廖任远
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：厦门大学更多>>
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- 异质结带阶计算简化模型及应用与磁场下单量子阱中电子的能带结构
- 该论文的工作可分两部分.第一部分是关于异质结带阶的研究.第二部分研究周期性磁场下单量子阱中电子的能带结构.在带阶研究中,我们主要对应变层异质结的带阶进行研究.首先采用基于密度泛函理论框架下的模守恒赝势法计算得到体半导体材...
- 廖任远
- 关键词：异质结
- 文献传递
- 平均键能方法在应变层异质结带阶计算中的简化模型
- 2001年
- 将平均键能方法推广应用于应变层异质结的价带和导带阶研究。通过平均带阶参数形变势amv来研究带阶参数Emv随应变状态的变化关系 ,发现平均带阶参数Emv .av=Em-Ev .av在不同应变状态下基本上保持不变。因此 ,在应变层带阶参数Emv的计算中 ,只需计算其发生应变前体材料的带阶参数Emv .0 值并引用形变势b和SO裂距Δ0 的实验值 ,通过简便的代数运算即可得到应变层的Emv值 ,从而方便地预言不同应变层异质结的价带带阶。本文引入带隙形变势aGap来描述带隙改变量ΔEg 随应变状态的变化。由导带带阶和价带带阶的关系ΔEc=ΔEg+ΔEv 可以求出不同应变情况下的导带带阶。
- 廖任远蔡淑惠郑永梅王仁智李书平
- 关键词：平均键能异质结应变层半导体能级
- 周期性磁场下的GaAs/Al_(x)Ga_(1-x)As单量子阱中电子的能带结构被引量：1
- 2000年
- 为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响 ,采取了一种简单的可解析求解的模型 ,研究了周期性磁场下的 Ga As/ Alx Ga1 -x As单量子阱中电子的能带结构 ,发现在周期性磁场的作用下 ,在 z方向上的能量是分立的量子化能级 ,而原来在 x- y平面内连续的能级分裂成分立的一系列许可带 ,但是在 x方向上能量仍然是连续的 。
- 廖任远郑永梅王仁智李书平
- 关键词：电子能带结构
