许媛
- 作品数：82 被引量：99H指数：6
- 供职机构：黄山学院更多>>
- 发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目国家自然科学基金黄山市科技计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术文化科学更多>>
- 较高气压下激光烧蚀等离子体的动力学特性
- 2008年
- 建立一维半导体Ge的激光烧蚀模型,对波长为248nm,脉宽为17ns,峰值功率密度为4×108w/cm2的KrF脉冲激光在1000torr(1torr=133.32pa)氦气环境下烧蚀晶体Ge及产生等离子体的过程进行了数值模拟,并对计算结果进行分析比较。结果表明在惰性气体环境下,气压在1torr和1000torr之间变化对等离子体屏蔽现象的出现几乎不产生影响;背景气压的增大抑制了粒子的扩散,使等离子体的膨胀速度减小,限制了其膨胀的空间。
- 许媛
- 关键词：等离子体数值模拟脉冲激光烧蚀
- 一种硅基氮化镓肖特基二极管及其制备方法
- 本发明公开一种硅基氮化镓肖特基势垒二极管及其制备方法，包括自下而上的硅衬底、氮化镓外延层、铝镓氮势垒层、氮化硅钝化层、PETEOS氧化层以及顶部的欧姆电极和肖特基电极。其制造方法是，在氮气和氩气气氛中，采用反应性磁控溅射...
- 陈珍海许媛刘琦周德金鲍婕宁仁霞黄伟
- 文献传递
- “新工科”背景下大学物理课程与专业的有效衔接被引量：5
- 2019年
- 传统的大学物理课程主要以理论为基础,未考虑学科专业的区别,导致大学物理与后续课程严重脱节。强调大学物理教学环节中考虑各学科专业的特点,注重理论知识与后续专业课程的衔接,注重理论与实际应用的联系,引导学生把所学理论应用于实践。既有利于学生对基础知识的融会贯通,还可以使学生对大学物理产生新的认识,提高学生的学习积极性,才能培养出具有综合能力的复合型人才。
- 许媛侯丽焦铮陈珍海
- 关键词：大学物理教学改革专业学科衔接
- 脉冲激光烧蚀Ge产生等离子体特性的数值模拟被引量：6
- 2007年
- 针对激光烧蚀半导体材料Ge初期的特点,建立了1维的热传导和流体动力学模型。对波长为248 nm、脉宽为17 ns、峰值功率密度为4×108W/cm2的KrF脉冲激光在133.32 Pa氦气环境下烧蚀Ge产生等离子体的特性进行了数值模拟。结果表明:单个激光脉冲对靶的烧蚀深度达到55 nm,蒸气膨胀前端由于压缩背景气体产生压缩冲击波,波前的速度最大,温度很高。从不同时刻的电离率分布图中得出,在靶面附近区域,Ge的1阶电离始终占优势;在中心区域,脉冲作用时间内,Ge的2阶电离率比1阶电离率大,脉冲结束后,Ge的2阶电离率下降,1阶电离率逐渐变大。
- 许媛吴东江刘悦
- 关键词：脉冲激光沉积脉冲激光烧蚀等离子体
- 基于增强型GaN HEMT的半桥开关电路设计与测试被引量：1
- 2019年
- 为了进一步提高现有功率变换系统的开关频率,采用增强型GaNHEMT器件设计出适用于高速开关控制的半桥开关电路。该半桥开关电路采用新型栅驱动电路,实现增强型GaNHEMT器件的高速控制,进而实现开关速度的提升。将该半桥开关电路用于一种48V转12V的高效DC/DC电源变换系统中,测试结果表明该半桥开关电路的开关频率超过600KHz,半桥驱动电流为10A,验证了所提出驱动方法的有效性。
- 许媛黄伟何宁业
- 关键词：驱动电路
- 大功率IPM模块的先进封装结构及加工工艺
- 本发明涉及一种大功率IPM模块的先进封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、铜填充硅通孔驱动芯片、覆铜陶瓷基板、缓冲层、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用铜填充硅通孔驱...
- 鲍婕陈珍海许媛宁仁霞占林松赵年顺
- 一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热结构及加工工艺
- 本发明涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构及加工工艺，其结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位...
- 许媛张燕飞鲍婕宁仁霞陈珍海周斌张俊武
- 文献传递
- 大电流级联增强型GaN全桥功率模块封装结构及封装方法
- 本发明涉及一种大电流级联增强型GaN全桥功率模块的集成封装结构及封装方法，包括封装外壳、金属引线框架和引脚，其封装外壳内还包括：第一级联增强型GaN HEMT器件、第二级联增强型GaN HEMT器件、第三级联增强型GaN...
- 许媛陈珍海赵琳娜占林松鲍婕宁仁霞黄伟吕海江
- 一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构
- 本实用新型涉及一种高功率密度IGBT模块的双面水冷散热封装结构，该结构包括IGBT子单元、二极管子单元、覆铜陶瓷基板、缓冲垫片、焊料层、导热硅脂层、石墨烯散热层以及上下水冷板散热器。所述的石墨烯散热层将转移至指定位置的芯...
- 许媛赵浩张燕飞鲍婕宁仁霞陈珍海周斌张俊武
- 文献传递
- IPM模块的先进封装结构
- 本实用新型涉及一种大功率IPM模块的先进封装结构，其包括IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、铜填充硅通孔驱动芯片、覆铜陶瓷基板、缓冲层、焊料层、焊球、塑封外壳、封装树脂、导热硅脂以及散热器。其中采用铜填充硅通孔驱动芯片，以...
- 鲍婕许媛徐鳌刘岩杨蕊韩亮亮
- 文献传递
