封飞飞
- 作品数：5 被引量：10H指数：2
- 供职机构：南昌大学更多>>
- 发文基金：长江学者和创新团队发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究
- 报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术,制备出1 mm×1 mm的芯片,该芯片封装的LED经过900 mA、常温下老化1 044 h后...
- 封飞飞刘军林江风益
- 关键词：硅衬底光衰外量子效率
- 文献传递
- GaN基LED的N极性n型欧姆接触及老化性能研究
- 近年来,GaN材料以其优良的光电性能,一直是半导体材料领域的研究热点,并且在固态照明领域具有诱人的应用前景。目前多数商业化的GaN基LED通常是在蓝宝石和SiC衬底上,通过有机物化学气相沉积生长。相比这两种衬底,硅衬底不...
- 封飞飞
- 关键词：硅衬底欧姆接触GAN基LED
- 硅衬底GaN基LEDN极性n型欧姆接触研究被引量：7
- 2010年
- 在Si衬底GaN基垂直结构LED的N极性n型面上,利用电子束蒸发的方法制作了Ti/Al电极,通过了I-V曲线研究了有无AlN缓冲层对这种芯片欧姆接触的影响.结果显示,去除AlN缓冲层后的N极性n型面与Ti/Al电极在500到600℃范围内退火才能形成欧姆接触.而保留AlN缓冲层的N极性n型面与Ti/Al电极未退火时就表现为较好的欧姆接触,比接触电阻率为2×10-5Ω·cm2,即使退火温度升高至600℃,也始终保持着欧姆接触特性.因此,AlN缓冲层的存在是Si衬底GaN基垂直结构LED获得高热稳定性n型欧姆接触的关键.
- 封飞飞刘军林邱冲王光绪江风益
- 关键词：硅衬底ALN缓冲层欧姆接触
- Si衬底GaN基功率型蓝光LED芯片老化性能研究
- 报道了本研究组制备的Si衬底GaN基功率型垂直结构蓝光LED芯片的光电性能与电流、老化时间的关系。采用压焊和化学腐蚀转移技术，制备出1mm×1mm的芯片，该芯片封装的LED经过900mA、常温下老化1044h后，没有观察...
- 封飞飞刘军林江风益
- 关键词：硅衬底光衰外量子效率
- 文献传递
- 牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：3
- 2011年
- 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.
- 王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益
- 关键词：氮化镓
