林建光
- 作品数：9 被引量：34H指数：1
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：福建省自然科学基金国家高技术研究发展计划福建省科技计划重点项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 虚拟专网解决方案
- 2009年
- 针对当前计算机网络系统中三种常用的VPN技术,提出了虚拟专网中公文流转、数据传输的具体解决方案,实现了信息的安全共享。
- 林建光
- 关键词：VPN公文流转数据传输
- 四针状纳米氧化锌的制备及其场致发射特性的研究被引量：1
- 2009年
- 对利用高温气相氧化法制备四针状纳米氧化锌进行了研究,实验表明:制备炉的温度对样品的性能影响较大,温度低于800℃,短时间内得不到明显的反应产物,温度高于1 000℃,白雾状产物也有所下降,最佳反应温度约为900℃。样品具有优良的场发射特性,开启电场仅为1.6 V/μm。获得1.0 mA/cm2的电流密度也只需要4.5 V/μm的电场。
- 林建光
- 关键词：场致发射高温气相氧化法显示器件
- 新型Si光电发射材料的激活技术及激活装置
- 1994年
- 介绍了新型反射式Ｓｉ光电发射材料（Ｓｉ－Ｎａ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－Ｋ３Ｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ，（Ｓｉ－ｃｓａｓｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ和（Ｓｉ－Ｎａ２ＫＳｂ－Ｃｓ）－Ｏ－Ｃｓ的激活技术．给出了新型Ｓｉ光电发射材料的逸出功、灵敏度及其稳定性并与Ｓｉ和Ｎａ２ＫＳｂ（Ｃｓ）光电材料的性能进行比较，简要讨论了影响灵敏度和稳定性的一些因素．叙述了为制备新型Ｓｉ光电发射材料所设计并加工的碱金属源、锑源、氯源及其激活系统．
- 郭太良林渠渠林立炜林建光高怀蓉
- 关键词：光电发射材料逸出功硅
- 新型可印刷FED场致发射显示器的研制被引量：32
- 2004年
- 介绍了国内外平板显示器,特别是场致发射显示器(FED)的市场预测和主要研究单位以及FED显示器的基本制作工艺流程,包括阴极激活和真空镀膜技术,论述了阴极激活技术及其对提高FED阴极发射能力的作用。采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术与低逸出功材料结合增强发射场强的方法研制出能显示视频图像的20英寸(50.8cm)单色FED显示器样机,其亮度已达300cd/m2,对比度已达400。并讨论了FED显示器今后可能的发展方向。
- 郭太良林志贤吴新坤林建光黄振武林燕飞郭明勇林金堂赵博选林君坦周小红胡利勤何国金廖志君张芳朱佳
- 关键词：场致发射显示器电子发射真空镀膜丝网印刷
- 基于Lotus平台的GSM Modem开发与应用的可行性与需求分析
- 2009年
- 在短消息业务快速发展的背景下,短消息在无线监控与数据采集方面的应用作为研究课题就有着重要的现实意义和实际价值。文章主要就这一课题的可行性和需求进行分析,并得出该项目具有很大的市场和应用价值的结论。
- 林建光
- 关键词：GSMMODEM短消息业务可行性
- 光阴极组制备技术-真空静电封接
- 郭太良林立炜林建光
- 该成果是复合型透射式负电子亲和势光阴极的前程工艺中一项重要工艺。它采用SEM、SIMS等表面分析仪器对封接界面进行了形成和成分分析，首次提出了封接界面处存在 一个电子反射屏，对其硅内部光电子运动有反射作用，从机理上提出了...
- 关键词：
- 关键词：透明光电阴极
- 印刷型FED场致发射显示器的研制
- 采用丝网印刷、真空镀膜和阴极激活技术,我们研制出能显示视频图象的20英寸单色和彩色FED显示器样机,其亮度分别已达300cd/m<'2>和150cd/m<'2>,单色对比度已达400:1.文中详细讨论了阴极激活降低阴极表...
- 郭太良林志贤林建光吴新坤黄振武林金堂林燕飞郭明勇赵博选林君坦周小红胡利勤张永爱何国金廖志君
- 关键词：场致发射显示器丝网印刷电子发射
- 文献传递
- 硫化温度和时间对Sn_xS_y薄膜结构和成分的影响被引量：1
- 2010年
- 用热蒸发技术在玻璃基片上沉积一层sn薄膜，在真空条件下，将其在150～300℃下硫化30．60min．对在不同温度和时间下硫化的薄膜进行结构、成分和表面形貌分析，结果表明：在不同温度和不同时间下硫化，所得到的薄膜在物相结构、成分和表面形貌上都存在差异．当硫化温度为240℃、硫化时间为45min时，所制得的薄膜为正交结构的SnS多晶薄膜，其均匀性、致密性以及对基片的附着力都较好，具有（111）方向优先生长，薄膜粒径在200～800nm，且晶格常数与标样的数值吻合很好．
- 林建光彭少朋程树英
- 关键词：硫化温度硫化时间
