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文献类型

  • 2篇中文专利

主题

  • 2篇氮化硅
  • 2篇氮化硅薄膜
  • 2篇电控
  • 2篇动态增益
  • 2篇动态增益均衡
  • 2篇动态增益均衡...
  • 2篇氧化硅
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  • 2篇键合工艺
  • 2篇硅薄膜
  • 2篇二氧化硅

机构

  • 2篇华东师范大学

作者

  • 2篇汪绳武
  • 2篇忻佩胜
  • 2篇李国栋
  • 2篇彭德艳
  • 2篇赖宗声
  • 2篇王连卫

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法
一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法,包括14个工艺操作步骤:制备第一硅片和第二硅片;生长二氧化硅薄膜;淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层;蚀去第二多晶硅层;去第一正胶;淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜;淀积第三多...
赖宗声王连卫忻佩胜彭德艳李国栋汪绳武
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MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法
一种MEMS电控动态增益均衡器芯片的制备方法,包括14个工艺操作步骤:制备第一硅片和第二硅片;生长二氧化硅薄膜;淀积第一多晶硅层和第二多晶硅层;蚀去第二多晶硅层;去第一正胶;淀积第一氮化硅薄膜和第二氮化硅薄膜;淀积第三多...
赖宗声王连卫忻佩胜彭德艳李国栋汪绳武
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