秦志春
- 作品数：114 被引量：274H指数：10
- 供职机构：南京理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国防科技技术预先研究基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：兵器科学与技术化学工程电子电信理学更多>>
- 瞬态脉冲试验法用于电火工品感度分类的研究被引量：1
- 2005年
- 进行了电火工品瞬态脉冲试验,利用电热响应曲线计算了电火工品桥丝的温升,根据温升大小将电火工品分组进行升降法试验和发火试验。升降法试验表明温升较大组的电火工品 50%发火电流较低,t检验结果表明这 2组电火工品的 50%发火电流有显著差异。发火试验结果说明,在相同的试验电流下,温升较大组的电火工品发火个数较温升小的多。2项试验结果表明,温升大的组感度较高,说明瞬态脉冲试验是一种可对电火工品进行感度分类的方法。
- 周彬陈西武秦志春徐振相
- 关键词：电火工品瞬态脉冲试验感度
- 神经网络用于电热响应曲线的分析被引量：1
- 2008年
- 瞬态脉冲试验是一种对桥丝式电火工品进行无损检测的方法。通过瞬态脉冲试验得到火工品的电热响应曲线,正常的电热响应曲线是光滑的,而非正常的电热响应曲线往往有较大的波动,出现非正常电热响应曲线的火工品一般都存在某种疵病。该文将神经网络技术用于对电热响应曲线的分析,以区分正常的电热响应曲线和非正常的电热响应曲线。研究结果表明,该方法可以比较准确地区分这两种电热响应曲线,实现自动判断。
- 周彬秦志春田桂蓉徐振相
- 关键词：瞬态脉冲试验无损检测火工品神经网络
- 人工神经网络对混合点火药燃速的预测被引量：4
- 2002年
- 以某混合点火药各组分含量作为药剂性能描述,利用误差反传神经网络(BP网络)算法,通过对9个配方药剂的训练建立了燃速与组成之间的定量关系模型,并对另外9个配方混合点火药的燃速进行了预测。结果表明,模型很好地反映了配比与燃速之间的关系,预测值与实际测量值比较接近,相对误差小于12%。该方法为混合药剂的研究和开发提供了一条新的途径。
- 陈西武秦志春周彬祝逢春侯素娟田桂蓉徐振相
- 关键词：人工神经网络燃速
- 一种基于花菁骨架检测铜离子的近红外探针及其合成、应用方法
- 本发明公开了一种基于花菁骨架检测铜离子的近红外探针及其合成、应用方法。本发明在THF/H<Sub>2</Sub>O(6:4,v/v)溶液中利用探针对Cu<Sup>2+</Sup>的特异性识别，选取的20种常见干扰离子对检...
- 叶家海常智建林福艳张文超秦志春田桂蓉
- 桥丝式电点火头发火时间的预测被引量：4
- 2005年
- 通过瞬态脉冲无损检测试验得到桥丝式电点火头的电热响应参数,利用电热响应参数分别采用数学模型和人工神经网络模型预测电点火头的发火时间,并与实测发火时间进行比较。结果表明,人工神经网络方法与电火工品瞬态脉冲无损检测技术相结合,用来预测电点火头的发火时间,是电火工品瞬态脉冲无损检测领域的一条新的途径。
- 强涛周彬秦志春陈西武田桂蓉徐振相
- 关键词：电火工品瞬态脉冲试验发火时间数学模型神经网络模型
- 一种直写打印含能半导体桥换能元及其制备方法
- 本发明公开了一种直写打印含能半导体桥换能元及其制备方法，该含能油墨层通过直写打印的方式沉积在半导体桥芯片上，一次可以打印一个含能半导体桥换能元，也可以集成式打印多个含能半导体桥换能元，在浸泡粘结剂溶液烘干后的半导体桥换能...
- 张文超徐建勇郑子龙陈俊宏宋长坤俞春培秦志春刘佳琪邬润辉先明春
- 文献传递
- 一种电化学还原沉积铝制备铝热剂的方法
- 本发明公开了一种制备纳米级铝热剂的方法，该方法采用电化学还原沉积法将铝沉积到氧化物的骨架中，从而制备得到纳米铝热剂。制作步骤为：制备PS微球乳液，垂直沉积法制备得到PS球模板；制备金属氧化物前驱液，将PS球模板浸泡在前驱...
- 张文超史黎明秦志春田桂蓉叶家海
- 文献传递
- 一种可连续调节的间隙点火测试装置
- 本发明公开了一种可连续调节的间隙点火测试装置，包括测试结构具体为设置于外壳内的点火器、被点药剂、内套筒以及设置在外壳顶部用于固定内套筒与外壳的固定螺母，所述的被点药剂设置在内套筒；其中，点火器放置于外壳底部，内套筒的底部...
- 张文超郑子龙秦志春田桂蓉叶家海吴刚刚胡斌陈俊宏
- 文献传递
- SCB火工品的研究与发展被引量：24
- 2003年
- 文章评述了半导体桥火工品问世以来的研究成果与发展趋势。主要内容有半导体桥作用机理、半导体桥的结构与封装、半导体桥火工品的特点、半导体桥火工品的应用、半导体桥火工品的研究和发展趋势。
- 祝逢春徐振相周彬陈西武秦志春田桂蓉侯素娟
- 关键词：火工品半导体桥微电子封装
- 半导体桥电爆过程的能量转换测量与计算被引量：7
- 2008年
- 对电容激励模式下半导体桥(SCB)的电流、电压以及光的变化进行了测试,从能量的角度对半导体桥电爆换能过程进行了分析,并对电爆换能过程中硅桥物质形态的变化进行了量化分析,在电容为22μF、充电电压为45 V的情况下,SCB上电压为最低时(2.18μs,10 V)有61.1%的桥区熔化,SCB上电压为最高时(3.48μs,43 V)桥区有14.5%气化,在SCB发火光强最亮时(17.60μs)有70.3%的半导体硅桥电离。
- 张文超叶家海秦志春周彬田桂蓉徐振相
- 关键词：应用化学火工品半导体桥等离子体
