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钽催化磁控溅射法制备GaN纳米线(英文)被引量：4: 2009年; 利用磁控溅射技术通过氨化Ga2O3/Ta薄膜,合成大量的一维单晶纤锌矿型氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜,选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明:制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约20～60nm,其最大长度可达10μm左右。室温下光致发光谱测试发现363nm处的较强紫外发光峰。另外,简单讨论了氮化镓纳米线的生长机制。; 薛成山李红庄惠照陈金华杨兆柱秦丽霞王英王邹平; 关键词：氮化物溅射

磁控溅射和氨化法生长GaN纳米棒及其特性被引量：1: 2008年; 使用一种新奇的稀土元素铽(Tb)作催化剂,通过氨化磁控溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,合成了大量的GaN纳米棒,氨化温度为950℃,氨化时间为15min。该方法可以进行持续合成且制备的GaN纳米棒纯度较高、成本低廉。实验后分别用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)对样品进行了结构、表面形态和成分测试。通过XRD和XPS测试分析,合成的纳米棒具有六方纤锌矿GaN结构;通过SEM、TEM和HRTEM观察分析得出合成的纳米棒为单晶GaN纳米棒。简单讨论了GaN纳米棒的生长机制。; 薛成山陈金华庄惠照秦丽霞李红杨兆柱王邹平; 关键词：氮化镓溅射纳米棒单晶

Mg_3N_2 粉末的合成和光致发光性质研究(英文): 2007年; Mg粉在800℃氨气流中氨化60min,可得到高质量的Mg3N2粉末。XRD分析表明,Mg3N2粉末是体心立方结构,晶格常数a=0.99657nm。SEM分析表明,Mg3N2粉末有多种形貌。PL测试表明,在激发波长为490nm的情况下,氮化镁粉末存在1个位于545nm的绿光发光峰。; 薛成山艾玉杰孙莉莉孙传伟庄惠照王福学杨兆柱秦丽霞陈金华李红; 关键词：氮化光致发光

氨化硅基磁控溅射Ga/_2O/_3//Co薄膜制备GaN纳米结构和薄膜的研究: 以氮化镓/(GaN/)为代表的Ⅲ-Ⅴ族氮化物作为第三代半导体材料,由于在蓝光二极管、紫外探测器和短波长激光器等固体光电子器件方面的产业化应用,成为近些年来持续的研究热点,其材料的光电性质得到了广泛的理论以及实验研究。相比...; 秦丽霞; 关键词：磁控溅射氨化技术 GAN纳米结构; 文献传递

Synthesis and Characterization of GaN Nanorods by Ammoniating Ga_2O_3 /Co Films Deposited on Si(111) Substrates被引量：3: 2008年; GaN nanorods are successfully synthesized on Si（111） substrates with magnetron sputtering through ammoniating Ga2O3/Co films at 950℃. X-ray diffraction, scanning electron microscopy, high-resolution transmission electron microscopy,and Fourier-transform infrared spectroscopy are used to characterize the samples. The results demonstrate that the nanorods are single-crystal GaN with a hexagonal wurtzite structure and possess relatively smooth surfaces. The growth mechanism of GaN nanorods is also discussed.; 秦丽霞薛成山庄惠照杨兆柱陈金华李红; 关键词：NANORODS

氨化Si基Ga_2O_3/Co薄膜制备GaN纳米线被引量：1: 2008年; 采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3／Co薄膜，然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜。X射线衍射（XRD）、傅立叶红外吸收光谱（FTIR）、选区电子衍射（SAED）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）的分析结果表明，采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线。通过扫描电镜（SEM）观察发现纳米线的形貌，纳米线的尺寸在50-200nm之间。; 秦丽霞薛成山庄惠照陈金华李红杨兆柱; 关键词：磁控溅射 GAN纳米线 CO

磁控溅射与氨化法催化合成GaN纳米棒被引量：1: 2008年; 使用一种新奇的稀土元素作为GaN纳米棒生长的催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜成功合成了大规模的GaN纳米棒。采用扫描电子显微镜,X射线衍射,透射电子显微镜,高分辨透射电子显微镜和傅立叶红外吸收光谱来检测样品的形态,结构和成分。研究结果表明,合成的样品为六方纤锌矿结构的单晶GaN纳米棒。最后讨论了GaN纳米棒的生长机理。; 陈金华薛成山庄惠照秦丽霞李红杨兆柱; 关键词：纳米棒 GAN 溅射

氨化Si基Ga_2O_3/Ta薄膜制备GaN纳米线: 2007年; 利用磁控溅射技术在Si衬底上制备Ga2O3/Ta薄膜,然后在900℃、氨气中退火合成了大量的一维单晶氮化镓纳米线。用X射线衍射、扫描电子显微镜、傅里叶红外吸收光谱、透射电子显微镜、选区电子衍射和光致发光谱对制备的氮化镓进行了表征。结果表明,制备的GaN纳米线是六方纤锌矿结构,其直径大约为50 nm,最大长度可达8μm左右。室温下光致发光谱的测试发现了364 nm处有较强紫外发光峰。; 李红薛成山庄惠照张晓凯陈金华杨兆柱秦丽霞; 关键词：氮化镓磁控溅射纳米线

GaN纳米棒的催化合成及其发光特性(英文)被引量：4: 2008年; 使用稀土元素Tb作催化剂,通过氨化溅射在Si(111)衬底上的Ga2O3/Tb薄膜,成功制备出GaN纳米棒.X射线衍射测试显示,GaN纳米棒具有六方结构.利用扫描电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出,纳米棒为单晶GaN,纳米棒的直径为50-150nm,长度约10μm.光致发光谱在368.6nm处有一强的紫外发光峰,说明纳米棒具有良好的发光特性.讨论了GaN纳米棒的生长机制.; 陈金华薛成山庄惠照李红秦丽霞杨兆柱; 关键词：GAN 纳米棒单晶发光

氨化Si基Ga_2O_3/V薄膜制备GaN纳米线: 2008年; 为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线。采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析。研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米。; 杨兆柱薛成山庄惠照王公堂秦丽霞李红陈金华黄英龙张冬冬; 关键词：磁控溅射 GAN V 纳米线

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秦丽霞