王文海
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：烟台大学光电信息科学技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术更多>>
- 表面处理对阳极氧化铝模板光发射性质的影响
- 2011年
- 阳极氧化铝模板是一种得到广泛研究和应用的重要模板物质。针对阳极氧化铝模板的光致发光起源问题进行了探讨,主要研究了表面因素是否对阳极氧化铝的发光有影响,以及如何影响的问题。利用二次阳极氧化法制备了阳极氧化铝模板,之后利用氩离子轰击氧化铝模板的表面,在室温下测定了氩离子处理后的氧化铝模板的发光特性,研究了氩离子轰击前后氧化铝模板的光致发光性质变化和氩离子轰击对氧化铝模板光发射性能的影响。结果表明,表面因素对阳极氧化铝模板的发光有重要影响。
- 徐大印何志巍王文海张道明吴现成
- 关键词：阳极氧化氧化铝模板光致发光
- 多铁材料中的耦合效应和单相BiFeO_3的研究状况被引量：1
- 2010年
- 多铁材料同时自发地具有铁电性、铁磁性或铁弹性,这些性质在一定条件下相互耦合,极大地改变了多铁材料的性能。人们又发现BiFeO_3的居里温度T_c=820K和奈尔温度T_N=643K远在室温之上,在同一相中同时具有铁电有序和反铁磁有序,这样可以用外加电场控制反铁磁畴提高磁性或者用外加磁场控制铁电畴,提高极化强度,所以该材料已成为一个研究热点。主要介绍了单相BiFeO_3薄膜的结构和物理性质,同时介绍了多种提高单相BiFeO_3薄膜磁化强度、铁电性和压电性的方法。
- 张道明吴现成徐大印赵丽丽王文海
- 关键词：磁电耦合铁电性磁化强度压电性
- 高k栅介质的研究进展被引量：5
- 2008年
- 随着集成电路的飞速发展,半导体器件特征尺寸按摩尔定律不断缩小。SiO_2栅介质将无法满足Metaloxide-semiconductor field-effect transistor(MOSFET)器件高集成度的需求。因此,应用于新一代MOSFET的高介电常数(k)栅介质材料成为微电子材料研究热点。介绍了不断变薄的SiO_2栅介质层带来的问题、对MOSFET栅介质材料的要求、制备高k薄膜的主要方法,总结了高k材料的研究现状及有待解决的问题。
- 卢振伟吴现成徐大印赵丽丽张道明王文海甄聪棉
- 关键词：微电子材料栅介质厚度
- 多孔硅的研究及其应用被引量：3
- 2010年
- 多孔硅是一种新型的纳米半导体光电材料,室温下具有优异的光电特性,易与现有硅技术兼容,极有可能实现硅基光电器件等多个领域的应用。本文简明的论述了多孔硅的光电特性之后,又简单介绍了多孔硅在生物科学、照明材料及太阳能电池等多个领域内的应用进展情况,并对其发展前景作了展望。
- 赵丽丽吴现成徐大印王文海张道明
- 关键词：多孔硅光学特性电学特性照明材料太阳能电池生物医学
- 基于多孔硅衬底溅射碳化硅薄膜的光致发光性能研究
- 硅和碳化都是优良的的半导体材料。由于硅的带隙比较窄限制了硅材料的发光，多孔硅在室温下的光致发光现象发现以来，半导体发光材料的研究进入了一个新时代。这一发现时硅基发光器件和光电子器件的发展指明新的路线。碳化硅薄膜具有很好的...
- 王文海
- 文献传递
