张玉佩
- 作品数：11 被引量：1H指数：1
- 供职机构：桂林电子科技大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广西信息材料重点实验室主任基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术一般工业技术电气工程电子电信更多>>
- 自整流电致阻变异质结的制备与性能研究
- 王华许积文杨玲周尚菊任明放高书明孙丙成李志达张玉佩
- 存储器是计算机、通讯设备等信息处理系统中不可或缺的关键组成部分，已成为其关键技术和经济影响因素之一。然而，当今在快速存取数据存储器中居支配地位的半导体随机存储器(SRAM)存在重大缺陷：电源一消失就会失去所有信息，即挥发...
- 关键词：
- 关键词：存储器
- 锰酸锌电致阻变薄膜及其p-n异质结的制备与性能研究
- 随着计算机、手机、MP3、数码相机等便携式电子设备的普及,非挥发性存储器在断电情况下继续保存数据,因此在信息存储中扮演着越来越重要的角色。阻变存储器(RRAM)具有存储单元结构简单、速度快、功耗低、信息保持稳定、非挥发性...
- 张玉佩
- 文献传递
- 预热处理温度对低温制备Mn掺杂ZnO薄膜结构和阻变性能的影响
- 2015年
- 以水合乙酸锌、水合乙酸锰为前驱体,利用溶胶-凝胶旋涂法在p＋-Si衬底上制备Mn掺杂的ZnO阻变薄膜（MZO）。研究工艺中预热处理温度对薄膜的微观结构、阻变特性的影响,分析了薄膜高阻态和低阻态的导电机理。结果表明：经250、300℃预热处理的MZO薄膜孔洞较多,而经350℃预热处理的MZO薄膜致密,无孔洞且呈c轴择优取向生长;经不同温度预热处理所制备的Ag/MZO/p＋-Si器件均呈双极性的阻变特性,但经350℃预热处理的器件样品具有更显著的阻变行为和更高的高、低电阻比RHRS/RLRS（104~106）;器件在高阻态的低压区为欧姆导电,高阻态高压区为肖特基发射电流传导,在低阻态为空间电荷限制电流（SCLC）传导。
- 陈齐松王华许积文韦长成张玉佩
- 关键词：溶胶凝胶
- 一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi<Sub>4</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、...
- 许积文王华周尚菊杨玲丘伟张玉佩
- 文献传递
- ZnMn_2O_4陶瓷的固相法合成及其电性能被引量：1
- 2014年
- 采用传统固相合成工艺制备ZnMn2O4陶瓷,借助XRD、SEM等分析手段确定制备ZnMn2O4陶瓷所需的最佳预烧温度和烧结温度,研究不同烧结温度对ZnMn2O4陶瓷交流阻抗谱的影响。介绍了ZnMn2O4薄膜的制备和阻变特性。结果表明:ZnMn2O4陶瓷的最佳预烧温度和烧结温度分别为750、1 100℃;在750℃预烧、1 100℃烧结温度条件下,几乎没有气孔;ZnMn2O4陶瓷模拟等效电路为(R(C(RQ))),低频区电荷扩散属于平面无限扩散过程,高频区界面阻抗近似无穷大;介电常数随烧结温度的增大而减小,介电损耗随烧结温度的增大而增大;磁控溅射可得到ZnMn2O4薄膜且具备阻变特性。
- 李志达王华许积文张玉佩杨玲丘伟
- 关键词：固相合成法交流阻抗谱介电性能
- 一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
- 本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-x</Sub>Ce<Sub>x</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/TiO<Sub>2</Sub>/...
- 王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
- 文献传递
- 一种基于钛酸铋的阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种基于钛酸铋材料的阻变存储器及其制备方法。阻变存储介质层为Bi<Sub>4</Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>及其掺杂物，掺杂元素包括Nb、Ta、La、Sr、V、Nd、Ce、...
- 许积文王华周尚菊杨玲丘伟张玉佩
- 文献传递
- 一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<I><Sub>x</Sub></I>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
- 本发明公开了一种Ce掺杂Bi<Sub>4-<I>x</I></Sub>Ce<Sub><I>x</I></Sub>Ti<Sub>3</Sub>O<Sub>12</Sub>电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法，包括以Pt/Ti...
- 王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
- 文献传递
- 一种Ce掺杂Bi4-xCexTi3O12电致阻变薄膜及其阻变电容的制备方法
- 王华孙丙成许积文周尚菊杨玲张玉佩李志达赵霞妍
- 普遍应用的半导体动态随机存取存储器（DRAM）存在挥发性缺陷，即当电源关闭时，会从DRAM中擦除所有已存储的数据，使数据丢失。然而Flash等非挥发性存储器又存在读写速度慢、存储密度低等技术障碍，同时还面临严重的缩放问题...
- 关键词：
- 关键词：磁存储器
- 一种非极性阻变存储器及其制备方法
- 本发明公开了一种非极性阻变存储器及其制备方法，包括导电衬底兼下电极、阻变存储介质、金属上电极。导电衬底材料为p<Sup>+</Sup>型硅片衬底，阻变存储介质薄膜为ZnMn<Sub>2</Sub>O<Sub>4</Sub...
- 许积文王华周尚菊杨玲丘伟张玉佩
- 文献传递
