张召涛
- 作品数：7 被引量：13H指数：3
- 供职机构：重庆师范大学物理与电子工程学院更多>>
- 发文基金：重庆市教委科研基金重庆市教育委员会科学技术研究项目重庆市自然科学基金更多>>
- 相关领域：自动化与计算机技术理学电子电信更多>>
- WO_3薄膜的制备及气敏特性研究进展被引量：3
- 2007年
- WO_3薄膜是一种智能材料,在电致变色、共催化和气敏性方面具有广阔的应用前景。综述了WO_3薄膜材料的制备方法及现状,并时其优缺点进行了评价。介绍了气敏性方面的应用和机理,说明了不同掺杂对气敏的影响;并对今后的发展方向提出了一些看法。
- 张召涛杨晓红马勇穆建国
- 关键词：三氧化钨气敏薄膜气敏机理
- WO<sub>3</sub>薄膜的制备及性能研究
- 纳米三氧化钨是重要的半导体材料,在信息存储、变色窗、燃料电池、化学传感器等领域有着广泛的应用前景,成为目前最具开发潜力的材料之一。而特殊结构和形貌是影响材料性质的主要因素,因此,对氧化钨基纳米材料的制备与物理化学性质进行...
- 张召涛
- 关键词：磁控溅射光学性能气敏特性
- 氧浓度对磁控溅射Ti/WO_3薄膜光学性能的影响被引量：2
- 2009年
- 在不同氧浓度下,采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Ti掺杂的WO3薄膜并在450℃退火。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构和光学性质进行表征,分析了不同氧浓度对气敏薄膜的透光率、微结构及光学带隙的影响。结果表明,氧浓度增大,沉积速率越慢,膜厚度减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大;透射率曲线随着氧浓度的增加逐渐向短波方向移动,表明薄膜的光学带隙宽度随氧浓度的增大而变大。
- 孙彩芹杨晓红闫勇彦张召涛
- 关键词：直流磁控溅射氧浓度透射率
- 退火处理对Ti-WO_3薄膜的结构和气敏特性的影响被引量：4
- 2008年
- 用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等。研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响,找出了最佳退火温度和工作温度;并对机理进行了分析。结果表明:450℃退火的薄膜的气敏效应很好,最佳工作温度在150℃左右;
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦朱绍平
- 关键词：直流磁控溅射退火气敏特性
- WO3薄膜的制备及性能研究
- 纳米三氧化钨是重要的半导体材料，在信息存储、变色窗、燃料电池、化学传感器等领域有着广泛的应用前景，成为目前最具开发潜力的材料之一。而特殊结构和形貌是影响材料性质的主要因素，因此，对氧化钨基纳米材料的制备与物理化学性质进行...
- 张召涛
- 关键词：WO3薄膜磁控溅射光学性能气敏特性
- 文献传递
- 掺杂ZnO气敏特性的研究进展被引量：4
- 2007年
- ZnO是一种新型的、性能优良的半导体材料。本文介绍了ZnO的制备和掺杂研究进展及其气敏机理,并指出了今后的发展趋势。
- 穆建国马勇张召涛刘润华
- 关键词：ZNO掺杂气敏特性
- 磁控溅射Ti/WO_3薄膜的微结构及光学性能
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备不同氧分压的Ti掺杂的WO3薄膜。用X射线衍射(XRD)、分光光度计、台阶仪等对薄膜的结构、光学性质进行表征;分析不同的氧分压对气敏薄膜透光率和结构的影响。结果表明,氧分压增大,膜厚减小,薄膜的平均晶粒尺寸增大,晶面间距增大,光学带隙变小。并用包络线法和经验公式法计算出薄膜的光学常数,结果表明,折射率和消光系数随氧分压的增加而增大。
- 张召涛杨晓红马勇孙彩芹闫勇彦
- 关键词：磁控溅射微结构光学常数
