郝嘉伟
- 作品数：6 被引量：10H指数：2
- 供职机构：吉首大学物理与机电工程学院更多>>
- 发文基金：湖南省研究生科研创新项目湖南省自然科学基金湖南省高等学校科学研究项目更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- 不同缓冲层对Al掺杂ZnO薄膜性能的影响被引量：4
- 2012年
- 本文采用射频反应磁控溅射法在玻璃基底上分别以Al2O3和AZO为缓冲层制备ZnO:Al(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、紫外-可见分光光度计等方法对薄膜的结构和光电性能进行表征。XRD和SEM的分析结果表明,在Al2O3和AZO缓冲层上生长的AZO薄膜均具有较好的C轴择优取向,薄膜表面光滑平整,薄膜的结晶质量得到改善;透射光谱表明所有样品在可见光范围内的透过率均超过80%;薄膜的导电性能得到提高。
- 肖立娟李长山郝嘉伟赵鹤平
- 关键词：AZO薄膜缓冲层晶体结构光电性能
- 共溅射法制备Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究被引量：1
- 2014年
- 采用直流与射频双靶共溅射的方法在玻璃衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜,并研究了Cu的溅射功率以及氧分压对薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外可见光分光光度计(UV-VIS)以及霍尔测试仪(HALL8800)分别对样品的结构、光学特性以及电学特性进行表征,结果表明,薄膜的结晶质量随Cu溅射功率的增大有所提高,超过一定范围开始降低,而透过率则一直减小,增大氧分压可以改善样品的透过率。Cu的掺入使薄膜发生了由n型向p型的转变,且富氧条件下有利于这种转变。
- 郝嘉伟叶伏秋肖立娟李长山赵鹤平
- 关键词：ZNO薄膜CU掺杂光电性能P型
- 缓冲层和退火气氛对Cu掺杂ZnO薄膜稀磁性的影响
- 2014年
- 采用直流与射频双靶共溅射的方法在石英衬底上制备Cu掺杂的ZnO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、霍尔测试仪(HALL8800)以及超导量子干涉仪(SQUID)分别对样品的结构、表面形貌、电学特性和磁性进行表征,研究了AZO缓冲层以及不同气氛下退火处理对薄膜磁性的影响。结果表明,加入缓冲层的样品结晶质量有所改善,但不利于磁性的产生;空气退火使样品中氧空位大量减少,同时磁性减弱;真空退火使样品中氧空位得以保留,磁性增强,氧空位缺陷对磁性的产生有很大贡献。样品中载流子浓度不高,电阻率较大,载流子浓度对样品磁性的影响不明显。
- 郝嘉伟赵鹤平肖立娟李长山
- 关键词：稀磁半导体ZNO薄膜CU掺杂缓冲层退火
- 磁控溅射功率对掺铝氧化锌薄膜特性的影响被引量：2
- 2012年
- 透明导电氧化物（TCO）薄膜因具有在可见光区透明和电阻率低等优异的光电性能,所以被广泛应用于各种光电器件中,例如平面液晶显示器（LCD）、太阳能电池、节能视窗等[1-2]。目前应用和研究最多的是掺锡（Sn）、
- 肖立娟李长山郝嘉伟赵鹤平
- 关键词：掺铝氧化锌溅射功率透明导电氧化物磁控太阳能电池光电性能
- Cu掺杂ZnO薄膜结构及性能的研究
- ZnO是继GaN之后的新型半导体材料，具有3.37eV的禁带宽度以及高达60meV的激子束缚能，其自身性质决定了它在光电、声电、压电领域的广泛应用。近年来，随着巨磁阻效应的发现，稀磁半导体/(Diluted Magnet...
- 郝嘉伟
- 关键词：ZNO薄膜P型CU掺杂稀磁半导体光电性能
- 文献传递
- 缓冲层对AZO薄膜的性能影响被引量：2
- 2013年
- 采用射频磁控溅射法分别在ZnO缓冲层和Al2O3缓冲层上制备Al掺杂ZnO(AZO)薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计、霍尔测试仪等仪器对薄膜的光电特性进行表征.XRD分析结果表明,加入缓冲层的薄膜具有更好的c轴择优取向,薄膜的表面平整,结晶质量有所改善,薄膜在可见光范围内的平均透过率超过80%.引入ZnO缓冲层制备的AZO薄膜的最低电阻率为5.8×10-4Ω·cm,导电性能得到明显提高.
- 李长山赵鹤平肖立娟郝嘉伟
- 关键词：AZO薄膜缓冲层透过率光电特性
