孙永强
- 作品数：7 被引量：19H指数：3
- 供职机构：四川大学材料科学与工程学院材料科学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- ZnGeP_2单晶生长温场研究被引量：2
- 2009年
- 根据ZnGeP2（ZGP）晶体的生长特性,自行设计组装了三段式独立控温生长炉,优化了温场分布。采用改进的垂直布里奇曼法成功生长出外观完整、无裂纹的ZGP单晶体,尺寸达φ15 mm×35 mm。对晶体进行解理实验和X射线衍射分析,发现ZGP晶体易沿（101）面解理,其回摆峰尖锐无劈裂。对未经退火处理的晶片进行红外透过率测试,在2-12μm波段内红外透过率达45%以上。研究结果表明所设计的温场适合于ZGP单晶生长,生长出的ZGP晶体完整性好、质量较高。
- 孙永强赵北君朱世富赵欣杨慧光程江张羽陈宝军何知宇
- 关键词：晶体生长红外透过率X射线衍射
- 磷锗锌(ZnGeP_2)单晶体生长研究被引量：3
- 2008年
- 以高纯(6N)Ge、Zn、P单质为原料,按化学计量比并富P 0.1%~0.3%配料,在特殊设计的密封安瓿中,采用改进的两温区气相输运法(MTVM)和机械振荡技术合成出单相致密的ZnGeP2多晶原料。以此为原料,采用改进的垂直布里奇曼法(VBM)生长出尺寸为Φ15 mm×25 mm的ZnGeP2单晶体,呈黑灰色,外观完整、无裂纹。对晶体进行解理试验发现,其存在(112)和(101)两个易解理面;对10×10×2 mm3ZnGeP2晶片,采用同成分粉末包裹,在550~600℃真空退火后,经红外透过率测试结果显示:在2~12μm波段内红外透过率可达55%以上。
- 赵欣朱世富赵北君杨慧光孙永强程江陈宝军何知宇
- 关键词：单晶生长X射线衍射红外透过率
- 通过退火研究ZnGeP_2晶体中点缺陷与红外透过率的关系被引量：2
- 2008年
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和I-V曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω.cm。经定向切割后,得到10mm×10mm×2mm的ZnGeP2晶片,分别置于高纯红磷和ZnGeP2同成分粉末的氛围,在550℃进行退火处理。结果表明,P气氛中退火,晶片红外透过率的提高不明显;而在ZnGeP2粉末包裹氛围中退火,晶片的红外透过率在短波范围内得到了有效提高,在2～10μm波段则提高到近60%左右,说明VZ-n对该条件下生长的ZnGeP2单晶红外透过率影响较大,而V0P的影响较小。
- 程江朱世富赵北君赵欣陈宝军何知宇杨慧光孙永强张羽
- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 通过退火研究ZnGeP2晶体中点缺陷与红外透过率的关系
- 以富P2‰配比合成的ZnGeP2多晶为原料,用改进的Bridgman法生长出外观完整的单晶体。霍尔效应和Ⅰ-Ⅴ曲线表明,生长的ZnGeP2晶体属于p型半导体,电阻率为7.5×106Ω·cm。经定向切割后,得到10 mm×...
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- 关键词：点缺陷退火红外透过率
- 文献传递
- 磷锗锌单晶体的腐蚀研究被引量：3
- 2010年
- 报道了一种新的ZnGeP2晶体择优腐蚀剂及其腐蚀工艺,即先采用研磨、物理机械抛光和HCl+HNO3热化学抛光获得表面平整无划痕的ZnGeP2晶片,然后将晶片在室温下采用HF(40%)∶HNO3(65%)∶CH3COOH(99.5%)∶H2O∶I2=2 mL∶2 mL∶1 mL∶1 mL∶4 mg腐蚀剂超声振荡腐蚀8 min;在扫描电镜下观察到ZGP(110)和(204)晶面的腐蚀坑,蚀坑形貌清晰,具有立体感,(110)晶面蚀坑呈四边形,(204)晶面蚀坑呈五边形,取向一致,蚀坑密度(EPD)约为104/cm2。从理论上对蚀坑形貌的形成机理进行了分析。
- 张羽赵北君朱世富陈宝军何知宇孙永强程江梁栋程
- 关键词：化学腐蚀
- ZnGeP_2的多晶合成与单晶生长研究被引量：5
- 2009年
- 采用富P配料工艺,通过改进的单温区合成法(MSTZM)合成出高纯、单相的ZnGeP2多晶原料。用改进垂直布里奇曼法(MVBM)生长出尺寸为Φ20mm×30mm的ZnGeP2单晶体。经X射线衍射分析、红外光谱分析、ZC36高阻仪测试表明:晶体完整性好,具有黄铜矿结构,晶格常数a=b=0.5463nm,c=1.0709nm。晶体的透光范围为0.65～12.5μm。厚度为2mm的晶片在2～12μm范围内的平均红外透过率达55%以上,电阻率为6×107Ω·cm,计算2.05μm和10.6μm处的吸收系数分别为0.017cm-1和0.21cm-1。
- 赵欣朱世富赵北君陈宝军孙永强
- 关键词：晶体生长红外光谱
- 两温区气相输运和机械振荡合成ZnGeP_2多晶材料被引量：10
- 2008年
- ZnGeP2多晶的合成是其单晶生长的前提和基础,多晶材料的质量是生长高质量单晶的关键。因此,要获得高质量的ZnGeP2单晶体,必须提供高质量的ZnGeP2多晶材料。对两温区气相输运机械振荡法合成ZnGeP2多晶材料的工艺进行了研究,利用高纯(6N)P、Ge、Zn单质为原料,采用两温区气相输运和机械振荡合成出了ZnGeP2多晶材料。合成出的多晶材料经比重测试和X射线粉末衍射测试证明与标准值一致。采用改进的布里奇曼法生长出外观完整、无裂纹的15mm×25mm单晶体,在2.5～10μm范围内红外透过率达50%以上。
- 杨慧光朱世富赵北君赵欣何知宇陈宝军孙永强
- 关键词：三元化合物多晶合成机械振荡
