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谢儒彬

作品数：62 被引量：28H指数：3
供职机构：中国电子科技集团第五十八研究所更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术医药卫生核科学技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 49篇专利
  • 13篇期刊文章

领域

  • 40篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇核科学技术
  • 1篇医药卫生

主题

  • 23篇抗辐射
  • 20篇总剂量
  • 15篇单粒子
  • 11篇总剂量辐射
  • 10篇半导体
  • 7篇电阻
  • 7篇多晶
  • 6篇电路
  • 6篇集成电路
  • 6篇场区
  • 4篇载流子
  • 4篇栅极
  • 4篇总剂量效应
  • 4篇漏电
  • 4篇开关器件
  • 4篇抗辐照
  • 4篇功率开关
  • 4篇功率开关器件
  • 4篇功率器件
  • 4篇光电

机构

  • 60篇中国电子科技...
  • 2篇电子科技大学
  • 2篇中国电子科技...

作者

  • 62篇谢儒彬
  • 40篇洪根深
  • 16篇顾祥
  • 14篇徐海铭
  • 14篇李燕妃
  • 12篇徐政
  • 8篇朱少立
  • 8篇贺琪
  • 8篇吴素贞
  • 4篇赵文彬
  • 4篇郑若成
  • 4篇王印权
  • 4篇王蕾
  • 4篇陈海波
  • 3篇徐大为
  • 2篇于宗光
  • 2篇汤赛楠
  • 2篇郑良晨
  • 2篇吴建伟
  • 2篇李艳艳

传媒

  • 7篇电子与封装
  • 2篇微处理机
  • 1篇半导体技术
  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇太赫兹科学与...
  • 1篇现代应用物理

年份

  • 19篇2024
  • 10篇2023
  • 12篇2022
  • 3篇2021
  • 7篇2020
  • 1篇2019
  • 4篇2017
  • 2篇2016
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 62 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种提升器件抗辐射能力的浅隔离槽制作方法
本发明涉及一种提升器件抗辐射能力的浅隔离槽制作方法，所述浅隔离槽制作方法中设计新增工艺兼容现有生产工艺流程，包括：提供P型Si衬底，在所述P型Si衬底上形成掩蔽层；刻蚀未被所述掩蔽层覆盖的所述P型Si衬底形成浅隔离槽；在...
郝新焱郑若成王印权郑良晨谢儒彬
一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法
本发明公开一种无回滞效应抗辐射高压GGNMOS器件及制备方法，属于半导体领域，适用于抗辐射高压体硅与SOI工艺，实现具有无回滞效应的高压GGNMOS ESD器件。本发明中，第一N型掺杂区作为耐压区域，其掺杂浓度较低，能够...
汪煜李燕妃谢儒彬洪根深
一种总剂量辐射加固特性表征器件
本发明公开了一种总剂量辐射加固特性表征器件，涉及半导体器件领域，包括衬底、位于所述衬底上的场氧化层、制备于场氧化层上的栅电极以及分布于场氧化层两侧的第一有源区与第二有源区，其中，所述第一有源区至少包括第一导电类型第一掺杂...
李燕妃谢儒彬洪根深
一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法
本发明公开一种高电流均匀性VDMOS器件的制造方法，属于半导体功率器件领域。在外延材料上生长栅氧化层，淀积多晶硅栅；光刻后对多晶硅栅和栅氧化层进行刻蚀，做出合适的图形；进行离子注入并退火形成阱、源极区；在表面依次生长氧化...
唐新宇洪根深谢儒彬张庆东徐海铭廖远宝
抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管及其制备方法
本发明涉及一种抗辐射鳍型沟道双栅场效应晶体管。所述场效应晶体管包括衬底、隐埋氧化层、P型重掺杂层、P型轻掺杂层、N型掺杂层和金属栅极。N型掺杂层形成源区、漏区和连接块。P型重掺杂层的掺杂浓度大于或等于源区和漏区的掺杂浓度...
谢儒彬吴建伟朱少立洪根深汤赛楠
文献传递
用于薄外延工艺ESD保护的GGNMOS器件制备工艺及GGNMOS器件
本发明公开一种用于薄外延工艺ESD保护的GGNMOS器件制备工艺及GGNMOS器件，属于超大规模集成电路静电放电保护技术领域。本发明通过P型ESD注入，有效降低GGNMOS器件的触发电压，通过引入深N阱层提升GGNMOS...
谢儒彬吴建伟彭宏伟
文献传递
总剂量加固对SOINMOS器件抗辐射特性的影响被引量：4
2014年
采用埋层改性工艺对部分耗尽SOI NMOS器件进行总剂量加固,通过测试器件在辐射前后的电学性能研究加固对SOI NMOS器件抗辐射特性的影响。加固在埋氧层中引入电子陷阱,辐射前在正负背栅压扫描时,电子陷阱可以释放和俘获电子,导致背栅阈值电压产生漂移,漂移大小与引入电子陷阱的量有关。通过加固可以有效提高器件的抗总剂量辐射特性,电子陷阱的量对器件的抗辐射性能具有显著影响。
陈海波吴建伟李艳艳谢儒彬朱少立顾祥
关键词：离子注入SOINMOSFET总剂量辐射
一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法
本发明公开一种提高高压NMOS器件抗辐照性能的方法，属于半导体工艺制造领域。首先提供衬底，在衬底上依次形成外延硅层、二氧化硅层和阻挡层；接着刻蚀形成STI硅浅槽，在STI硅浅槽侧壁和底部热氧化生长SiO2薄膜；然后采用C...
施辉王印权曹利超郑若成张庆东谢儒彬洪根深
一种提升屏蔽栅VDMOS抗总剂量制备方法
本发明公开一种提升屏蔽栅VDMOS抗总剂量制备方法，属于功率半导体器件领域。在衬底的外延层上制作Trench槽；生长场氧SiO<Sub>2</Sub>介质，完成后淀积源多晶；进行源多晶的光刻和腐蚀和P阱的注入，形成耐压环...
徐海铭洪根深谢儒彬张庆东廖远宝吴素贞唐新宇
一种高压抗辐射加固ESD器件结构
本发明公开一种高压抗辐射加固ESD器件结构，属于半导体领域，在第一P型掺杂区内设置第三P型掺杂区，并与第二P型掺杂区相切，降低寄生三极管的基区电阻，防止寄生器件在单粒子辐射情况下提前开启，避免发生单粒子闩锁效应，同时还提...
李燕妃谢儒彬洪根深
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