周俊
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
- 供职机构：复旦大学材料科学系更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 本实验利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整;采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层，室温成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试...
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管磁控溅射玻璃基板
- 文献传递
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管
- 李桂锋周俊冯佳涵杨铭黄延伟张群
- 有机介质层铟锌氧化物薄膜晶体管被引量：1
- 2010年
- 利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜,薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚作为介质层,成功制备了顶栅结构的薄膜晶体管。测试结果表明,所制备的薄膜晶体管具有饱和特性且为耗尽工作模式,薄膜晶体管的阈值电压为3.8V,迁移率为25.4cm2.V-1.s-1,开关比为106。
- 李桂锋冯佳涵周俊张群
- 关键词：薄膜晶体管
- 直流反应磁控溅射制备非晶掺锌氧化铟沟道层薄膜
- 2010年
- 采用直流反应磁控溅射In/Zn合金靶材在室温下制备了非晶掺锌氧化铟(a-IZO)薄膜,作为沟道层应用于氧化物薄膜晶体管。通过在沉积过程中适当调节氧气压强,制备的a-IZO薄膜的电阻率可具有10-3～106Ω.cm即109倍的变化范围。在氧气压强Po2=5×10-2Pa制备的薄膜,其可见光范围平均透射率大于85%。试制了基于a-IZO薄膜沟道层的顶栅结构的氧化物薄膜晶体管。测试表明该薄膜晶体管工作在n型沟道增强模式,场效应迁移率为4.25 cm2V-1s-1,电流开关比约为103。实验结果预示a-IZO薄膜在TFT-LCD和AMOLED等平板显示领域具有应用前景。
- 周俊李桂锋卜东生张群
- 关键词：直流反应磁控溅射薄膜晶体管
