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文震

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 11篇纳米
  • 6篇电子迁移率
  • 6篇四氧化三钴
  • 6篇迁移率
  • 6篇传感
  • 5篇气敏
  • 5篇感器
  • 5篇传感器
  • 3篇气敏性
  • 3篇气敏性能
  • 3篇气体传感
  • 3篇气体传感器
  • 3篇钴盐
  • 3篇纳米材料
  • 3篇纳米阵列
  • 3篇内角
  • 3篇半导体纳米材...
  • 2篇氧化锌纳米
  • 2篇氧化锌纳米棒
  • 2篇气敏传感器

机构

  • 11篇浙江大学

作者

  • 11篇文震
  • 10篇朱丽萍
  • 5篇李亚光
  • 4篇万尾甜
  • 4篇许鸿斌
  • 4篇张翔宇
  • 4篇陈文丰
  • 3篇胡亮
  • 2篇梅伟民
  • 2篇牛文哲
  • 2篇张子悦
  • 2篇杨美佳
  • 1篇郭艳敏
  • 1篇蒋杰

年份

  • 1篇2019
  • 4篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法
本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的...
朱丽萍文震牛文哲万尾甜许鸿斌陈文丰周梦萦张翔宇
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一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米线阵列的酒精气体传感器，该酒精气体传感器包括绝缘基片、电极层和传感导电体，所述的传感导电体是由水热法直接生长于绝缘基片上的四氧化三钴纳米阵列构成。本发明还提供了所述酒精气体传感器的制备方...
朱丽萍文震梅伟民李亚光胡亮郭艳敏蒋杰
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一种菱形氧化锌纳米棒阵列及其制备方法
本发明公开了一种菱形氧化锌纳米棒阵列，菱形的边长为100～1000nm，菱形内角的锐角为30°～60°，阵列的长度为5μm～20μm。本发明氧化锌纳米棒阵列具有较大的比表面积和电子迁移率，可以提供更多空间以利于气体分子的...
朱丽萍文震牛文哲万尾甜许鸿斌陈文丰周梦萦张翔宇
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一种基于四氧化三钴纳米针的气敏传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米针阵列的气敏传感器及其制备方法，该传感器的结构自下往上依次为绝缘基片、梳状交叉电极层和四氧化三钴气敏传感层，四氧化三钴气敏传感层为四氧化三钴纳米针阵列。本发明气敏传感器的基于水热反应制备...
朱丽萍文震李亚光
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一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途
本发明公开了一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途。这种特殊的交叉四氧化三钴纳米片阵列中各纳米片之间相互交叉穿过，纳米片为介孔结构，在111℃左右选择性检测丙酮的灵敏度最高，为16.5。本发明的交...
朱丽萍张子悦文震
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一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途
本发明公开了一种交叉四氧化三钴纳米片阵列、包含所述阵列的气体传感器及其用途。这种特殊的交叉四氧化三钴纳米片阵列中各纳米片之间相互交叉穿过，纳米片为介孔结构，在111℃左右选择性检测丙酮的灵敏度最高，为16.5。本发明的交...
朱丽萍张子悦文震
一种基于四氧化三钴纳米针的气敏传感器及其制备方法
本发明公开了一种基于四氧化三钴纳米针阵列的气敏传感器及其制备方法，该传感器的结构自下往上依次为绝缘基片、梳状交叉电极层和四氧化三钴气敏传感层，四氧化三钴气敏传感层为四氧化三钴纳米针阵列。本发明气敏传感器的基于水热反应制备...
朱丽萍文震李亚光
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金属氧化物半导体纳米材料气敏传感性能及其自驱动系统的研究
金属氧化物半导体纳米材料因其制备方法简单、成本低、对多种气体有响应等特性而被广泛应用于气敏传感领域。近年来，针对金属氧化物半导体气敏材料的研究一直是作为提升气敏传感性能的主要突破点而备受重视，主要研究方向包括材料类型、形...
文震
关键词：半导体材料金属氧化物气敏性能
过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的制备方法及包括该纳米阵列的半导体器件
本发明属于半导体纳米材料制备技术领域，是一种利用无模板电化学沉积生长过渡金属元素掺杂的ZnO纳米阵列的方法。本发明采用标准三电极体系，以铂电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，导电基底作为工作电极。电解液由KCl、锌源Z...
朱丽萍万尾甜杨美佳胡亮李亚光许鸿斌陈文丰文震周梦萦张翔宇
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一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途
本发明涉及一种四氧化三钴纳米线阵列、其制备方法以及作为锂离子电池负极的用途。该四氧化三钴纳米线阵列，其形貌为菱形结构，菱形的边长为100nm~500nm，菱形内角的锐角为30°~60°，阵列长度为5μm~20μm。本发明...
朱丽萍文震梅伟民
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