郭江涛
- 作品数：10 被引量：6H指数：1
- 供职机构：合肥工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学更多>>
- 掺钨VO<,2>薄膜的制备及相关特性研究
- 二氧化钒(VO2)是一种热致相变材料，它在68℃附近会发生从低温半导体态到高温金属态的可逆相变，同时伴随着电阻率和光学性质的突变。VO2薄膜中掺入其它元素可以把薄膜的相变温度降低到室温附近，因此掺杂VO2具有广阔的应用前...
- 郭江涛
- 关键词：二氧化钒相变温度磁控溅射真空退火
- 文献传递
- 一种矩形平面磁控溅射阴极
- 一种矩形平面磁控溅射阴极，具有靶材、阴极组件和设置在阴极组件外围的屏蔽罩，阴极组件中，磁路机构固定设置在靶座上并位于阴极体的内部，靶材固定设置在靶座的下部；其特征是在阴极组件的外周、位于屏蔽罩的内侧或外侧，整周设置导磁板...
- 陈长琦郭江涛王君
- 文献传递
- 一种新型磁路结构考夫曼型离子源
- 一种新型磁路结构考夫曼型离子源，其结构组成包括由阳极管、阴极丝、加速栅和屏栅构成离子源放电室，以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝；其特征是设置单筒状阳极管固定在位于在离子源放电室底部的基底法兰上，阴极丝位于阳极管内部，...
- 陈长琦张建国干蜀毅朱仁胜郭江涛
- 文献传递
- 一种矩形平面磁控溅射阴极
- 一种矩形平面磁控溅射阴极，具有靶材、阴极组件和设置在阴极组件外围的屏蔽罩，阴极组件中，磁路机构固定设置在靶座上并位于阴极体的内部，靶材固定设置在靶座的下部；其特征是在阴极组件的外周、位于屏蔽罩的内侧或外侧，整周设置导磁板...
- 陈长琦郭江涛王君
- 文献传递
- 一种新型磁路结构考夫曼型离子源
- 一种新型磁路结构考夫曼型离子源，其结构组成包括由阳极管、阴极丝、加速栅和屏栅构成离子源放电室，以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝；其特征是设置单筒状阳极管固定在位于在离子源放电室底部的基底法兰上，阴极丝位于阳极管内部，...
- 陈长琦张建国干蜀毅朱仁胜郭江涛
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- 掺杂VO2薄膜的相变原理及特性研究
- 掺杂 VO薄膜的相变特性决定了它具有广阔的应用前景。作者通过双靶反应共溅射的方法在玻璃基片上沉积掺钨 VO薄膜。用 X 射线电子能谱(XPS)对沉积的薄膜进行成分分析和 W 掺杂量的标定。针对不同掺钨量的薄膜,测量了薄膜...
- 陈长琦郭江涛王君朱仁胜
- 关键词：二氧化钒相变掺杂
- 文献传递
- 一种新型磁路结构考夫曼型离子源
- 一种新型磁路结构考夫曼型离子源，其结构组成包括由阳极管、阴极丝、加速栅和屏栅构成离子源放电室，以及用于中和离子束中正电荷的中和灯丝；其特征是设置单筒状阳极管固定在位于在离子源放电室底部的基底法兰上，阴极丝位于阳极管内部，...
- 陈长琦张建国干蜀毅朱仁胜郭江涛
- 文献传递
- 掺钨VO2薄膜的制备及其相变特性研究
- 掺钨VO薄膜独特的相变特性决定了它具有广阔的应用前景。本文通过反应磁控溅射和真空退火处理结合的方法在玻璃基片上制备掺钨VO薄膜(VWxO)。研究过程中,用XPS、XRD、SEM、AFM和台阶仪等对薄膜的成分、微观结构、形...
- 郭江涛陈长琦朱仁胜王君方应翠
- 关键词：二氧化钒相变温度磁控溅射真空退火
- 文献传递
- 矩形平面磁控溅射阴极的磁场模拟及结构设计被引量：6
- 2008年
- 文章模拟分析了结构参数对磁控溅射阴极磁场分布的影响,设计了一种新型的矩形平面磁控溅射阴极,并对设计的阴极磁场进行模拟分析,结果表明有效提高了靶材表面磁场分布的均匀性。采用在阳极框内侧安装高磁导率的导磁板的方法,改变了阴极体和阳极框之间缝隙的磁场分布,解决了缝隙处的连续放电现象。本研究为磁控溅射阴极的设计提供了依据。
- 陈长琦郭江涛方应翠张建国
- 关键词：磁控溅射磁场分布
- 考夫曼离子源多极磁场结构设计与数值模拟
- 2008年
- 论述了考夫曼离子源中两种磁场结构的特点。在采用多极磁场的离子源中,由于放电室内低磁场区的存在,可获得均匀性好的离子束流。采用环形永久磁体改进设计了考夫曼离子源的多极磁场,简化了磁路结构。运用Ansoft软件对多极磁场进行了数值模拟,结果分析表明设计是可行的,为该类型离子源的磁路优化设计提供了理论依据。
- 陈长琦张建国王君郭江涛
- 关键词：数值模拟
