的高结晶度AlN薄膜与Al-Si回融蚀刻之间的竞争,AlN薄膜的质量随着TMAl流量的升高而降低,GaN薄膜的质量也随之降低。
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- 关键词：材料表面与界面金属有机物化学气相沉积SI衬底
- 一种电子设备测试系统及IP地址设定方法
- 本发明涉及一种电子设备测试系统及IP地址设定方法，其方法步骤如下：(a)依次将待测电子设备放入测试柜并接通电源；(b)测试柜控制器进行位置号识别和标记，并将IP＝j+i发送给待测电子设备，并确认IP设定成功；(c)所有待...
- 彭志辉李凯张健刘文文朱德华钟蓉
