李嘉炜
- 作品数：6 被引量：4H指数：2
- 供职机构：浙江大学材料科学与工程学系硅材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- GaN系量子阱器件的研究进展被引量：2
- 2001年
- 介绍了在蓝宝石衬底和 ELOG (外延横向过生长 )衬底上生长的 In Ga N量子阱 LED和 LD结构 ,并描述了 LED和
- 李嘉炜王宇叶志镇
- 关键词：量子阱器件氮化镓
- 通过离子注入进行硅基GaN的P型掺杂
- 本文中我们利用离子注入的方法对本系统外延生长的GaN薄膜进行Mg掺杂,通过在N<,2>气氛中退火,使用掺杂区域的本征N型GaN转为P型,空穴浓度为2.70×10<'17>/cm<'3>,迁移率为9.39cm<'2>/Vs...
- 张昊翔叶志镇赵炳辉王宇李嘉炜
- 关键词：离子注入GAN薄膜
- 文献传递
- 自组装InGaN/GaN量子点的研究进展被引量：2
- 2002年
- GaN基量子点的生长及其特性已成为目前Ⅲ Ⅴ族半导体研究的热点。由于其较强的量子效应 ,量子点结构的光电器件有望获得比量子阱器件更优异的性能。总结了InGaN/GaN量子点的最新研究进展 ,从生长模式、发光特性和制造工艺三个方面对InGaN/GaN量子点做了较详细的介绍 。
- 李嘉炜叶志镇Nasser N M
- 关键词：INGAN量子点发光特性
- 硅基GaN欧姆接触及紫外探测器的研究
- 本硕士论文选题于国家教育部跨世纪人才和国家自然资金/(No. 69890230/)资助的项目“硅基GaN的外延生长及器件应用”的一部分研究工作。
近年来，宽禁带半导体材料GaN由于其在短波长...
- 李嘉炜
- 关键词：GAN材料紫外光探测器
- 文献传递
- 二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响
- 2003年
- 采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触。通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法。结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高。
- 邵庆辉李蓓李嘉炜黄靖云叶志镇
- 关键词：欧姆接触氮化镓界面固相反应
- Si基n型GaN的欧姆接触研究
- 2003年
- GaN材料在光电子器件领域的广泛应用前景使得金属与其欧姆接触的研究成为必然。本文对Si基n型GaN上的Al单层及Ti/Al双层电极进行了研究。通过对不同退火条件下的I U特性曲线 ,X射线衍射以及二次离子质谱分析 ,揭示了界面固相反应对欧姆接触的影响 。
- 李嘉炜何乐年陈忠景叶志镇
- 关键词：欧姆接触半导体界面固相反应氮化镓
