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金学淼

作品数:6 被引量:27H指数:3
供职机构:华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划湖北省青年杰出人才基金更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 2篇电气工程
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇性能研究
  • 2篇铁电
  • 2篇热释电性
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇钛酸锶钡
  • 2篇PVDF
  • 2篇BST
  • 1篇单轴
  • 1篇单轴拉伸
  • 1篇有机高分子
  • 1篇有机高分子材...
  • 1篇直流偏场
  • 1篇陶瓷
  • 1篇铁电陶瓷
  • 1篇铁电性
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇轴拉

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇金学淼
  • 5篇姜胜林
  • 3篇刘栋
  • 3篇仝金雨
  • 1篇任伏龙
  • 1篇曹伯承
  • 1篇张光祖
  • 1篇邓传益
  • 1篇孔宁
  • 1篇马韬
  • 1篇林晓牧

传媒

  • 1篇仪器仪表学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇压电与声光
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2008
  • 3篇2007
  • 2篇2006
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
拉伸工艺对PVDF薄膜形貌与结构的影响被引量:6
2007年
聚偏二氟乙烯(PVDF)薄膜中,β相的相对含量对其压电、铁电性能起决定性作用。利用单轴拉伸工艺制备了高β相的相对含量的PVDF薄膜,运用XRD、SEM和FT-IR等测试手段,分析了拉伸过程中PVDF薄膜形貌与结构的变化,重点讨论了不同拉伸比R对薄膜微观结构及β相的相对含量的影响。结果表明:PVDF薄膜中的α晶相受均匀外力作用转变成β晶相,在80℃下拉伸5倍时,薄膜中β相的相对含量可高达77%。
刘栋姜胜林仝金雨金学淼
关键词:有机高分子材料PVDF单轴拉伸Β相
退火温度对PVDF薄膜结构的影响及其性能研究被引量:13
2006年
通过拉伸工艺,在不同的退火温度下,制备了PVDF薄膜,用XRD分析了退火温度对拉伸PVDF薄膜β相含量的影响。实验结果表明,退火温度为120℃时,β相的含量达到最大值,薄膜呈现明显的铁电性,矫顽场接近1.0mV/cm,电位移D为5μC/cm2。在25℃时,薄膜的热释电系数p为0.3×10-8C/cm2.K。
仝金雨姜胜林刘栋金学淼
关键词:PVDF热释电性铁电性
钛酸锶钡热释电陶瓷的制备及其性能研究
(Ba1-xSrx)TiO3 (简称为BST) 热释电陶瓷与常用热释电材料相比,具有很高的热释电系数、较大的介电常数,低的介电损耗,热释电探测优值可以提高数倍以上,器件比较简单,兼容性好等特点。它是制备非制冷红外焦平面阵...
金学淼
关键词:钛酸锶钡介电性能
文献传递
0-3/1-3混合连通型铁电陶瓷-铁电聚合物的热释电性
2007年
推导出了0-3/1-3混合连通型铁电陶瓷-铁电聚合物的热释电系数表达式,并详细讨论了陶瓷体积分数v2和陶瓷颗粒粒径与膜厚比(G/t)分别对复合材料的热释电系数pc及pc/cε(cε为复合材料的介电常数)的影响。结果表明:当G/t≥0.5时,不同陶瓷体积分数复合材料的热释电系数pc均趋向于某个定值,说明此时G/t对热释电系数的影响可忽略不计;另外当陶瓷体积分数为0.1时,随着G/t的增大,pc/cε出现一个极大值,且当G/t=0.9时,pc/cε比纯PZT陶瓷的大8倍,表明此条件为最佳工艺条件。而且,在低陶瓷体积分数和低G/t比时,理论曲线与实验数据符合较好。
姜胜林仝金雨刘栋金学淼邓传益任伏龙
关键词:铁电陶瓷复合材料
直流偏场下BST电性能计算机测试系统
2008年
针对BaxSr1-xTiO3(BST,钛酸锶钡)材料在直流偏场下的电性能的变化,设计出一种直流偏场下BST电性能参数计算机测试系统。该系统测试结果通过串口输入计算机,通过LabVIEW编写的虚拟仪器程序实时处理与显示材料在不同偏压下的介电常数-温度曲线与损耗曲线,从中引申出了一种外加直流偏场下热释电系数的测试方法。利用该系统在25~70℃,200V与400V偏压下,对BST样片进行了测量,得到了相关曲线与数据,其中400V下材料相对介电常数峰值与热释电系数峰值在42.2℃达到6795.51与1.17×10^-7C/cm^2·K,测量结果对于研究BST材料的红外探测性能具有现实意义。
孔宁林晓牧马韬曹伯承金学淼姜胜林
关键词:BST直流偏场计算机测试系统LABVIEW
Mn掺杂对BST热释电陶瓷性能的影响被引量:7
2007年
采用常规电子陶瓷工艺,制备了不同Mn掺杂含量的钛酸锶钡(BST)陶瓷,分别用X-射线衍射(XRD)和显微镜对其进行了表征,讨论了Mn掺杂对BST材料性能的影响。结果表明,适量的Mn掺杂,对介电常数影响不大,但可明显降低材料的介电损耗;其铁电性能变差,但热释电性能变好。最终可制备出最低损耗达0.4%、介电常数为3 200、热释电系数达20×10-8C.cm-2.K-1的样品。
金学淼姜胜林张光祖
关键词:钛酸锶钡MN掺杂
共1页<1>
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