何杰
- 作品数：11 被引量：25H指数：4
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 金属氮化物／砷化镓肖特基势垒中氮的作用
- 何杰金高龙
- 关键词：砷化镓肖特基势垒势垒高度稳定性
- CoSi_2薄膜形成过程中的反应机制被引量：4
- 1994年
- 利用超高真空电子束蒸发，在Ｓｉ衬底上淀积Ｃｏ－Ｓｉ多层膜．经热处理后，发现在６００—７００℃内ＣｏＳｉ２形成的过程中，成核控制、界面反应及扩散等几种因素都能起较大的作用，并因此而造成了ＣｏＳｉ２薄膜生长动力学的极其复杂性．本文还对样品进行了电阻率和扩展电阻测量．并讨论了利用常规手段来消除薄膜横、纵向非均匀性的几种途径．
- 何杰顾诠陈维德许振嘉
- 关键词：薄膜生长反应机理
- Co—Si多层膜的透射电镜研究被引量：4
- 1993年
- 本文用TEM技术系统地研究了超高真空中在Si(111)衬底上交替蒸镀Co、Si形成的多层薄膜,在稳态热退火过程中硅化物的生长规律,观察生成硅化物的成分和晶粒度、薄膜的表面形态和界面特征等微结构的变化。结果表明,随着退火温度的升高Co膜逐渐转化为Co_2Si、CoSi和CoSi_2,硅化物晶粒的大小随退火温度的升高而增大,340—370℃退火后在Co耗尽前Co_2Si和CoSi能同时生长(三相共存)。结合XRD分析,证实了上述结果的可靠性。
- 顾诠何杰何杰陈维德钱家骏
- 关键词：半导体薄膜透射电镜
- 氢化非晶氧化硅薄膜的微结构及光致发光的研究被引量：1
- 1998年
- 采用等离子增强化学气相沉积 (PECVD)技术制备了一组氧含量不同的氢化非晶氧化硅 (a SiOx∶H)薄膜 ,室温下在 5 5 0～ 90 0nm的波长范围内观察到了两个强的发光带 :一个是由峰位在 6 70nm( 1 85eV)左右的主峰和峰位在 835nm( 1 46eV)的伴峰组成的包络 ,另一个只能在氮气氛中 1 1 70℃退火后的样品中观测到 ,峰位大约在 85 0nm .通过对红外谱和微区Raman谱的分析 ,认为这两个发光带可能分别与存在于薄膜中的a Si原子团和Si纳米晶粒有关 .
- 马智训廖显伯程文超岳国珍王永谦何杰孔光临
- 关键词：光致发光非晶态氧化硅微结构
- Ce-Si多层膜中铈硅化物的形成被引量：1
- 1990年
- 超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。
- 何杰许振嘉钱家骏王玉田王佑祥
- 关键词：多层膜
- 掺铒硅光致发光的研究被引量：1
- 1999年
- 采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺铒硅光致发光强度的影响和规律 。
- 顾诠何杰陈维德许振嘉谢小龙谢小龙梁建军廖显伯
- 关键词：硅光致发光氧含量发光机理光电子学
- 金属薄膜与半导体的反应
- 何杰
- 关键词：半导体薄膜技术多层膜
- SiO_x∶H(0<x<2)薄膜光致发光的退火行为研究被引量：6
- 1998年
- 采用退火后处理的方法，使ＳｉＯｘ∶Ｈ（０＜ｘ＜２）形成纳米硅与二氧化硅的镶嵌结构．利用红外透射谱、Ｒａｍａｎ谱和光致发光谱，系统地研究了不同退火温度对薄膜微结构及室温光致发光谱的影响．发现发光谱均由两个Ｇａｕｓｓ线组成，其中主峰随着退火温度的升高而红移，而位于８３５ｎｍ的伴峰不变．指出退火前在７２０—６１０ｎｍ的波长范围内强的主峰可能来源于膜中的非晶硅原子团，随退火温度的升高主峰的红移是由于非晶硅原子团的长大．而伴峰可能来自硅过剩或氧欠缺引入的某种发光缺陷．１１７０℃退火后在８５０ｎｍ附近出现强的谱带与纳米硅的析出有关，支持了量子限制效应发光模型．
- 马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临
- 关键词：纳米硅氧化硅光致发光退火
- 掺铒SiO_x1.54μm强的室温光致发光被引量：7
- 1999年
- 采用等离子化学汽相淀积方法，改变ＳｉＨ４和Ｎ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ＳｉＯｘ．用离子注入方法将铒掺入ＳｉＯｘ，经３００～９３５℃快速热退火，在波长１．５４μｍ处观察到很强的室温光致发光（ＰＬ）．发光强度随氧含量和激发功率增加而增加，与ＳｉＯｘ的微结构有非常密切的关系．
- 陈维德马智训许振嘉何杰何杰梁建军
- 关键词：掺铒光致发光室温氧化硅
- 氢化非晶氧化硅薄膜光致发光起源的探讨被引量：1
- 1999年
- 研究了不同氧含量的ａ－ＳｉＯｘ∶Ｈ薄膜的室温光致发光，发现每一个样品的发光谱均由两个Ｇａｕｓｉａｎ分谱组成．一个是峰位随氧含量蓝移的宽的主峰；另一个是峰位固定在大约８３５ｎｍ的伴峰．结合对ＩＲ谱和微区Ｒａｍａｎ谱的分析，我们认为主峰可能与膜中的ａ－Ｓｉ颗粒有关，而伴峰与Ｓｉ过剩或氧欠缺引起的缺陷有关．
- 马智训廖显伯何杰程文超岳国珍王永谦刁宏伟孔光临
- 关键词：光致发光氧化硅半导体薄膜技术
