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赵亚娟

作品数：7 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 3篇会议论文

主题

  • 5篇铁酸铋
  • 4篇四方相
  • 2篇射频溅射
  • 2篇离子
  • 2篇金属栅
  • 2篇混合离子
  • 2篇溅射
  • 2篇高温扩散
  • 2篇SUB
  • 2篇BIFEO
  • 2篇衬底
  • 1篇多铁性
  • 1篇铁电
  • 1篇离子源
  • 1篇晶格
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇击穿
  • 1篇击穿现象

机构

  • 7篇中国科学院

作者

  • 7篇赵亚娟
  • 7篇付振
  • 7篇尹志岗
  • 7篇张兴旺
  • 4篇吴金良
  • 3篇陈诺夫

传媒

  • 2篇第十四届全国...
  • 1篇中国物理学会...

年份

  • 1篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
  • 2篇2012
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
制备T相BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的方法
本发明提供了一种制备T相BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO<Sub>3</Sub>材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的...
赵亚娟尹志岗张兴旺付振吴金良
文献传递
蓝宝石(0001)衬底上外延生长正四方相铁酸铋薄膜
赵亚娟尹志岗张兴旺付振
关键词：铁酸铋多铁性
类四方相铁酸铋在蓝宝石衬底上的外延生长
赵亚娟尹志岗张兴旺付振
基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法
本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法，其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化...
付振尹志岗张兴旺赵亚娟陈诺夫吴金良
文献传递
铁酸铋外延薄膜的晶格倾斜
付振尹志岗陈诺夫张兴旺赵亚娟
基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法
本发明提供一种基于基于四方相铁酸铋的MFIS结构及制备方法，其中基于四方相铁酸铋的MFIS结构，包括：一单晶Si衬底；一绝缘介质层，其制作在半导体单晶Si衬底上，该绝缘介质层能有效防止单晶Si衬底中Si原子的高温扩散和化...
付振尹志岗张兴旺赵亚娟陈诺夫吴金良
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制备T相BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的方法
本发明提供了一种制备T相BiFeO<Sub>3</Sub>薄膜的方法。该方法包括：步骤A，制备BiFeO<Sub>3</Sub>材料的溅射靶；步骤B，将六角对称的(0001)取向的蓝宝石衬底和溅射靶分别放入射频溅射系统的...
赵亚娟尹志岗张兴旺付振吴金良
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