关新锋
- 作品数：13 被引量：31H指数：3
- 供职机构：航天恒星科技有限公司更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金山西省基础研究计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程一般工业技术天文地球更多>>
- 基于MEMS红外光源阵列的编码调制方法
- 本发明公开了一种基于MEMS红外光源阵列的编码调制方法，包括MEMS红外光源阵列、调制频率模块、图形编码模块、阵列扫描模块和源码程序模块；本发明解决了对MEMS红外光源进行编码调制的问题，本调制方法可以使MEMS红外光源...
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- 文献传递
- 温度场和电场调控硅基反铁电厚膜相变电流特性研究被引量：2
- 2012年
- 采用溶胶-凝胶技术,在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上制备了高(100)取向生长、表面平整且结构致密的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜,研究了温度场和电场对(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜电学性能的影响。实验结果表明反铁电厚膜在温度场和电场作用下发生反铁电相、铁电相和顺电相的相互转变,随外加电场增加,反铁电-铁电相变温度逐渐减小,介电常数峰值由2410减小到662,相变电流密度值由2.21×10-7A/cm2增大到8.52×10-7 A/cm2;随外加温度场增加,反铁电-铁电相变电场强度逐渐减小,饱和极化强度由39μC/cm2减小到31μC/cm2,相变电流密度值由2.89×10-5 A/cm2减小到8.8×10-6 A/cm2,温度场和电场可实现对反铁电厚膜相变电流效应的有效调控。
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- 关键词：相变电流密度电场
- MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法
- 本发明涉及光电标识技术，具体是一种MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法。本发明解决了现有光电标识技术受外界环境影响大、无法满足全天候工作要求、不可用于非对称情况下的隐形标识、识别效率低、以及反射光视场范围小的问题。ME...
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- MEMS红外光源可调制驱动电路设计被引量：3
- 2012年
- 针对MEMS红外光源的驱动控制问题,提出了一种基于FPGA和稳压集成电路ADP3336的可调制驱动系统。通过对MEMS红外光源的辐射光谱和驱动特性研究,确定基于可调脉冲方波的直接驱动控制方式;采用FPGA对数字脉冲信号进行占空比和频率的复合调制;采用ADP3336对光源精密稳压驱动,使驱动电压偏差不大于0.1 V,驱动效率达80.1%。该驱动电路实现了对MEMS红外光源大功率、高精度、高效率供能驱动以及深度调制,为这种新型红外光源器件的应用提供了技术基础。
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- 关键词：调制驱动电路
- 压电-磁电复合式振动驱动微能源装置的能量采集电路
- 本发明公开了一种压电-磁电复合式振动驱动微能源装置的能量采集电路，压电-磁电复合式振动驱动微能源装置包括一路压电输出和一路磁电输出，压电输出接压电采集模块，磁电输出接磁电采集模块，所述压电采集模块包括顺次连接的倍压整流电...
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- 文献传递
- 一种弹道特征温度传感测试方法
- 本发明公开了一种弹道特征温度传感测试方法，包括以下步骤：(1)获取弹道环境下弹体各关键点的温度变化规律；(2)依据所述的温度变化规律，制备铅基反铁电厚膜材料；(3)采用所述反铁电厚膜材料进行微型化传感测试系统搭建；(4)...
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- 文献传递
- 一种基于北斗RDSS短报文的天基测控方法被引量：11
- 2019年
- 主要针对未来商业卫星大规模发展需求,基于天地一体化测控网络体系,探索研究了北斗短报文测控的可行性。以北斗导航星座作为天基测控平台,以低轨卫星作为测控服务对象,研究了基于北斗短报文的新型天基测控方法,进行了该天基测控系统总体方案设计和测控数据流程设计。提出在低轨航天器上搭载北斗短报文终端作为测控载荷,利用北斗卫星无线电测定业务(RDSS)短报文基本通信通道,充分考虑RDSS数据协议约束,采用兼容当前测控协议帧结构的方式,对帧结构进行适应性移植,证明RDSS短报文测控体制可以满足一般民商用小卫星、立方星等航天器测控通信需求。最后根据系统设计及体制论证结论,对基于北斗RDSS短报文的测控服务能力进行了综合分析,证明该测控应用模式可满足卫星日均在轨测控通信数据量需求。
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- 关键词：天基测控测控体制
- 基于MEMS红外光源阵列的光电标识技术研究
- 本论文针对基于MEMS红外光源阵列的新型光电特征标识技术，重点开展了MEMS红外光源器件热辐射特性、收敛辐射控制技术、阵列化编码调制方法、系统驱动电路设计以及用于光源辐射距离计算的光电标识系统辅助设计软件开发的相关研究，...
- 关新锋
- 关键词：微机电系统半导体材料
- 文献传递
- 硅基(Pb,La)(Zr,Ti)O_3反铁电厚膜的制备及介电性能
- 2012年
- 采用溶胶–凝胶工艺制备了具有高度(100)择优取向的(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜(厚约2.2μm)。研究了该反铁电厚膜在不同温度下的电场诱导相变效应和不同电场强度下的温度诱导相变效应。结果表明:(Pb,La)(Zr,Ti)O3反铁电厚膜在室温下处于反铁电态;随着温度升高,厚膜的相变开关电场强度逐渐降低,反铁电态越来越不稳定,当温度高于132℃且电场强度为0 kV/cm时,厚膜处于顺电态;随着外加电场强度的增大,厚膜的AFE(反铁电态)-FE(铁电态)相变温度向低温方向漂移,当电场强度大于164 kV/cm时,厚膜在室温下已处于铁电态。
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- 关键词：介电性能
- MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法
- 本发明涉及光电标识技术，具体是一种MEMS红外光源阵列主动式光电标识方法。本发明解决了现有光电标识技术受外界环境影响大、无法满足全天候工作要求、不可用于非对称情况下的隐形标识、识别效率低、以及反射光视场范围小的问题。ME...
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- 文献传递
