张庆钊
- 作品数：48 被引量：26H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学金属学及工艺更多>>
- 一种非金属真空腔室结构
- 本发明公开了一种非金属真空腔室结构，属于等离子体技术领域。所述非金属真空腔室结构包括进气口、上盖板、腔室筒体、射频线圈、下盖板和排气口；进气口设置于上盖板的中心处，排气口设置于下盖板的中心处，上盖板、下盖板与腔室筒体密封...
- 席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 文献传递
- 一种P型氧化锌薄膜制备装置及方法
- 本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种p型氧化锌薄膜制备装置，所述装置为原子层沉积设备，所述原子层沉积设备包括反应腔室，所述反应腔室内从上至下依次设有上电极罩、绝缘盘、下电极盘和加热盘；所述上电极罩与正电极相连接...
- 程嵩卢维尔夏洋李楠李超波张庆钊
- 高线密度X射线透射光栅的制作工艺被引量：13
- 2007年
- 采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅.首先利用电子束光刻和微电镀技术制备基于镂空薄膜结构的X射线光刻掩模,然后利用X射线光刻经济、高效地复制X射线透射光栅.整个工艺流程分别利用了电子束光刻分辨率高和X射线光刻效率高的优点,并且可以得到剖面陡直的纳米级光栅线条.最后,测量了制作出的X射线透射光栅对波长为11nm同步辐射光的衍射峰,实验结果表明该光栅具有良好的衍射特性.
- 朱效立马杰曹磊峰杨家敏谢常青刘明陈宝钦牛洁斌张庆钊姜骥赵珉叶甜春
- 关键词：电子束光刻透射光栅X射线光刻
- 一种调节真空设备样品台角度的装置
- 本发明公开了一种调节真空设备样品台角度的装置，所述装置包括：底板法兰；固定杆；联轴器，所述联轴器与所述固定杆的另一端连接，且所述联轴器与样片台连接；支撑架；支撑法兰；丝杆法兰；滑块，所述滑块设置在丝杆法兰上，且所述滑块与...
- 郭晓龙张庆钊
- 文献传递
- 90nm硅栅过刻蚀工艺中功率对等离子体性质的影响被引量：2
- 2007年
- 通过实验对适用于90nm多晶硅栅刻蚀工艺中过刻蚀阶段等离子体的性质进行了研究分析.实验采用满足200mm硅晶片刻蚀的电感耦合多晶硅刻蚀设备,借助等离子体分析仪器(朗缪尔探针)进行实验数据测定,得到了等离子体性质与功率、气体流量等外部参数的关系.实验表明在射频功率增加的过程中,能量耦合系数处于一个相对稳定的常值;当等离子体处于局部加热状态时,绝大部分的电子处于附着状态,维持等离子体的电子数目相对减少.等离子体中的射频能量耦合空间随着射频功率的增加,分布状态会变得更加一致化.
- 张庆钊谢长青刘明李兵朱效立
- 关键词：等离子体干法刻蚀朗谬尔探针
- 一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置
- 本发明公开了一种石墨烯表面选区改性加工方法及装置，所述方法包括：用激光扫描衬底样片表面的预设区域，以提高所述预设区域覆盖的石墨烯薄膜材料表面的悬挂键数量；采用原子层沉积方法，在所述衬底样片表面进行薄膜沉积，以在所述预设区...
- 解婧屈芙蓉卢维尔李楠张庆钊夏洋
- 刻蚀系统机柜
- 1.本外观设计产品的名称：刻蚀系统机柜。;2.本外观设计产品的用途：用于中性粒子刻蚀系统、也可用于等离子刻蚀、去胶、清洗、沉积、注入、键合等带有预腔室结构的半导体工艺系统。;3.本外观设计的设计要点：外部形状。;4.最能...
- 席峰胡冬冬屈芙蓉刘训春李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 一种用于进气结构的匀气盘
- 本发明涉及等离子刻蚀、淀积设备技术领域，具体涉及一种应用于等离子刻蚀、淀积设备的进气结构中的匀气盘。所述用于进气结构的匀气盘上分布若干小孔，所述小孔从所述匀气盘的中心到边缘按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布...
- 李楠席峰李勇滔张庆钊夏洋
- 文献传递
- 产生中性粒子束的装置及方法
- 本发明公开了一种产生中性粒子束的装置，包括反应腔体、放置芯片的载片台、等离子源、上网板，所述上网板、等离子源和所述载片台设置在所述反应腔体内部，所述上网板设置在所述等离子源上方，所述等离子源和所述载片台之间依次设置有中网...
- 席峰李勇滔李楠张庆钊夏洋
- 文献传递
- ICP等离子体刻蚀系统射频偏压的实验研究被引量：3
- 2008年
- 对于上下电极双射频源的电感耦合(ICP)等离子体刻蚀设备的关键工艺参数——下电极射频偏压的变化特性进行了实验与物理定性分析.实验以氧气作为反应气体,采用可满足300mm硅晶片刻蚀的ICP刻蚀设备的射频系统进行实验数据测定.结果表明,下电极射频偏压与其他工艺参数在可适用的工艺窗口中(改变上下电极功率和气体压力)不再是平常认为的简单的比例关系,而是随着条件的改变,对应的趋势比例关系会发生转折性变化,这种变化在高上电极射频、低下电极射频功率和低气压的条件下很容易发生.
- 张庆钊谢常青刘明李兵朱效立陈宝钦
- 关键词：等离子体ICP干法刻蚀
