王啸天
- 作品数：4 被引量：5H指数：2
- 供职机构：河北工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：金属学及工艺理学一般工业技术更多>>
- CuHg_2Ti型Ti_2Cr基合金的电子结构、能隙起源和磁性研究
- 2014年
- 利用第一性原理计算方法,研究了CuHg2Ti结构下Ti2CrK(K=Sb,Ge,Sn,Sb,Bi)系列合金的电子结构、能隙起源和磁性.研究发现:Ti2CrK(K=Si,Ge)合金是普通半导体材料;Ti2CrK(K=Si,Bi)合金是亚铁磁性半金属材料,其半金属性能隙受到Sb和Bi原子s态的直接影响;Ti2CrSn合金是完全补偿的亚铁磁性半导体.基于Ti2CrSn合金两个自旋方向上的能隙起源不同,通过Si和Ge替换掺杂同族Sn元素调制能隙的宽度,获得了完全补偿亚铁磁性自旋无能隙材料;通过Fe和Mn替换掺杂过渡族Cr元素获得了一系列半金属材料.Ti2Cr1-xFexSn和Ti2Cr1-xMnxSn合金都具有亚铁磁性.所研究的这些半金属性合金的分子磁矩Mtotal与总的价电子数Zt服从Mtotal=Zt-18规则.
- 贾红英代学芳王立英刘然王啸天李朋朋崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋
- 关键词：HEUSLER合金
- Heusler型X2RuPb(X=LU，Y)合金的反带结构和拓扑绝缘性被引量：5
- 2014年
- 采用第一性原理的计算方法,在不同条件下对Heusler型X2RuPb(X=Lu,Y)体系的电子结构展开研究.计算结果表明,这些合金在适当晶格变形或掺杂条件下,能够具有真正的拓扑绝缘体特性.杂化作用和自旋-轨道耦合作用都对材料产生"反带"结构发挥作用.但是针对不同成分所构成的材料,它们各自所起作用的程度有所不同,二者可以相辅相成.利用替换掺杂和四角变形双重调控方式可以更理想地进行"反带"结构调控进而获得理想的拓扑绝缘体,这对于材料的实际制备具有重要意义.
- 王啸天代学芳贾红英王立英刘然李勇刘笑闯张小明王文洪吴光恒刘国栋
- 关键词：拓扑绝缘体HEUSLER合金
- 半Heusler型Na_(1-x)Cs_xAlGe(0≤x≤1)合金能带反转结构的研究被引量：2
- 2014年
- 采用第一性原理的计算方法,研究了全部由轻元素构成的半Heusler型NaAlGe合金中,掺杂元素对合金拓扑能带结构的影响.发现利用同族的Cs元素掺杂替换Na元素,能够诱导Na1-x Csx AlGe合金的能带结构由原本正常带序(0 x<0.125)转换为反转带序(0.125 x 1).基于对这一现象的深入讨论,我们提出在几乎没有自旋-轨道耦合作用的材料中,掺杂元素(Cs)是通过其离子半径的不同,进而影响晶格参数变化导致另外两种近邻原子间杂化作用发生变化,来诱导拓扑反带结构形成的.
- 王啸天代学芳贾红英王立英张小明崔玉亭王文洪吴光恒刘国栋
- 关键词：第一性原理计算拓扑绝缘体
- 四元Heusler合金ZrCrCoZ(Z=B,Al,Ga and In)的电子结构、磁性和半金属特性
- 本文运用第一性原理计算的方法系统研究了一系列新的四元Heusler半金属合金材料ZrCrCoZ(Z=B,Al,Ga和In)的电子结构、磁性性质和半金属特性等基本物理特性。研究结果表明,ZrCrCoZ(Z=B,Al,Ga和...
- 郭瑞康王啸天林婷婷代学芳刘国栋
- 关键词：HEUSLER合金半金属电子态
