李劼
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
- 供职机构：西安电子科技大学更多>>
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- 碳化硅单晶微管道缺陷测试研究被引量：2
- 2011年
- 本文着重研究了SiC晶体微管道测量的两种方法,即KOH腐蚀法和不腐蚀测试法,并对方法及其测量结果进行比较分析,实现对SiC单晶微管道缺陷这一表征SiC单晶质量的重要参数的快速准确的测量。
- 章安辉李劼
- 关键词：SIC微管道伯格斯矢量
- 半绝缘半导体切片电阻率无接触测定方法研究被引量：1
- 2009年
- 与很多测试方法一样,电阻率是通过流过电接触样品的电流,测出其电压下降值来测定的。文中通过对无接触和接触两种主要测试方法的研究对比,探讨了用电容式探测器对半绝缘半导体切片电阻率的无接触测定,并论述了其测试原理、测试所用电容器、测试条件、测试过程及结果计算。
- 秦涛何秀坤董彦辉李劼
- 关键词：电阻率电容器
- 用体式显微镜研究SiC单晶中的微管缺陷
- 2009年
- 用拉曼光谱、X射线双晶衍射仪以及体式显微镜,对升华法生长的6H-SiC单晶品质、SiC单晶中的微管缺陷进行表征。通过对SiC单晶腐蚀前后的微管数目比较发现,微管尺寸和其所形成的腐蚀坑大小并不是呈线性关系,腐蚀前后用体式显微镜观察到的微管数目大致相等。从实验数据发现,微管的尺寸有最小值,这给SiC微管密度分布,提供了一种无损检测方法。
- 李劼章安辉何秀坤曹全喜秦涛
- 关键词：微管SIC计数
- 碳化硅单晶微管缺陷的表征及分布规律研究
- 碳化硅作为最新的第三代半导体材料，具有耐高温、高热导率、高击穿电压等优异特性，碳化硅器件可以在极端条件下工作。本文介绍了碳化硅单晶的生长过程及其性质，尤其对影响碳化硅单晶品质的各种缺陷做了详细的说明。微管缺陷作为对碳化硅...
- 李劼
- 关键词：碳化硅
- 文献传递
