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李彦波

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 4篇锑化物
  • 3篇电子迁移率
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 2篇势垒
  • 2篇输运
  • 2篇晶体管结构
  • 2篇隔离层
  • 2篇红外
  • 1篇砷化铟
  • 1篇双色探测器
  • 1篇探测器
  • 1篇面阵
  • 1篇晶格
  • 1篇化物
  • 1篇焦平面
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇红外焦平面

机构

  • 5篇中国科学院

作者

  • 5篇李彦波
  • 5篇曾一平
  • 4篇张杨
  • 3篇刘超
  • 2篇赵杰

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇半导体光电

年份

  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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锑化物HEMT器件研究进展
2011年
由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景。
李彦波刘超张杨曾一平
关键词：高电子迁移率晶体管HEMT
锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离...
李彦波张杨曾一平
文献传递
锑化物超晶格红外探测器的研究进展被引量：5
2010年
InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。
李彦波刘超张杨赵杰曾一平
关键词：双色探测器
锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法
本发明公开了一种锑化物高电子迁移率晶体管，包括：一衬底；一复合缓冲层，该复合缓冲层生长在衬底上；一锑化物下势垒层，该锑化物下势垒层生长在复合缓冲层上；一沟道层，该沟道层生长在锑化物下势垒层上；一锑化物隔离层，该锑化物隔离...
李彦波张杨曾一平
Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展被引量：4
2011年
Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望。
赵杰刘超李彦波曾一平
关键词：分子束外延X射线探测器红外焦平面阵列
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