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商怀超

作品数：2 被引量：2H指数：1
供职机构：西安电子科技大学更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金高等学校科技创新工程重大项目国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇MOS器件
  • 1篇低剂量
  • 1篇低剂量率
  • 1篇电路
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇跨导
  • 1篇集成电路
  • 1篇剂量率
  • 1篇辐照
  • 1篇Γ射线辐照
  • 1篇SOI工艺
  • 1篇KINK效应
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应器件

机构

  • 2篇西安电子科技...

作者

  • 2篇商怀超
  • 1篇卓青青
  • 1篇刘红侠

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
基于SOI工艺MOS器件的辐照效应研究
随着空间技术和集成电路技术的不断发展，辐照环境中的集成电路可靠性越来越受到重视。SOI器件由于采用了全介质隔离，完全消除了体硅器件的闩锁效应，在抗辐照方面也有很好的特性。本文主要进行了SOI器件的总剂量辐照效应实验研究和...
商怀超
关键词：场效应器件集成电路芯片设计
文献传递
低剂量率^(60)Co γ射线辐照下SOI MOS器件的退化机理被引量：2
2012年
本文通过实验分析了0.8μm工艺H形栅SOI MOS器件在低剂量率下的γ射线总剂量效应.实验结果表明,总剂量相同时,低剂量率的辐照效应更严重,关态偏置条件下的阈值电压漂移大于开态,辐照引起NMOS器件发生kink效应时的漏极电压VD升高.研究结果表明:界面态对PMOS器件亚阈值斜率和跨导退化的影响作用不同,主要原因是栅极偏置不同使起作用的界面态数量不同.
商怀超刘红侠卓青青
关键词：低剂量率总剂量效应KINK效应跨导
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