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崔颖超
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供职机构:
南京大学
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相关领域:
理学
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合作作者
郑有炓
南京大学
修向前
南京大学
韩平
南京大学
张荣
南京大学
宋黎红
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铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
LiNbO<Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯...
谢自力
张荣
严文生
修向前
韩平
陈鹏
陆海
赵红
刘斌
李弋
宋黎红
崔颖超
施毅
郑有炓
文献传递
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
LiNbO <Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高...
谢自力
张荣
严文生
修向前
韩平
陈鹏
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赵红
刘斌
李弋
宋黎红
崔颖超
施毅
郑有炓
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一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是:采用MOCVD生长方法,(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料,在MOCVD生长系统中通入H<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>或H<Sub>2<...
谢自力
张荣
陶志阔
崔旭高
陈鹏
修向前
韩平
赵红
刘斌
李弋
宋黎红
崔颖超
施毅
郑有炓
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GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂,在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体,可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材...
谢自力
张荣
崔旭高
陶志阔
修向前
韩平
陈鹏
赵红
刘斌
李弋
宋黎红
崔颖超
施毅
郑有炓
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采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN/GaN异质结的应变状态
2009年
利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下Al组分的计算方程式,得出完全应变情况下Al组分为30%,与卢瑟福背散射实验结果比较符合.
谢自力
张荣
张彤
周元俊
刘斌
张曾
李弋
宋黎红
崔颖超
傅德颐
修向前
韩平
施毅
郑有炓
关键词:
高分辨X射线衍射
弛豫
GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂,在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体,可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材...
谢自力
张荣
崔旭高
陶志阔
修向前
韩平
陈鹏
赵红
刘斌
李弋
宋黎红
崔颖超
施毅
郑有炓
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一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是:采用MOCVD生长方法,(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料,在MOCVD生长系统中通入H<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>或H<Sub>2<...
谢自力
张荣
陶志阔
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