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李虹

作品数:144 被引量:122H指数:7
供职机构:北京交通大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金北京市自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域:电气工程电子电信自动化与计算机技术理学更多>>

文献类型

  • 104篇专利
  • 31篇期刊文章
  • 6篇会议论文
  • 2篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 50篇电气工程
  • 19篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 3篇理学
  • 2篇经济管理
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇建筑科学
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇社会学

主题

  • 49篇变换器
  • 31篇电路
  • 23篇电力电子
  • 22篇电压
  • 18篇电力
  • 16篇增益
  • 15篇电流
  • 15篇拓扑
  • 14篇电容
  • 14篇开关
  • 14篇并网
  • 13篇电磁
  • 13篇逆变
  • 13篇逆变器
  • 13篇混沌
  • 13篇高增益
  • 11篇电感
  • 11篇软开关
  • 11篇函数
  • 10篇升压

机构

  • 144篇北京交通大学
  • 13篇华南理工大学
  • 2篇清华大学
  • 2篇中国科学院数...
  • 2篇北京卫星制造...
  • 2篇泰科天润半导...
  • 1篇北京航空航天...
  • 1篇山东大学
  • 1篇中国铁道科学...
  • 1篇国家自然科学...
  • 1篇佛罗里达大学
  • 1篇中国人民解放...
  • 1篇国网北京市电...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇中国电力科学...
  • 1篇广东电网有限...
  • 1篇北京卫星制造...
  • 1篇武汉永力睿源...
  • 1篇全球能源互联...
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 144篇李虹
  • 84篇郑琼林
  • 48篇张波
  • 31篇孙湖
  • 30篇郝瑞祥
  • 29篇游小杰
  • 23篇杨志昌
  • 19篇林飞
  • 19篇吕金虎
  • 19篇杨中平
  • 11篇张波
  • 11篇王琛琛
  • 9篇李艳
  • 9篇张立伟
  • 7篇刘建强
  • 6篇郭希铮
  • 6篇黄先进
  • 6篇尚佳宁
  • 5篇贺明智
  • 5篇杨铎

传媒

  • 10篇中国电机工程...
  • 7篇电源学报
  • 4篇电工技术学报
  • 2篇电子质量
  • 2篇电力电子
  • 2篇第六届电工技...
  • 1篇物理学报
  • 1篇施工技术
  • 1篇电工电能新技...
  • 1篇电源技术应用
  • 1篇电源世界
  • 1篇北京交通大学...
  • 1篇中国高等学校...

年份

  • 8篇2024
  • 9篇2023
  • 12篇2022
  • 13篇2021
  • 19篇2020
  • 20篇2019
  • 7篇2018
  • 11篇2017
  • 10篇2016
  • 7篇2015
  • 11篇2014
  • 5篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2009
  • 1篇2007
  • 4篇2006
  • 1篇1999
144 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
适用于电动汽车的SiC MOSFET PSpice仿真模型研究被引量:1
2016年
为了基于PSpice电路对电动汽车DC/DC变换器中的碳化硅(SiC)MOSFET的工作特性进行实时准确地仿真,针对SiC MOSFET提出了一种新型的电压控制电流源型VCCST(voltage-controlled current source type)PSpice仿真模型。首先,为了获得SiC MOSFET准确的静态特性建立了电压控制电流源作为SiC MOSFET的内核,以描述SiC MOSFET的转移特性和输出特性;然后,为了获得SiC MOSFET准确的动态特性,建立了基于电压控制电流源与恒定电容的栅漏电容(CGD)子电路模型,所提SiC MOSFET VCCST PSpice模型在简化参数提取方法的同时,能够满足模型准确性的要求;最后,建立的SiC MOSFET VCCST PSpice模型应用于Boost变换器进行仿真和实验,并对SiC MOSFET的特性进行测试。测试结果验证了所提SiC MOSFET VCCST PSpice仿真模型的准确性和实时性,从而为SiC MOSFET在电动汽车DC/DC变换器中的设计和应用提供了便利。
赵波周哲徐艳明李虹郑琼林
关键词:电动汽车SICMOSFETPSPICE模型
抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究被引量:14
2019年
为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。其开关过程中存在瞬态电压电流尖峰和高频振荡,不仅对半导体器件的安全运行构成威胁,而且会恶化电力电子变换器的电磁兼容性。该文针对SiCMOSFET开关过程中存在的瞬态电压电流尖峰和振荡的问题,分析SiCMOSFET开关过程及瞬态电压电流尖峰和振荡产生机理,并在此基础上提出一种电流注入型有源驱动电路。该有源驱动电路通过在SiCMOSFET开通过程的电流上升阶段向栅极注入反向电流,在关断过程的电流下降阶段向栅极注入正向电流,以达到抑制开关过程瞬态电压电流尖峰和振荡的目的。实验结果表明,提出的有源驱动电路能够有效抑制SiCMOSFET开关过程瞬态电压电流的尖峰和高频振荡,从而从源头上改善了电力电子变换器的电磁兼容。
冯超李虹蒋艳锋赵星冉杨志昌
关键词:有源驱动振荡
SiC MOSFET仿真模型的建模方法
本发明公开了一种碳化硅SiC MOSFET仿真模型的建模方法,包括以下步骤:采用等效电路建模的方法对SiC MOSFET进行建模以获得第一模型;根据SiC MOSFET的Datasheet提供的转移特性曲线和输出特性曲线...
李虹徐艳明郑琼林杨志昌林飞杨中平郭希铮游小杰孙湖
文献传递
基于碳化硅MOSFET的驱动电路
本发明涉及一种基于碳化硅MOSFET的驱动电路。该驱动电路的开通和关断回路经过不同的回路,还包括:四个电容C<Sub>a1_H</Sub>、C<Sub>a2_H</Sub>、C<Sub>a1_L</Sub>和C<Sub>...
李艳梁美郑琼林郝瑞祥李虹林飞游小杰
文献传递
基于二极管支路的电流线性无谐振软开关电路
本发明公开了一种基于二极管支路的电流线性无谐振软开关电路,包括:电感、辅助电感、开关管、二极管和分流支路,其中,电感的一端、开关管的第一电极、辅助电感的一端均与分流支路的一端相连,电感的另一端与第一外部电路相连,开关管的...
李虹曾洋斌王文财张波郑琼林
文献传递
基于电容箝位的三相交错并联超高增益升压变换器
本发明公开了一种基于电容箝位的三相交错并联超高增益升压变换器,包括:负载;正向电容箝位电路,包括第一电容、第二电容、第一二极管和第二二极管;反向电容箝位电路,包括第三电容、第四电容、第三二极管和第四二极管;三相交错并联B...
李虹曾洋斌王文财张波吕金虎郑琼林
一种高速列车直流侧二次脉动引起的转矩脉动抑制系统
本发明公开了一种高速列车直流侧二次脉动引起的转矩脉动抑制系统,包括以下模块:转矩计算、磁通计算、电压解耦、比例-积分-谐振PIR控制器模块、旋转变换、2/3变换、SPWM调制、ω<Sub>st</Sub>模块、积分、旋转...
林飞杨中平师维王琛琛郭希铮王剑刘建强黄先进张立伟孙湖李艳李虹贺明智郝瑞祥游小杰郑琼林
文献传递
一种电力电子变换器的时域动态特性改善控制生成方法
本发明提出一种电力电子变换器的时域动态特性改善控制生成方法,包括,通过状态空间平均法对电力电子变换器系统进行时域建模,得到雅可比矩阵;根据雅可比矩阵中各特征值实部模值和各特征值所形成子动态响应最大值描述电力电子变换器系统...
李虹周泽曦潘锦昌刘倩
基于非谐振软开关的两级式升压逆变器
本发明公开了一种基于非谐振软开关的两级式升压逆变器,该逆变器包括:输入电源、第一电感、第一开关管、第一电容、第一二极管、第二电感、第二电容、第二二极管、第三二极管、第三电容、第二开关管、第三开关管、第四开关管和第五开关管...
李虹陈紫琦杜海涛张波郑琼林
单电感单开关高增益电容钳位式直流升压变换器
本发明提出一种单电感单开关高增益电容钳位式直流升压变换器,包括:电容钳位电路和Boost电路,其中,电容钳位电路由蓄能电容C<Sub>1</Sub>、钳位电容C<Sub>2</Sub>、二极管D<Sub>1</Sub>和...
李虹曾洋斌郑琼林孙湖郝瑞祥
文献传递
共15页<12345678910>
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