胡海龙
- 作品数：3 被引量：19H指数：3
- 供职机构：兰州大学物理科学与技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金高等学校优秀青年教师教学科研奖励计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信更多>>
- H_2对Ar稀释SiH_4等离子体CVD制备多晶硅薄膜的影响被引量：3
- 2006年
- 以SiH4,Ar和H2为反应气体,采用射频等离子体化学气相沉积方法在300℃下制备了低温多晶Si薄膜.实验发现,反应气体中H2的比例是影响薄膜结晶质量的重要因素,在适量的H2比例下制备的多晶Si薄膜具有结晶相体积分数高,氢含量低,生长速率快、抗杂质污染等特性.
- 祁菁金晶胡海龙高平奇袁保和贺德衍
- Al诱导a-Si:H薄膜的晶化被引量：11
- 2005年
- 采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)结晶取向的多晶Si薄膜。X射线光电子能谱分析表明 ,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度。
- 祁菁金晶胡海龙贺德衍
- 关键词：A-SI:H薄膜SI衬底非晶硅等离子体化学气相沉积晶化成核
- 在AAO衬底上制备纳米Si阵列研究被引量：5
- 2007年
- 用等离子体增强化学气相沉积在多孔氧化铝(AAO)上制备出具有纳米Si阵列分布的薄膜,用透射电子显微镜和扫描电子显微镜观察了不同生长条件下的样品形貌和结构,用X射线衍射谱仪分析了样品的结晶状况．样品呈现出良好的场电子发射稳定性,开启电场为7 V/μm．
- 胡海龙彭尚龙唐泽国祁菁贺德衍
- 关键词：PECVD
