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崔颖超

作品数:7 被引量:0H指数:0
供职机构:南京大学更多>>
发文基金:江苏省自然科学基金国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 6篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 6篇导体
  • 6篇半导体
  • 4篇衬底
  • 4篇磁性半导体
  • 2篇氮化
  • 2篇氮化物
  • 2篇淀积
  • 2篇异质结
  • 2篇室温铁磁性
  • 2篇铁磁
  • 2篇铁磁性
  • 2篇铁电
  • 2篇铁电半导体
  • 2篇气相淀积
  • 2篇量子
  • 2篇量子计算
  • 2篇流量范围
  • 2篇金属有机物
  • 2篇金属有机物化...
  • 2篇蓝宝

机构

  • 7篇南京大学

作者

  • 7篇崔颖超
  • 7篇谢自力
  • 7篇李弋
  • 7篇宋黎红
  • 7篇张荣
  • 7篇韩平
  • 7篇修向前
  • 7篇郑有炓
  • 6篇赵红
  • 6篇陈鹏
  • 6篇施毅
  • 6篇刘斌
  • 4篇崔旭高
  • 4篇陶志阔
  • 2篇严文生
  • 2篇陆海
  • 1篇张彤
  • 1篇傅德颐
  • 1篇张曾
  • 1篇周元俊

传媒

  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
LiNbO<Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高纯...
谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
文献传递
铌酸锂/Ⅲ族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法及应用
LiNbO <Sub>3</Sub>/III族氮化物异质结铁电半导体薄膜制备方法,采用金属有机物化学气相淀积方法在(0001)面蓝宝石衬底上先生长AlN/AlGaN等异质结构材料作为缓冲层或复合衬底;然后在此缓冲层采用高...
谢自力张荣严文生修向前韩平陈鹏陆海赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
文献传递
一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是:采用MOCVD生长方法,(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料,在MOCVD生长系统中通入H<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>或H<Sub>2<...
谢自力张荣陶志阔崔旭高陈鹏修向前韩平赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
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GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂,在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体,可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材...
谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前韩平陈鹏赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
文献传递
采用高分辨XRD确定AlxGa1-xN/GaN异质结的应变状态
2009年
利用高分辨X射线衍射方法,分析了采用金属有机物汽相沉积生长的AlxGa1-xN/GaN薄膜的晶体结构和应变状态.通过(002)和(105)面的倒易空间映射,分析获得AlxGa1-xN外延层的应变程度,并且计算了不同Al组分的AlxGa1-xN在倒易空间图上的弛豫方向;同时利用Vegard原理,推导了在双轴应变下Al组分的计算方程式,得出完全应变情况下Al组分为30%,与卢瑟福背散射实验结果比较符合.
谢自力张荣张彤周元俊刘斌张曾李弋宋黎红崔颖超傅德颐修向前韩平施毅郑有炓
关键词:高分辨X射线衍射弛豫
GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料的制备方法及其应用
本发明采用金属有机物化学气相外延生长技术MOCVD通过Mn掺杂,在蓝宝石衬底材料上生长GaMnN稀释磁性半导体,可获得多种浓度、具有明显的室温铁磁性的GaMnN稀释磁性半导体薄膜材料。该方法生长的Mn掺杂稀释磁性半导体材...
谢自力张荣崔旭高陶志阔修向前韩平陈鹏赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
文献传递
一种Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体的方法及其用途
Fe掺杂生长GaFeN稀释磁性半导体薄膜材料合成方法是:采用MOCVD生长方法,(1)在蓝宝石衬底上高温氮化处理衬底材料,在MOCVD生长系统中通入H<Sub>2</Sub>、N<Sub>2</Sub>或H<Sub>2<...
谢自力张荣陶志阔崔旭高陈鹏修向前韩平赵红刘斌李弋宋黎红崔颖超施毅郑有炓
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共1页<1>
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